二极管的应用

一、二极管

二极管是用半导体材料（硅、锗）制成的一种电子器件，它具有单向导电性，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通，当给阳极和阴极加上返乡的电压时，二极管截至，因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。

二、PN结

N（Negative）型半导体

我们知道，硅（Si）原子最外层有4个电子，而纯净的硅晶体是不导电的，因为形成了8电子的稳定结构（即无自由电子），如图。

此时，我们如果将一个磷（P）原子（最外层有5个电子）混入其中，就会多出一个自由电子（多子），此时就形成了N型半导体。

对其施加一个方向电场，电子就会反方向移动，形成电场方向的电流。然而并不能让它具备单向导电性。所以我们还需要一个东西。

P（Positive）型半导体

我们故技重施，将“卧底”混入其中，而这次我们混入最外层有3个电子的硼（B）原子。

可以看到，硼原子最外层也不够8电子稳定结构，而形成了一个空洞，我们把它叫做空穴。此时就形成了P型半导体。

三、二极管的单向导电性

讲到单向导电性，就不得不讲PN结了。简单的讲，P结具有少数的空穴，N结具有少数的自由电子，当N结的自由电子，流去P结的空穴，此时，半导体是属于导通状态。当PN结外加反向电压，由于P结的空穴是处于不可动的状态，导致外来电子呆在空穴处，整个电路处于截止状态。

四、二极管的伏安特性曲线        

正向特性（外加正向电压，上图中X坐标的正半部分）：当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。在室温下，硅管的V th约为0.5V，锗管的V th约为0.1V。大于导通电压的区域称为导通区。当流过二极管的电流I 比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6 ~ 0.8V（通常取0.7V），锗管约为0.2 ~ 0.3V (通常取0.2V)。

反向特性（外加正向电压，上图中X坐标的负半部分）在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。此部分为截至区。由二极管的正向与反向特性可直观的看出：①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。

反向击穿特性： 当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿

二极管的主要作用：整流，稳压，检波，限幅