【模电】模电笔记——自学视频跟随B站郑益慧老师

      概述

        笔记内容B站上海交通大学 郑益慧主讲【电子】模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲

教科书参考模拟电子技术基础清华大学第五版。内容根据视频来记录并保持更新ing。

绪论:

        1904年,世界上第一只真空电子二极管在英国物理学家弗莱明的手下诞生,电子技术的时代开始了。

PN结的形成:

概念:

        半导体:导电性能介于导体与绝缘体之间

        本征半导体:化学成分纯净的半导体,它在物理结构上呈单晶体形态。

        自由电子:在热运动作用下,价电子挣脱共价键束缚成为自由电子。

        空穴:自由电子挣脱后在共价键中留下的空位置称为空穴。

        载流子:自由电子、空穴称为载流子。

        本征激发:自由电子脱离共价键的过程。

        复合:自由电子与空穴结合的过程。与本征激发互为反运动。

本征半导体:

                                          本征半导体结构示意图

        特点:  

        Si原子的四个价电子与相邻的Si原子的四个价电子共同组成共价键。

        这些价电子被共价键束缚,需要摆脱共价键的束缚成为自由电子,才能够导电。

        本征激发:

        半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。

        当一定温度下本征激发过程形成的自由电子和空穴对,与复合的自由电子与空穴对数量相等,故达到了动态平衡。

        受温度影响很大,温度升高则载流子浓度升高;反之温度降低则载流子浓度降低。

杂质半导体:    

        随着扩散工艺的发展,通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便得到了杂质半导体

N型半导体:

        本征半导体掺入五价磷元素,使其取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。外围空间存在五个电子,其中四个电子与Si原子四个电子组成共价键,另外一个成为自由电子。(此时固定在晶格里的P成为带正电的磷离子,不导电)Negative(负电)。自由电子浓度大于空穴浓度。自由电子为多子,空穴为少子。

P型半导体:

        本征半导体掺入三价硼元素,使其取代晶格中硅原子的位置形成P型半导体。外围空间存在三个电子,其中三个电子与Si原子三个电子组成共价键,另外Si原子还剩一个没有构成共价键的空穴,Postive(正电)。空穴浓度浓度大于自由电子。空穴为多子,自由电子为少子。

特点:

        多子受温度影响极小,由掺杂浓度决定。

        少子受温度影响极大,由本征激发(热运动)决定。

PN结:

        采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。

扩散运动:

        在PN结交界区多子从浓度高的地方流到浓度低的地方成为扩散运动

        当把P型半导体和N型半导体制作在一起时,在它们交界面,两种载流子浓度差很大,因而P区的空穴必然向N区扩散,N区的自由电子也必然向P区扩散,扩散到P区的自由电子与空穴复合,而扩散到N区的空穴与自由电子复合,所以交界面附近多子浓度下降,P区出现负离子区,N区出现正离子区,它们是不能移动的,称为空间电荷区,也称为耗尽层。

PN结的形成

漂移运动:

        在电场力运动下,载流子的运动称为漂移运动。

        当空间电场区形成以后,少子(N区的空穴,P区的自由电子)在内电场作用下空穴从N区向P区移动,自由电子从P区向N区移动。

PN结的形成

        再无外电场和其他激发作用下,参与扩散作用的多子与参与漂移运动的少子数量相同,从而达到动态平衡,形成空间电荷区(耗尽层),即形成了PN结。

对称结与不对称结

        当P区、N区掺杂杂质浓度相同时,形成的P区N区耗尽层宽度相同,称为对称结。

        当P区、N区掺杂杂质浓度不相同时,形成的P区N区耗尽层宽度不相同,称为非对称结。

浓度越高的一侧耗尽层宽度越窄,浓度越低的一侧耗尽层宽度越宽。

PN结单向导电性

PN结两端加正向电压

        

        当电源的正极接到PN结的P端,且电源的负极接到PN结的N端时,称为PN结外加正向电压。此时外电场将多子源源不断的推向耗尽层,使得耗尽层变窄,多子的扩散运动加剧,从而形成正向电流,PN结导通。

        此时电流迅速扩大,因而应在它所在的回路中串联一个电阻,以限制回路中的电流,防止PN结因正向电流过大而损坏

PN结两端加反向电压

        当电源的正极接到PN结的N端,且电源的负极接到PN结的P端时,称为PN结外加反向电压。此时外电场使得耗尽层变宽,加强了内电场,阻止扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流,由于少子数量很少,因此反向电流很小,所以近似分析中常把它忽略不计,认为PN结外加反向电压处于截止状态。PN结截止。

PN结伏安特性曲线

PN结电流公式

        PN结所加在两端电压u与流过它的电流i的关系如上图,Is为反向饱和电流,Ut为温度当量,常温下为26mV。

PN结的正向特性

        存在死区Uon,死区Uon大小由基材决定,Si做基材导通电压为0.6~0.7V,Ge做基材导通电压为0.2~0.3V

PN结的反向特性

反向电流:

        Si做基材反向电流小于Ge做基材时的反向电流。

反向击穿:

        当反向电压超过一定值Ubr后,反向电流急剧增加的现象,按照机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种。

雪崩击穿:

        PN结掺杂浓度低时,PN结宽度在外电场作用下不断加长,少子在电场力作用下不断加速撞击共价键,载流子不断增加类似“雪崩”一样,导致电流急剧增加。

        温度越高,雪崩击穿需要的电压越高:因为温度越高,离子在晶格内震动越剧烈,电子加速过程中被干扰的几率越大,所需要的电场力就越大,电压就越高,才能满足加速要求

齐纳击穿:

        PN结掺杂浓度高时,电场强度大,多子多,直接破坏共价键,使得价电子脱离共价键束缚,这种击穿称为齐纳击穿。

        温度越高,齐纳击穿所需要的电压越低

掺杂浓度对反向击穿电压的影响:

        掺杂浓度越低,反向击穿电压越高;掺杂浓度越高,反向击穿电压越低。通过不同掺杂浓度,控制器反向击穿电压。

PN结的电容效应

电容

        电容反应电荷量与电压的关系,电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值,叫电容器的电容。

势垒电容

        当PN结外加反向电压时,耗尽层宽度与电压变化存在一定关系,电压越大,耗尽层电荷量越大。

扩散电容

        PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。PN结处于正向电压时,从P区扩散到N区的空穴与从N区扩散到P区的自由电子均称为非平衡少子。

        当PN结外加恒定正向电压时,靠近耗尽层交界面的地方非平衡少子浓度高,而远离交界面的地方浓度低,且浓度自高到低逐渐衰减直到零。

         如图所示,当PN结外加不同正向电压时,2为在1的基础上增大电压,P区少子 浓度增大,3为在1的基础上减小电压,P区少子浓度减小。因此在电压升高时,电荷量增大,电压降低时,电荷量减少。

半导体二极管

定义:

        将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了二极管。PN结外壳相当于体电阻。

二极管的伏安特性

1、由于二极管存在体电阻,外加正向电压时,二极管的正向电流小于PN结的正向电流。

2、封装外壳存在泄露电流,因此外加反向电压时,二极管的反向饱和电流比PN结的大。

3、温度升高,二极管正向特征曲线左移,反向特征曲线下移。室温附近,温度每上升1℃

正向压降减少2~2.5mv,温度每上升10℃,反向电流Is增加一倍。

二极管的主要参数

最大整流电流If

If是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。

最高反向工作电压UR

UR是二极管工作时允许外加的最大反向电压,通常UR为击穿电压的一半

反向电流IR

IR是二极管未击穿时的反向电流,IR越小,二极管的单向导电性越好

最高工作频率fM

由于二极管有结电容的存在,频率超过此值,二极管单向导电性逐渐消失,结电容会类似一根导线连接到二极管两端

二极管等效电路

伏安特性折线化

图一:

        导通时正向压降为0,截止时反向电流为0。

图二:

        实际中使用更多,表明二极管导通时正向压降为一个常量Uon。

图三:

        在图二的基础上加入了电阻,使得其电流I与U成线性关系。

注:

        理想二极管用空心的二极管符号表示

限幅电路

        二极管导通后,将输出电压限定幅值,表现为将正弦信号削顶。

        运用二极管特性:一:单向导电性。二:正向导通后电压几乎不变。

整流电路

        运用二极管正向导通,反向截止特性实现整流。

直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路

        通过直流电压源将二极管推至导通状态,再查看交流电压的作用。

 二极管微变等效电路

        如上图,当交流电压源比较小时我们通过直流电压源将二极管推至导通状态,那么交流与直流电压源叠加状态下二极管两端电流如何分析?请看如下部分。

         经推导后得到二极管等效为动态电阻rd,rd与当前ID与温度当量有关,

         如下图二极管用rd替代,直流电压源去掉只保留交流电压源。

        通过二极管的总电流 = ID + id;

稳压二极管

稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围,端电压几乎不变,表现出稳压特性。

稳压二极管伏安特性曲线及符号

稳压二极管主要参数

1、稳定电压Uz;Uz是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

2、稳定电流Iz;Iz是稳压管工作正稳压状态时的参考电流,电流低于此值时稳压效果变坏。

3、稳定功耗Pzm;Pzm等于稳压管的稳定电压Uz与最大稳定电流Izm的乘积,稳压管的功耗超过此值时,会因结温升高而损坏。

4、温度系数α;α表示温度每变化1℃稳压值的变化量,即α = ΔUz / ΔT。稳定电压小于4V的稳压管具有负温度系数(属于齐纳击穿),即温度升高稳压值下降;稳定电压大于7V的稳压管具有正温度系数(属于雪崩击穿),即温度升高时稳定电压值上升;

例题

已知Uz = 6V,R = 0.2K,Rl = 0.8k,求IDZ,当R = 0.8K,Rl = 0.2k时有何不同?

 解:第一种情况先假设稳压管反向截止,Rl两端由于分压作用分得8V电压,则大于Uz,假设不成立,因此稳压二极管反向击穿稳压在6V,那么R两端电压为10 - 6 = 4V,IR为20mA,IL为7.5mA,则IDZ为12.5mA。

        第二种情况先假设稳压管反向截止,Rl两端由于分压作用分得2V电压,小于Uz,假设成立,稳压二极管无电流通过。

稳压二极管注意

        稳压二极管同样需要限流电阻,防止电流突变损坏电路。根据稳压管伏安特性曲线得到稳压过程中电压的微小变化相应的电流变化会在Iz~Izm之间,该电流一定要在限流电阻作用下防止电路损坏。

 晶体三极管

定义     

  晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电,故称为双极型晶体管(BJT)。

                                                         晶体管结构及符号

晶体管结构及其类型

        (a)图所示为NPN型晶体管,位于中间的是P区,它很薄且杂质浓度很低;位于上层的是N区发射区,由于要发射电子,所以掺杂浓度最高;位于下层的是N区集电区,面积很大。

        (b)图所示为NPN型晶体管结构示意图,发射区与基区间的PN结称为发射结,基区与集电区间的PN结称为集电结。

        (c)图所示为NPN型与PNP型管的符号。

正偏:也叫正向偏置,指的是PN结正向导通。

反偏:也叫反向偏置,指的是PN结反向截止。

由基本共射放大电路分析晶体管内部载流子运动

图1
图2

共射放大电路

图1中Δu1为输入电压信号,接入基极——发射极回路,称为输入回路;放大后的信号在集电极——发射极回路,称为输出回路,由于发射极是两个回路的公共端,因此称为共射放大电路。使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏且集电极反偏。

注:Rb为限流电阻,PN结正向导通以后,按照二极管伏安特性曲线,电流会激增,所以加入该电阻使得最大电流得到限制。     

现象  :小的基极电流Ib控制大的集电极电流Ic,放大系数为β。能量不会凭空放大,因此Ic能量来自Vcc。

图2中晶体管内部载流子运动示意图

1、发射结加正向电压,扩散运动形成发射极电流Ie

由于发射结加正向电压且发射区杂质浓度很高,大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。同时空穴也从基区向发射区扩散,但由于基区杂质浓度低,近似忽略基区空穴形成的电流。

2、扩散到基区的自由电子与空穴复合运动形成基极电流Ib

由于基区很薄,杂质浓度很低且集电结加反向电压如同抽水泵一样的存在,所以扩散到基区的电子只有少部分与空穴复合,其余部分均作为基区的非平衡少子到达集电结,由因为电源Vbb的存在,电子与空穴的复合运动不断进行,形成基极电流Ib

3、集电结加反向电压,漂移运动形成集电极电流Ic

由于集电结加反向电压,基区内由发射区过去的电子会在电场力作用下越过集电结到达集电区,形成漂移电流Ic,与此同时集电区与基区的平衡少子也参与漂移运动,但数量很少可以忽略不计。

共射电路晶体管放大系数

 共基电路晶体管放大系数

由于Ie = Ic + Ib;得到α = β / (1 + β)

 Iceo:穿透电流

当基极开路(Ib = 0)时,在集电极电源Vcc作用下的集电极和发射极之间形成的电流。

 晶体管共射特性曲线

区别于二极管特性曲线,晶体管共射特性曲线需要包含输入和输出两部分。

输入特性曲线

说明 :输入特性曲线指的是发射结正偏,和二极管加正向电压一样,但前提是Uce是常数(控制变量法)。当Uce增大时,相当于集电极抽水泵加大,吸引电子能力增大,则想要获得同样的电流Ib就需要更大的Ube电压。

场效应管

优势:

相比于晶体三极管来讲,无需输入电流来启动晶体三极管,减少了损耗,同时噪声低、热稳定性好,抗辐射能力强能有点。

分类:

结型和绝缘栅型两种结构。

结型场效应管:

有N沟道和P沟道两种类型。

 

 N沟道结型场效应管中在同一块N型半导体上制作两个高掺杂P区,并将它们连接起来,引出栅极g

N型半导体两端分别引出两个电极,分别是漏极d,源极s

栅极:载流子的控制极
源极:载流子的发源地
漏极:载流子的漏出处

在Uds = 0时,Ugs加反向电压则随着电压增大,耗尽层宽度增加,如图(b)。又由于N区本身导电,所以随着Ugs增加沟道宽度变窄,类似导电电阻变大,也就控制了漏源之间的导电性。当Ugs加到一定程度后沟道消失,电阻无穷大,此时Ugs称为夹断电压Ugs(off),如图(c)。

当Ugs在(Ugs(off)~0)之间探索Uds对漏极电流id的影响。

 Uds加的越大,则d侧在抽电子,或者理解为不断输入d极空穴,则d区两侧耗尽层宽度不断增加。会出现预夹断效应,则Id此时电流大小不变,其大小只取决于Ugs大小,也就实现了Ugs控制Id的作用。

绝缘栅型场效应管:

由于其栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离而得名,又称为MOS管。

其包含增强型和耗尽型两种;

增强型MOS管

以N型为例;

栅极:载流子的控制极
源极:载流子的发源地
漏极:载流子的漏出处

包含P衬底、N+表示高掺杂。

使用时通过栅源电极Ugs与漏源电极Uds来触发MOS管。

当Uds = 0,Ugs>0时,P衬底在Ugs电场下吸引电子靠近,形成耗尽层,Ugs越大,吸引电子越多,耗尽层越厚,Ugs越小,则耗尽层越薄,耗尽层则构成了漏源之间的导电通道,同时耗尽层薄厚代表了漏源之间的电阻的大小。

开启电压Ugs(th):表示导电沟道刚刚形成时的最小电压。

 Uds逐渐增大时s点电势为0,g点电势为Ugs,d点电势为Ugs - Uds,所以当Uds逐渐增大,d处耗尽层逐渐变短,当Ugd = Ugs(th)时则沟道在漏极一侧出现夹断点,称为预夹断,如果继续增大Uds,则增加的电压全部用来对抗增大的电阻,所以出现了恒流。此时电流大小与Uds无关而只与Ugs有关。

注:MOS管可以等效为滑动变阻器,Ugs作用是调该电阻的大小,源漏作用相当于在电阻上加电源。

耗尽型MOS管

特点:天生自带沟道,在SiO2绝缘层中掺入大量正离子,即使Ugs等于0,在正离子作用下也会产生导电沟道。

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