晶体管 开关|放大电路

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分类专栏： # 硬件模块 文章标签： 嵌入式硬件 笔记 学习
于 2024-08-29 16:30:24 首次发布
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三极管(双极型晶体管 BJT)

三极管是一种控制电流的半导体器件 （控制元件）

  • 两种BJT类型
    在这里插入图片描述
  • 三极管在数模电路的体现与应用
    在这里插入图片描述

NPN与PNP几种区分方法

  1. 看箭头：NPN(P型)的箭头是向外的，PNP(N型)是向里的。（相对于基极）
    记忆为P型（Positive）比较外向，N型（Negative）比较内敛
  2. 电流方向不同。
    npn最后从发射极(e) 流出
    pnp最后从基极（b）和集极（c）流出
    而且带箭头的总是"特立独行的"，只有它所在的一级 流入或流出
    在这里插入图片描述

三极管放大的物理原理(用NPN型举例) （关键）

在这里插入图片描述

把三极管看成两个PN节分析

-在这里插入图片描述

郑益慧_三极管细节分析
ps: 33：36开始分析载流子流动
1. 对于正向偏置部分(图中红色)，发射区的自由电子（较多）向基区扩散。基区空穴(较少)向发射区扩散。 （当施加的正向电压越大，扩散的粒子越多）
2. 基区，即便从发射区来的电子与空穴复合，但因源源不断的电子来基极，逐渐电子(本是少子)剧增比空穴(原多子)多。
3. 对于反向偏置部分(图中蓝色)，集电极收集自由电子。 加大漂移运动
动画演示

在这里插入图片描述

  • 补充：
  • ICEO穿透电流 ，在基极开路时的微小电流。(此时集电结和发射结都处于反向偏置状态) 郑老师_ || Icbo与Iceo 及平衡少子与非平衡少子
  • 如果集电结和发射结都处于反向偏置状态，那么发射极来的电子就会聚集（没有了强大的电场把它吸向集电极），逐渐IB电流越来越大。

对于Iceo的一些补充说明

先说结论：ICEO是假象的参数，不与某部分载流子直接对应
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

三极管的两端是一样的吗？ 为什么一个叫集极一个叫发射极

集电极这边面积更大，参杂浓度更低 (因为要收集，所以面积大，浓度小，才有位置放）
发射极这边面积更小，参杂浓度更高 （因为要发射载流子）
三极管的两端是一样的吗_bilibili

郑益慧P6

为什么每基极流出一些电子，就有一定倍数的电子发往集电极？

由于晶体管三个区的尺寸及掺杂浓度都是确定的，所以集电极电流与基极电流的比例也就固定了，这个比例就是电流放大倍数β。

我的总结可能不太准确，请参考可汗学院

  • 参考图，辅助下文
    在这里插入图片描述

晶体管的输入特性

可汗学院_十分清楚

  • iB与·Ube的·关系曲线
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要点

  1. Ube小于一定值时(如0.2v),发射结
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