STM32增强型微控制器访问NAND Flash学习笔记

作者:小邓来源:会员上传点击数: 298 更新时间：2014年05月19日【字体：大中小】

一、了解NAND Flash

Flash即是存储芯片的一种，其结合了ROM和RAM的特点，既具备电可擦除编程的性能，又可以快速读取数据，数据不会因断电丢失。目前市面上Flash主要有NOR Flash和NAND Flash。

简单的理解就是，NOR Flash具有随机存取和随字节执行写操作的能力，即可以访问到存储器内部的任意一个字节，且具有读取速度快等特点，它占据1MB—16MB闪存的大部分市场，根据其读取数据速度快的特点主要应用在代码存储；而NAND Flash以“页”为单位进行对数据的读写操作，且具有写入和擦除速度快等特点，它应用在8MB—256MB的产品中，根据其特点主要应用在数据存储上。

以型号HY27UF081G2A的NAND Flash芯片为例，其总线宽度为8bit，总内存大小为1Gbit（即128MB），共分为1024块（Block），每块又分为64页（Page），每页共2KB(main memory)+64B(spare memory)，main memory用来存放数据，spare memory用来标记已坏的块区和保存对main memory的ECC校验码等（正常情况下不用）。更多的HY27UF081G2A资料参照相关Datasheet。

二、了解HY27UF081G2A芯片引脚功能和NAND Flash接口时序及控制命令

1、引脚说明


图1 引脚图	图2 引脚名称

2、地址周期

图3 地址周期

其中A10—A0表示页内地址偏移（表示0—2047字节，1页大小即为2K）

A11表示上半页或者下半页（这位程序员无需关心，决定A10—A0时也间接决定了A11）

A17—A12表示页地址（表示0—63页）

A27—A18表示块地址（表示0—1023块）

由于NAND Flash访问的单位是“页”，设置访问地址时只需要确定A27—A12的值即可确定到某一页，如果要从页内的某一位置开始访问，则根据需要设置A10—A0位来确定从页内第几个字节开始访问，如：要访问存储空间为第3块的第5页，且从第100字节开始进行访问，则对应的4个Cycle周期的地址信号为：1 st ：0x64 ， 2 nd ：0x00 ， 3 rd ：0xC5 ， 4th ：0x00

3、了解控制命令，如下所示

图4 控制命令

4、了解接口时序，对该存储器进行访问操作有读取芯片ID、读页数据、写页数据，块擦除等共有13种，每种不同的操作对应不用的接口时序，此处只例举其中的4种操作：读取芯片ID、读页数据、写页数据、块擦除相应的接口时序图，更多操作参阅其Datasheet。

图5 读取芯片ID时序

图6 读取一页数据

图7 写一页数据（页编程）

图8 块擦除

同时应注意一些时序参数，如在上几幅时序图中出现的tAR（ALE至~RE的延时），tCLR（CLE至~RE的延时）等等，这些时间参数都有不同的取值范围（ns级别），时序图中出现的Col Add1、Col Add2为列地址表示页内地址偏移，对应4个Cycle地址中的第1、第2个，Row Add1、Row Add2为行地址标识某块某页地址，对应4个Cycle地址中的第3、第4个。更多详细资料参见相关Datasheet。

三、STM32F10x增强型控制器的FSMC模块

FSMC（可变静态存储控制器）是STM32系列微控制器采用的一种新型的存储器扩展技术，可根据系统的需要方便的进行不用类型大容量静态存储器的扩展；简单的理解FSMC模块可对多种外接存储器进行控制，其主要包括NOR Flash、NAND Flash、PC卡，下面对访问NANDFlash介绍。

1、STM32F10x控制器与HY27UF081G2A的对接

先看STM32F10x控制器提供的NAND Flash接口（这里为8位的NAND闪存）

图9 STM32F10x控制器的NAND Flash接口

接口各信号对应的GPIO口为：

A[17] ： PD12

A[16] ： PD11

D[0:7] ： PD14，PD15，PD0，PD1，PE7，PE8，PE9，PE10

NCE[x] ：这里使用NCE[2]，对应GPIO口为PD7

NOE(=NER) ： PD4

NWE ： PD5

NWAIT/INT[3:2] ： PD6（根据情况使用该引脚信号，这里不使用）

结合HY27UF081G2A的引脚功能说明，STM32与HY27UF081G2A的连线方式选择如下：

STM32F10x的NAND接口 HY27UF081G2A引脚

D[0:7]------------------------------------------IO0~IO7

A[17]-------------------------------------------ALE

A[16]-------------------------------------------CLE这里使用PG6接到R/~B，在检测NAND Flash

NEC[2]------------------------------------------~CE

NOE---------------------------------------------~RE

NWE--------------------------------------------~WE

PG6---------------------------------------------R/~B（是否忙时直接读取PG6引脚上的电平来判断）

2、NAND地址映像及功能介绍

图10 存储器映像和时序寄存器（这里只用块2来控制访问NAND Flash）

通用和属性空间又可以在低256K字节部分画分为三个区

图11 存储块选择

应用软件使用这三个区访问NAND Flash存储器：

发送命令至NAND Flash：对命令区任意地区写入命令即可。

指定NAND Flash的地址：对地址区任意地址写入地址命令即可，一个NAND地址有4或5个字节（这里使用的HY27UF081G2A 芯片为4个字节），需要连续地执行对地址区的写才能输出完整的操作地址。

读写数据：软件只需对数据区任意一个地址写入或读出数据即可。

注：因为NAND Flash存储器自动累加其内部的操作地址，读写数据时没有必要变换数据区的地址，即不必对连续的地址区操作；应用软件使用这三个区进行访问NAND Flash之前要先完成对相应的管理寄存器的初始化配置，下面介绍相应的管理配置寄存器。

3、STM32的NAND Flash存储器块通过以下一组寄存器来管理配置

控制寄存器：FSMC_PCRx

中断状态寄存器：FSMC_SRx

ECC寄存器：FSMC_ECCRx

通用存储器空间的时序寄存器：FSMC_MEMx

属性存储器空间的时序寄存器：FSMC_PATTx

I/O空间的时序寄存器：FSMC_PIOx

注：这里用的是块2部分，因此上面寄存器中的x=2。

对于要只控制NAND Flash存储器，上面的三个时序寄存器中只用到FSMC_MEMx，配置该寄存器来控制NAND通用存储空间的访问时序，该寄存器中保存着访问时序的4个时间参数（MEMsSET+1、MEMxHIZ+1、MEMxWAIT+1、MEMxHOLD+1），每个时间参数的具体说明可参阅STM32相应Datasheet。访问时序图如下：