模电复习总结【速成】

已于 2024-01-02 17:10:30 修改
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于 2023-10-30 19:08:16 首次发布
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版权

第一章

半导体基础知识

P磷元素（五价）和B硼元素（三价）都是电中性（无得失电子）

多子（多的自由电子和多的空穴）主要受掺杂浓度影响；

少子（从共价键挣脱的电子和空穴）主要受温度影响;

PN结

在无外电场和其他激发的作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，此时空间电荷区有一定的宽度，电位差为Uho，电流为0。

 

击穿
电击穿：
齐纳击穿（小电压）掺杂浓度高，温度越高，所需击穿电压越低

内电场加速某一电子，撞击产生链式反应

掺杂浓度高时，PN结很窄，场强很大，价电子可能会被直接捞出来

雪崩击穿（大电压）掺杂浓度低，温度越高，所需击穿电压越高

外电场加速某一电子，撞击产生链式反应

掺杂浓度低时，pn结很宽时，漂移运动加速，少子中的自由电子可能会撞开共价键上的电子，自由电子瞬间变多，把PN结击毁

热击穿：

势垒电容

耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容

扩散电容

扩散区内，电荷的积累和释放的过程与电容器充放电过程相同，这种电容效应

工作频率不能太高，低频大容抗，高频才考虑结电容的作用

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 二极管

 

 

 等效模型

不关注定量，关注定性，到底是导通还是截止，当电压为几十伏，几百伏，就不考虑 

关注问题解决

30V   6V  1.5V   

压降

图解法

 叠加原理只适用于线性元件，二极管为非线性

 

微变等效电路模型 

 

 

 *二极管的主要参数

 

 稳压管

稳压管主要参数 
 工作状态

习题 

二极管解题步骤：

1）设接地

2）假设截止（断开）求两端电位，压降是否大于0.7V（硅管）若导通用0.7做压降

（或者假设都截止，压差大的先导通，只有一条导通再计算）

3）两个二极管共阳极，共阴极，压差大的先导通，只有一条支路导通

共阳极，共阴极，压差大的先导通，只有一个导通

 

稳压管解题步骤 

1）接地

2）假如是稳压，判断其电流（是否再min~max之间）及其他条件是否符合

3）多个稳压管，假设其中一个稳压，看其他条件是否符合

—————————————

晶体管

PN正偏: Ub<Ue PNP；Ub>Ue NPN

晶体管的结构原理

 晶体管的基本电流关系

 晶体管放大状态的载流子运动
输入伏安特性

输出伏安特性

 发射结正偏，UBE还得>0.7V；UBE<0.7V就截止     （UCES为饱和管压降）

*工作区的判断与划分

放大区：U_{CE}\geq U_{CES} （临界饱和电压）[严谨来说U_{CE}> U_{CES}]；i_{B} \leq i_{BS}（临界饱和电流）

              U_{CE}> U_{BE}    (临界饱和区:U_{CE}= U_{BE})

 *根据电流判断
*根据电压判断

 温度对晶体管伏安特性的影响
晶体管的主要参数

 习题

PN正偏: Ub<Ue PNP；Ub>Ue NPN

看电压下降方向是否与箭头方向一致

得看看有没有限流电阻

 不能工作在放大状态，没有限流电阻，会烧坏

*方法1

根据实际ui求ib再求UCE和UCES（饱和管压降电压）比较

放大区：U_{CE}> U_{CES}  饱和区：U_{CE}\leq U_{CES}(就按U_{CES}的值)

*方法2 

 通过临界饱和电压求出ibs（临界饱和电流）再根据实际ui求的ib确定放大/饱和

放大区：i_{B} \leq i_{BS}   饱和区：i_{B} > i_{BS}

 —————————————

场效应管

*场效应管的结构原理 

加PN方向正电压，耗尽层减小；加PN方向反电压（NP方向正电压），耗尽层增大

Ugs控制通道，UDS是变量

U_{DG}=U_{DS}+U_{SG}；结型

U_{GD}=U_{GS}-U_{DS}；绝缘栅型

 场效应管的工作原理

若uGS>0则，pn导通，但在N沟道没法导通所以JFET不能工作在正电压

 场效应管的工作特征曲线

 

 

 

重要参数 
 *转移特征曲线
 *输出特征曲线

*场效应管工作区的划分 

结型UGS<0，增强型MOS管UGS>0，耗尽型MOS管UGS有正有负

Ugs控制通道，UDS是变量 U_{GD}=U_{GS}-U_{DS}

U_{DS}=U_{GS}-U_{GD}

*本质上是UGD和Uon/Uoff判断  （N型）

小，恒流

*uGS和uGD在UGS，同侧-可变电阻区 ；异侧-恒流区

场效应管的主要参数 
 对于结型，ds可以换着用；绝缘栅不行
 对比

 习题

 1.

 2.

4.开启电压为4V

 —————————————

第一章习题小结 

 判断填空

一、

二极管最大整流电流是正向电流的平均值

温度升高，二极管正向结电流增加，反向结电流增加

晶体三极管发射区掺杂浓度最高，基区掺杂浓度最低

击穿一般是电压击穿

场效应管工作时只有一种载流子（多子）导电

结型，栅源加反相电压才使RGS增大

（12）改成N沟道结型就对了

（15）场效应管的饱和区是恒流区

二、

（1）掺杂浓度        温度  （2）p  空穴  自由电子 （3）负  正  （4）削弱  大于  变窄

（5）齐纳 雪崩（6）单向导电性        I_{F}        U_{R}        U_{R}     I_{F}   （7）电流型        电压型

（8）正偏  反偏（9）大  好（10）恒流区

 —————————————

第二章

静态和动态分析

静态电路：

uBE->iB->iC->uCE

动态电路：

输入电阻是信号和内阻往里看【RB‘和rbe+（1+β）RE】；输出电阻（【只有求电阻时】理想电流源和负载相当于断路）【剩下的电阻】

求放大倍数时：ui输入（已知Ib所以用rbe那条线求）【不带RS】；u0输出（已知βIb所以用并联求）【带RL】(由于io不知，RC分路电流不知)

三种放大电路特点

输入电阻（信号拾取能力）【只电阻】

Ri大了好，RS小了好

输出电阻（带负载能力）【电阻串联信号】

Ro小了好，RL大了好

共射：输入电阻小，输出电阻大，放大能力强（电流电压增益都高）【构成多级】

共集：输入电阻最高，输出电阻最小，只放大电流【输入、输出、中间缓冲级】

共基：输入电阻小，输出电阻大（与共射相同），只放大电压【恒流源，【通频带很宽，在高频和宽带领域】】

uBE->iB->iC->uCE

uBQ->iE->iC->uCE

输出电压得算等效电阻，输出电阻不看负载

* 静态分析-图解法

 静态分析-估算法

IC约等于ie，ib=ieq/1+\beta

直流负载估算法

 直流负载戴维南

 *电压就是分压，求等效电阻把电压源短路（所有置0）

*基本共射放大电路的原理分析

 由图解法，摆动的电压信号映射出摆动的电流小信号，此小信号不严格

 U_{CQ}=V_{CC}-i_{CQ}R_{C}所以UCQ是一个反相的波

 

 微变等效电路

 

 动态分析-等效模型

动态分析-估算法ie=（1+/Beta）ib（共射接地有Re）

ui=ib*rbe+（1+\beta）ib*Re
输入电阻：以ib为准  rbe+（1+\beta）Re
输出电阻：不算负载，左边输入电压短路
晶体管
*放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载无关

信号源内阻Rs

Aus=(Ri/Rs+Ri)*Au
场效应管
静态工作点 iDQ、UDS     电流往下

自给偏压

 

 共源
 

共漏

 

共栅

小结

 动态分析-等效电路法

 

 输入电阻的理解
Ri大分压大，Ri小分流大 （抢信号源）

 

输出电阻的理解 

Ro越小输出电压越稳定，Ro越大输出电流越稳定

 

 

 

失真分析

*最大不失真输出电压

 

 

小结 

 失真：与原有信号（期望信号）的偏差 

 截止失真：输入回路发射结无法正偏

Q点过低  现象：上面缺        解决：增加VBB

 饱和失真：输出回路集电结无法反偏

Q点过高  现象：下面缺        解决：1.输入：减小VBB，增加Rb，输出：减小iCQ，\beta减小；减小Rc使|1/Rc|增大，变抖让q往右

 

 

*基极限流电阻：当基极到发射极电压大于二极管开启电压（硅0.6，锗0.4）时二极管导通，如果用大于的电压去驱动它，那正向电流就会超出三极管的允许值

基本放大电路三种接法

共谁就是谁的电位直接有，无负载，交流时是接地的

 共射

 输入输出隔开

 共集

 输出电阻独立源短路受控源保留

含有集电极电阻不受影响 

 

共基

 

 

第二章习题

知识点：

选择：

在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是：相位相同，幅度相似

有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大，在负载开路的条件下测得A的输出电阻小。这说明：输入电阻小。

判断：

放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作  对

普通二极管的正向伏安特征也具有稳压作用  对

放大电路的电压放大倍数和电流放大倍数一定都大于1   错

射极支路接入电阻Re的目的是为了稳定静态工作点   对

分压式电流负反馈共发射极放大电路是能够稳定静态工作点的一种放大器 对

晶体管的输入电阻rbe是一个动态输入电阻，故它与静态工作点无关  错

*通交阻直，交短直短 

 输入输出信号是否能传递，动态静态分析信号是否会被接地

阻容耦合电路，基极和集电极上都有限流电阻 
*基极：当基极到发射极电压大于二极管开启电压（硅0.6，锗0.4）时二极管导通，如果用大于的电压去驱动它，那正向电流就会超出三极管的允许值

 

 *单管放大电路

 

 

 

 静态工作点iBQ、iCQ、UCEQ、UBEQ

 先算电位，UBQ，UEQ，UCQ

 

 

 

 

第三章 

 差分放大电路

差模信号和共模信号

差模：大小相同（极性相反，相位相反）

 

 两次流过所以2倍ie

共模信号等效电路

 

 左边电流增加，右边电流减小；Re点电位不变，Re相当于短路

差模信号的等效电路

 动态参数

 双端：接在两个端口之间

单端：接一个端口，另一个接地

 

 

动态负载分成两个，一边电流增加，一边电流减小时，相当于短路 ，从中间短路

 

第五章 放大电路中的反馈 

同相输入端是指，输入电压与输出电压同相；

反向输入端是指，输入电压与输出电压反相；

期望的在最右边，输入在左，实际输出再回来和输入比较；假如输入10V实际输出9V， 再回来做差为1V，1V增加在实际输出上

 暂时只研究电阻

 反馈的类型

*有无反馈的判断 
 *正反馈/负反馈的判断
 *直流反馈/交流反馈的判断
*局部反馈/级间反馈的判断

 *

 

 左下因为差模信号，电流减小

 *小结

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第七章 信号的运算和处理 一、分别求解图示各电路的运算关系。 二、试分别求解图示各电路的运算关系。 三、写出图示电路的运算关系。 四、在图示电路中，A1、A2为理想运算放大器，求Uo的表达式。 第八章 波形的发生和信号的转换 一、改错：改正图示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。 二、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。 三、 判断图P8.5所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。设图（b）中C4容量远大于其它三个电容的容量。 四、在题三图中 （1）若去掉两个电路中的R2和C3，则两个电路是否可能产生正弦波振荡？为什么？ （2）若在两个电路中再加一级RC电路，则两个电路是否可能产生正弦波振荡？为什么？ 五、电路如图所示，试求解： （1）写出这是什么振荡电路； （2）RW的下限值； （3）振荡频率的调节范围。 六、某同学连接了一个如图所示的文氏电桥振荡器，但电路不振荡。 （1请你指出电路中的错误，并在图中加以改正； （2）若要求振荡频率为480Hz，试确定R的阻值。 七、分别标出图中各电路中变压器的同铭端，使之满足正弦波振荡的相位条件。 八、试分别写出图示两个比较器的名称，求出阈值电压，画出电路的电压传输特性。 第六章 放大电路中的反馈 一、判断图示各电路的反馈类型，若是负反馈，写出各个电路的反馈系数 表达式，并写出深度负反馈条件下电路的闭环电压放大倍数 的表达式，。写出每个负反馈电路的特点。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 二、在图示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0 V。 1．若使电压增益Auf = 10，确定Rf = ？ 2．求最大不失真输出时的PO、PT、PV和 以及最大不失真输出功率时的输入 电压幅值为多少？ 第三章 多级放大电路 3.1 判断图示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。画出电路的小信号等效电路，计算放大器的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数 第二章 基本放大电路 一、 电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ＝0.7V。利用图解法求出静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。 二、已知图示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ （3）若ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值各为多少伏？ 三、设图示电路所加输入电压为正弦波。试问： （1） = / ≈? = / ≈? （2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形； 四、放大电路如图所示，已知三极管的 ， ， ， ， ， ，求 （1）.静态工作点； （2）电压放大倍数； （3）电路的输入电阻、输出电阻； （4）最大不失真输出电压幅值； 五、 已知图示电路中晶体管的 ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧； （2）若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？ 六、电路如图所示，晶体管的＝100， =100Ω。 （1）求电路的Q点、 、Ri和Ro； （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 图P2.13 第一章 常用半导体器件 一、 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与 uO的波形，并标出幅值。 二、 电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。 三、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 差分放大电路 一、电路如图所示，T1管和T2管的β均为40，rbe均为3kΩ。试问：若输入直流信号uI1=20mv，uI2=10mv，则电路的共模输入电压uIC=？差模输入电压uId=？输出动态电压△uO=? 二、图示电路参数理想对称，晶体管的β均为50， =100Ω，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad、Ac、KCMR、Rid和ROd。 三、试写出图示电路Ad和Ri的近似表达式。设T1和T2的电流放大系数分别为β1和β2，b-e间动态电阻分别为rbe1和rbe2。 四、 电路如图所示，T1和T2的低频跨导gm均为2mA/V。试求解差模放大倍数、输入电阻和输出电阻。 功率放大电路 一、电路如图所示。已知T1组成的共射放大器的电压放大倍数为－50，输入电压uI为正弦波，T2和T3管的饱和压降忽略不计。 （1）若Ui＝10mv(有效值)，RL＝8Ω，则PO、PT、PV和 各为多少？ （2）在不失真的情况下，输入电压最大有效值Uimax为多少伏？最大输出功率POm为多少？ 二、在图电路中，已知VCC＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，输入电压足够大。试问： （1）最大输出功率Pom和效率η各为多少？ （2）晶体管的最大功耗PTmax为多少？ （3）为了使输出功率达到Pom，输入电压的有效值约为多少？
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模电复习ppt
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................ 转载于:https://www.cnblogs.com/296389183yy/p/10105110.html
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