背景：使用siliconsamrt的SBA方法对TSMC28nm单元库的一个反相器单元INVD1P5BWP30P140进行LVF特征化。
问题1：configure阶段出现子电路找不到
X-instance中找不到XMM1的nch_mac子电路，因此跳过了将子电路名称添加到model名称的过程
解决1：尝试修改configure文件的子电路设置语句——失败 同样的报错
猜想：.l文件中单单对nch_hv18_mac、pch_hv18_mac定义了许多子电路类型，我在configure文件中设置子电路类型应该从总的nch\pch_hv18_mac进入到更详细的子电路中？
解决：将标准单元的sp文件的nch_mac改为nch_hv18_mac即可
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问题2：simple_param_screening0 statistical_delay_I_hl_ZN_hl_ACQ_1
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问题3：delay_I_hl_ZN_hl_ACQ_1
对于该子电路，输入I输出ZN，对setup和hold建模生成LVF格式特征化单元库，问题在于ACQ_1,即获取时间问题
这里我的理解是获取时间是setup和hold都需要的一段时间，这段时间在统计建模中需要根据统计参数，读取标准单元库和统计SPICE库（并进行仿真？）得到，但是标准参数的设置有问题，最终问题转化为参数的设置。
新问题：对时序弧建模，该设置哪些参数？
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问题4：统计SPICE模型，Macro model、Mmismatch Parameters
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对比tcbn28hpcplusbwp30p140ffg0p88v0c.lib两个单元
28 纳米体硅工艺的高性能紧凑型工艺库，适用于 PMOS 晶体管，具有 30.140 mA 的驱动能力，ff工艺角，0.88V 的栅极电压，并且在 0°C 的温度下工作。
cln28hpcp_hv_1d8_eld_v1d1_2p1.l 描述了一个 28 纳米 CMOS 逻辑工艺的高性能紧凑型工艺库，适用于 NMOS 和 PMOS 晶体管，具有高电压特性（1.8V 和 2.1V），增强型低功耗高密度设计，并且是版本 1.1
cln28hpcp_hv_1d8_eld_v1d1_2p1_shrink0d9_embedded_usage.l 描述了一个 28 纳米 CMOS 逻辑工艺的高性能紧凑型工艺库，适用于 NMOS 和 PMOS 晶体管，具有高电压特性（1.8V 和 2.1V），增强型低功耗高密度设计，并且是版本 1.1。此外，这个库还经过了 0.9 倍的缩小，适用于嵌入式应用场景。
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全局工艺参数应该细化为多个局部参数，每个参数都是呈统计分布的；
这是不是可以认为siliconsmart中设置统计参数实际是设置全局参数？
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crn28hpcp_1d8_eld_v1d0_2p2.l 中子电路nch_mac位置位于.LIB Total 但是我设置的是.LIB FF_RFMOS
猜想：因此.sp中的子电路名称是否要改为FF_RFMOS中的子电路名称？
cln28hpcp_hv_1d8_eld_v1d1_2p1.l中子电路nch_hv18_mac位置位于.LIB Total_hv18的Macro model
猜测：以上两个.l文件中的子电路定义都只是定义了子电路的参数 这些参数并不是用于统计表征的参数，因此用于统计表征的参数应该是再该文件的其它小库中，带有AGAUSS形式的参数
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问题：进行LVF表征会出现以下任务失败的情况
-timing存在时会出现delay_I_lh_ZN_hl_ACQ_1失败的情况 没有timing则不会出现（不会对这个弧仿真？
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问题：再configure脚本中设置这两个工艺库会出现第二个找不到的情况
猜想：应该不是找不到这个工艺库 而是去这个工艺库中找我设定的以下工艺参数找不到 所以进不去（感觉不太可能 这里明显说的是库找不到
以上参数par1等是我在下面的库中搜到的 唯一适合AGAUSS形式的参数
猜想：我把FFGlobalCorner_Local_MOS_MOSCAP注释掉试一下
结果：注释掉成功运行 没有error 但是存在以下warning
报告显示测量得到的时序弧的delay于输入delay相差过大/过小，应该是参数设置不正确
或者是：仿真模型与实际器件特性不匹配/库文件中的数据不准确或过时/仿真设置不正确
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猜想：我的configure结构没什么问题，是可以跑出框架的，但是可能netlist和SPICE model不匹配
我将参数修改为.l文件中LIBRARY OF FF CORNER CASE库中的.LIB FF_BIP 的par_bjtp1\par_bjtp2参数（但是这个库是针对双极晶体管的 我的管子是CMOS 应该不对）
结果：一样的错误
猜想：.LIB FF_CMOS在哪？？？
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netlist形式：
根据子电路形式，去.l文件中寻找具有该子电路形式的.lib 把该lib中的参数调出来
v1d0文件中有且仅有这一个库的子电路是nch_mac形式
再按照该lib的名称去Total工艺库中寻找对应的参数
但是该.l文件中只有这个一个库名称为Total 因此调用该库中的参数
尝试mismatch参数 Total中的参数没有sigma
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另一个思路：去FF_RFMOS库中找子电路形式，将.sp文件的子电路形式修改为该形式
但是FF_RFMOS中没有子电路形式，参数都是分散参数，也没有agauss形式的参数
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转换思路，Total中也没有agauss的参数，那么我去有agauss参数的库用这个库里面的参数，并把.sp中子电路的形式改成这个库子电路的形式
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