模电复习总结【速成】

第一章

半导体基础知识

P磷元素(五价)和B硼元素(三价)都是电中性(无得失电子)

多子(多的自由电子和多的空穴)主要受掺杂浓度影响;

少子(从共价键挣脱的电子和空穴)主要受温度影响;

PN结

在无外电场和其他激发的作用下,参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目,从而达到动态平衡,此时空间电荷区有一定的宽度,电位差为Uho,电流为0。

 

击穿
电击穿:
齐纳击穿(小电压)掺杂浓度高,温度越高,所需击穿电压越低

内电场加速某一电子,撞击产生链式反应

掺杂浓度高时,PN结很窄,场强很大,价电子可能会被直接捞出来

雪崩击穿(大电压)掺杂浓度低,温度越高,所需击穿电压越高

外电场加速某一电子,撞击产生链式反应

掺杂浓度低时,pn结很宽时,漂移运动加速,少子中的自由电子可能会撞开共价键上的电子,自由电子瞬间变多,把PN结击毁

热击穿:

势垒电容

耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容

扩散电容

扩散区内,电荷的积累和释放的过程与电容器充放电过程相同,这种电容效应

工作频率不能太高,低频大容抗,高频才考虑结电容的作用

99fec6b085f34af4a1c09787fe35cd02.png

 二极管

 

 

 等效模型

不关注定量,关注定性,到底是导通还是截止,当电压为几十伏,几百伏,就不考虑 

关注问题解决

30V   6V  1.5V   

压降

图解法

 叠加原理只适用于线性元件,二极管为非线性

 

微变等效电路模型 

 

 

 *二极管的主要参数

 

 稳压管

稳压管主要参数 

 工作状态

习题 

二极管解题步骤:

1)设接地

2)假设截止(断开)求两端电位,压降是否大于0.7V(硅管)若导通用0.7做压降

(或者假设都截止,压差大的先导通,只有一条导通再计算)

3)两个二极管共阳极,共阴极,压差大的先导通,只有一条支路导通

共阳极,共阴极,压差大的先导通,只有一个导通

 

稳压管解题步骤 

1)接地

2)假如是稳压,判断其电流(是否再min~max之间)及其他条件是否符合

3)多个稳压管,假设其中一个稳压,看其他条件是否符合

—————————————

晶体管

PN正偏: Ub<Ue PNP;Ub>Ue NPN

晶体管的结构原理

 晶体管的基本电流关系

 晶体管放大状态的载流子运动

输入伏安特性

输出伏安特性

 发射结正偏,UBE还得>0.7V;UBE<0.7V就截止     (UCES为饱和管压降)

*工作区的判断与划分

放大区:U_{CE}\geq U_{CES} (临界饱和电压)[严谨来说U_{CE}> U_{CES}];i_{B} \leq i_{BS}(临界饱和电流)

              U_{CE}> U_{BE}    (临界饱和区:U_{CE}= U_{BE})

 *根据电流判断
*根据电压判断

 温度对晶体管伏安特性的影响

晶体管的主要参数

 习题

PN正偏: Ub<Ue PNP;Ub>Ue NPN

看电压下降方向是否与箭头方向一致

得看看有没有限流电阻

 不能工作在放大状态,没有限流电阻,会烧坏

*方法1

根据实际ui求ib再求UCE和UCES(饱和管压降电压)比较

放大区:U_{CE}> U_{CES}  饱和区:U_{CE}\leq U_{CES}(就按U_{CES}的值)

*方法2 

 通过临界饱和电压求出ibs(临界饱和电流)再根据实际ui求的ib确定放大/饱和

放大区:i_{B} \leq i_{BS}   饱和区:i_{B} > i_{BS}

 —————————————

场效应管

*场效应管的结构原理 

加PN方向正电压,耗尽层减小;加PN方向反电压(NP方向正电压),耗尽层增大

Ugs控制通道,UDS是变量

U_{DG}=U_{DS}+U_{SG};结型

U_{GD}=U_{GS}-U_{DS};绝缘栅型

 场效应管的工作原理

若uGS>0则,pn导通,但在N沟道没法导通所以JFET不能工作在正电压

 场效应管的工作特征曲线

 

 

 

重要参数 
 *转移特征曲线
 *输出特征曲线

*场效应管工作区的划分 

结型UGS<0,增强型MOS管UGS>0,耗尽型MOS管UGS有正有负

Ugs控制通道,UDS是变量 U_{GD}=U_{GS}-U_{DS}

U_{DS}=U_{GS}-U_{GD}

*本质上是UGD和Uon/Uoff判断  (N型)

小,恒流

*uGS和uGD在UGS,同侧-可变电阻区 ;异侧-恒流区

场效应管的主要参数 

 对于结型,ds可以换着用;绝缘栅不行

 对比

 习题

 1.

 2.

4.开启电压为4V

 —————————————

第一章习题小结 

 判断填空

一、

二极管最大整流电流是正向电流的平均值

温度升高,二极管正向结电流增加,反向结电流增加

晶体三极管发射区掺杂浓度最高,基区掺杂浓度最低

击穿一般是电压击穿

场效应管工作时只有一种载流子(多子)导电

结型,栅源加反相电压才使RGS增大

(12)改成N沟道结型就对了

(15)场效应管的饱和区是恒流区

二、

(1)掺杂浓度        温度  (2)p  空穴  自由电子 (3)负  正  (4)削弱  大于  变窄

(5)齐纳 雪崩(6)单向导电性        I_{F}        U_{R}        U_{R}     I_{F}   (7)电流型        电压型

(8)正偏  反偏(9)大  好(10)恒流区

 —————————————

第二章

静态和动态分析

静态电路:

uBE->iB->iC->uCE

动态电路:

输入电阻是信号和内阻往里看【RB‘和rbe+(1+β)RE】;输出电阻(【只有求电阻时】理想电流源和负载相当于断路)【剩下的电阻】

求放大倍数时:ui输入(已知Ib所以用rbe那条线求)【不带RS】;u0输出(已知βIb所以用并联求)【带RL】(由于io不知,RC分路电流不知)

三种放大电路特点

输入电阻(信号拾取能力)【只电阻】

Ri大了好,RS小了好

输出电阻(带负载能力)【电阻串联信号】

Ro小了好,RL大了好

共射:输入电阻小,输出电阻大,放大能力强(电流电压增益都高)【构成多级】

共集:输入电阻最高,输出电阻最小,只放大电流【输入、输出、中间缓冲级】

共基:输入电阻小,输出电阻大(与共射相同),只放大电压【恒流源,【通频带很宽,在高频和宽带领域】】

uBE->iB->iC->uCE

uBQ->iE->iC->uCE

输出电压得算等效电阻,输出电阻不看负载

* 静态分析-图解法

 静态分析-估算法

IC约等于ie,ib=ieq/1+\beta

直流负载估算法

 直流负载戴维南

 *电压就是分压,求等效电阻把电压源短路(所有置0)

*基本共射放大电路的原理分析

 由图解法,摆动的电压信号映射出摆动的电流小信号,此小信号不严格

 U_{CQ}=V_{CC}-i_{CQ}R_{C}所以UCQ是一个反相的波

 

 微变等效电路

 

 动态分析-等效模型

动态分析-估算法ie=(1+/Beta)ib(共射接地有Re)

ui=ib*rbe+(1+\beta)ib*Re

输入电阻:以ib为准  rbe+(1+\beta)Re

输出电阻:不算负载,左边输入电压短路

晶体管

*放大电路的输入电阻与信号源内阻无关,输出电阻与负载无关

信号源内阻Rs

Aus=(Ri/Rs+Ri)*Au

场效应管

静态工作点 iDQ、UDS     电流往下

自给偏压

 

 共源
 

共漏

 

共栅

小结

 动态分析-等效电路法

 

 输入电阻的理解

Ri大分压大,Ri小分流大 (抢信号源)

 

输出电阻的理解 

Ro越小输出电压越稳定,Ro越大输出电流越稳定

 

 

 

失真分析

*最大不失真输出电压

 

 

小结 

 失真:与原有信号(期望信号)的偏差 

 截止失真:输入回路发射结无法正偏

Q点过低  现象:上面缺        解决:增加VBB

 饱和失真:输出回路集电结无法反偏

Q点过高  现象:下面缺        解决:1.输入:减小VBB,增加Rb,输出:减小iCQ,\beta减小;减小Rc使|1/Rc|增大,变抖让q往右

 

 

*基极限流电阻:当基极到发射极电压大于二极管开启电压(硅0.6,锗0.4)时二极管导通,如果用大于的电压去驱动它,那正向电流就会超出三极管的允许值

基本放大电路三种接法

共谁就是谁的电位直接有,无负载,交流时是接地的

 共射

 输入输出隔开

 共集

 输出电阻独立源短路受控源保留

含有集电极电阻不受影响 

 

共基

 

 

第二章习题

知识点:

选择:

在共集电极放大电路中,输出电压与输入电压的关系是:相位相同,幅度相似

有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大,在负载开路的条件下测得A的输出电阻小。这说明:输入电阻小。

判断:

放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作  对

普通二极管的正向伏安特征也具有稳压作用  对

放大电路的电压放大倍数和电流放大倍数一定都大于1   错

射极支路接入电阻Re的目的是为了稳定静态工作点   对

分压式电流负反馈共发射极放大电路是能够稳定静态工作点的一种放大器 对

晶体管的输入电阻rbe是一个动态输入电阻,故它与静态工作点无关  错

*通交阻直,交短直短 

 输入输出信号是否能传递,动态静态分析信号是否会被接地

阻容耦合电路,基极和集电极上都有限流电阻 
*基极:当基极到发射极电压大于二极管开启电压(硅0.6,锗0.4)时二极管导通,如果用大于的电压去驱动它,那正向电流就会超出三极管的允许值

 

 *单管放大电路

 

 

 

 静态工作点iBQ、iCQ、UCEQ、UBEQ

 先算电位,UBQ,UEQ,UCQ

 

 

 

 

第三章 

 差分放大电路

差模信号和共模信号

差模:大小相同(极性相反,相位相反)

 

 两次流过所以2倍ie

共模信号等效电路

 

 左边电流增加,右边电流减小;Re点电位不变,Re相当于短路

差模信号的等效电路

 动态参数

 双端:接在两个端口之间

单端:接一个端口,另一个接地

 

 

动态负载分成两个,一边电流增加,一边电流减小时,相当于短路 ,从中间短路

 

第五章 放大电路中的反馈 

同相输入端是指,输入电压与输出电压同相;

反向输入端是指,输入电压与输出电压反相;

期望的在最右边,输入在左,实际输出再回来和输入比较;假如输入10V实际输出9V, 再回来做差为1V,1V增加在实际输出上

 暂时只研究电阻

 反馈的类型

*有无反馈的判断 

 *正反馈/负反馈的判断

 *直流反馈/交流反馈的判断

*局部反馈/级间反馈的判断

 *

 

 左下因为差模信号,电流减小

 *小结

  • 2
    点赞
  • 21
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 1
    评论
当然,我可以帮你复习数据结构的一些基本知识点。数据结构是计算机科学中非常重要的一门课程,它研究的是如何组织和存储数据,以及如何高效地操作和处理数据。以下是一些数据结构的基本知识点: 1. 数组:数组是一种线性数据结构,它由相同类型的元素组成,并按照一定的顺序存储在连续的内存空间中。数组的特点是可以通过下标快速访问元素。 2. 链表:链表也是一种线性数据结构,它由节点组成,每个节点包含一个数据元素和一个指向下一个节点的指针。链表的特点是插入和删除操作比较高效,但访问元素需要遍历。 3. 栈:栈是一种后进先出(LIFO)的数据结构,只允许在栈顶进行插入和删除操作。栈可以用来实现函数调用、表达式求值等。 4. 队列:队列是一种先进先出(FIFO)的数据结构,只允许在队尾插入元素,在队头删除元素。队列可以用来实现任务调度、消息传递等。 5. 树:树是一种非线性数据结构,它由节点和边组成。每个节点可以有多个子节点,但只有一个父节点。树的应用非常广泛,例如二叉树、二叉搜索树、堆等。 6. 图:图是一种非线性数据结构,它由节点和边组成。节点表示实体,边表示节点之间的关系。图可以用来表示网络、社交关系等。 这些只是数据结构中的一部分知识点,还有很多其他的内容。如果你有具体的问题或者需要深入了解某个知识点,请告诉我。

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值