基于MP2315S的BUCK电路结构分析-CSDN博客

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基于MP2315S的BUCK电路结构分析

降压原理
结构分析

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分析官方手册中的典型电路：
我将从图中圈出的 分压电阻R1 R2 前馈电容C5 RT电阻R6 自举电容C3进行分析
先介绍一下BUCK电路的降压原理：

降压原理

原理这地方我不会太详细介绍主要为了后面的结构分析做铺垫
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这是基本的拓扑结构：MOS管不断开启关断的时候电感的左边Ua会产生一个12V的方波信号然后经过电容和电感的滤波将大于5V的信号部分给滤除掉，并且填充了低电平的地方形成了一段稳定的5V的波形
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A通道是开关输出的电压波形
B通道是12V输入的电流
C通道是续流二极管的电流
D通道是电感的电流
当开关打开的时候B通道的电流是上升的而二极管不导通电流为0
当开关关闭的时候B通道的电流为0 这时二极管导通二极管电流进行放电
电感电流就是两者之和

CCM模式指的是电流连续模式：
电感的电流不会降为零即电感的最低电流大于零
满足CCM的模式话负载处于满载或重载
负载的平均电流等于电感电流最大值加最小值的一半大于电感峰值的一半（Lmax-Lmin）

DCM 指的电流不连续模式负载处于轻载
电感的电流会降为0 所以电流不连续
满足DCM的模式话负载处于轻载
负载的平均电流等于电感电流最大值加最小值的一半小于电感峰值的一半（Lmax-Lmin）
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在DCM模式下电感电流断续开关管输出端波形会有振铃现象
实际使用中更多的让变换器工作在CCM模式
DCM模式如果出现轻载模式的话为了避免振铃影响转换器效率会使用PFM调制模式

重载：当电源的输出负载较小时，电流较大，消耗的功率也较大，这种情况称为重载。在重载状态下，电源的转换效率通常较高，因为主要的功率消耗发生在后端的负载上
轻载：当电源的输出负载较大时，电流较小，消耗的功率也较小，这种情况称为轻载。在轻载状态下，电源的转换效率通常较低，因为主要的功率消耗发生在前端
PWM（频率不变，不断调整脉冲宽度）：
小负载情况下的效率较低
PFM（脉冲宽度不变，调整频率）
在重负载的情况下，其效率会明显低于PWM方式

结构分析

分压电阻反馈网络

下面来分析典型电路中的分压电阻的反馈网络
仿真图只是展示一下内部的结构不要太在于参数
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Vout输出引脚经过 R2 R3电阻分压后接入到芯片FB引脚内部的误差放大器的反相输入端
内部误差同相输入端会接入一个参考电压取决于芯片手册

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FB 误差比较器的反向输入端 = Vo×R2/R1+R2
同相输入端就是内部vref电压
通过虚短可知 Vref = Vo×R2/R1+R2
所以调整R1和R2的值就能改变输出电压Vo的大小
下面介绍一个APP能快速帮我们匹配合适的输出电压值参数
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填入想要输出的电压5V 内部Vref的值查阅手册可知为0.8V
他会为我们生成一堆匹配的电阻参数
可以看出有一列的参数是R1=7.5K R2=40K
这和手册上给出的典型降压5V的电路参数完全符合

RT电阻

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RT电阻就是VOUT的输出电压经过分压电阻之后不直接接入误差放大器而是经过了一个电阻
有些降压芯片上的典型应用会㪰RT电阻的存在有些芯片上没有
下面来解释RT电阻的作用

这里的推导过程不会详细说明直接说结论

RT电阻不会影响输出的电压输出电压只与分压电阻和参考电压有关与RT电阻无关
(1) 在带有RT电阻的DC-DC环路中，确保系统稳定的情况下，通过减小RT电阻值来适当增加环路增益，可以缩短系统的相应时间，提高系统的响应速度
(2) RT电阻值减小，环路增益变大，控制系统响应速度变快，在DC-DC电路中里面主要体现为电压突变时系统可以更快地调整过来，从而使电压纹波变小，RT电阻太小的话可能会导致环路增益偏大，在环路Bode图里幅值增益裕度不足甚至会导致系统进入不稳定工作模式
不能无脑加RT电阻要参考手册上的典型应用再决定是否添加

前馈电容

前馈电容会并联在分压电阻R1的两端
增加前馈电容等于在系统环路里面增加了一个零点，一定成都上改善了环路的相位裕度，对系统响应速度有所提升
在合理范围内适当增加前馈电容的容值可以减小暂态纹波，但前馈电容容值的变化会影响到零点的位置，进而影响到系统环路的相位
{暂态纹波：在负载电流突变时（如负载阶跃变化），输出电压的瞬时波动（过冲或下冲）}
并非所有的电源系统都需要增加前馈电容，前馈电容增加选择不当也会造成系统不稳定

系统响应速度：
电源应对突变的“敏捷程度”。
前馈电容：像一个“哨兵”，通过快速传递突变信号，让控制器提前行动，从而提升动态响应。
增大前馈电容 = 更敏锐的哨兵 → 更快的反应速度 → 更稳定的输出电压
前馈电容过大会导致环路不稳定（高频噪声被过度放大），可能引发振荡

自举电容

DCDC芯片内部都是集成了MOS管的一般分为上管和下管
NMOS管：
如果NOMS作为上管的话
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一开始NOMS导通条件只需要大于内部的开启电压Vsource就可以了
但如果这时导通之后灯泡上方的电压也会变成5V这时如果还想维持导通的状态
那这个开启电压就要大于Vs加上Vsource
把下面那个灯泡换成NMOS的话也就是说下管导通的电压比较低而上管的导通电压就会取决于输入电压如果输入是一个高电压的话那么上管就会很难导通
这时在两管之间加入一个电容连接到输入电压上
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这里的VIN就是我们输入的电压而VBST引脚会连接到输出电压引脚
当下管导通时会给这个电容充电会按照图中的黄色路径流入到地
假设这里的芯片是12V-5V的降压模式
那么这时会给电容上端电压充电充到5V 下端是0V
切换上管导通
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这时VIN直接通过上管到SW引脚流出电容下端电压会等于VIN电压也就是12V
电容两端电压从上5V 下0V 变成上5V 下12V
由于容两端电压不能突变还会保持之前的5V差值所以这时电容两端电压会变成上17V 下12V
电容上端是连接我们上管的栅极的
所以此时17V的栅极大于12V的源极两个NOMS管都可以稳定导通