- 博客(5)
- 收藏
- 关注
原创 模拟电子技术笔记3:三极管的结构与放大原理
双极晶体管(BJT)由发射区、基区和集电区构成,包含两个PN结(发射结和集电结)。当发射结正偏、集电结反偏时,晶体管具有放大作用,其电流关系为I_E=I_C+I_B。共射放大电路通过β值(直流/交流放大系数)实现电流放大,输出特性分为放大区、截止区和饱和区。温度变化会影响晶体管特性,如I_CBO随温度升高而增大。光电三极管则利用光信号实现控制。笔记内容基于郑益慧老师的课程整理而成。
2025-08-28 14:33:06
2363
原创 模拟电子技术学习笔记2:PN与二极管的特性和稳压二极管
本文主要介绍了PN结二极管和稳压二极管的特性与应用。二极管伏安特性受温度影响显著,温度每升高1℃,正向压降减小2-2.5mV;每升高10℃,反向电流增大一倍。文章分析了二极管的等效电路、微变等效模型及交直流叠加电路的计算方法。稳压二极管通过工作在反向击穿状态实现稳压功能,使用时需注意散热和限流电阻的设计。不同击穿机制(齐纳击穿和雪崩击穿)具有不同的温度系数特性。文中还包含二极管主要参数和实用电路分析,为电子电路设计提供了理论基础。
2025-08-24 21:13:11
1890
原创 模拟电子技术学习笔记1:PN结的形成
本文为模拟电子技术学习笔记,主要介绍了半导体基础知识和PN结特性。内容包括:本征半导体的晶体结构、载流子(自由电子和空穴)的形成与复合;N型和P型半导体的掺杂原理及温度对少子的显著影响;PN结的形成过程、单向导电性原理及其电流方程;PN结的正反向伏安特性和反向击穿机制(雪崩击穿与齐纳击穿);以及PN结的两种电容效应(势垒电容和扩散电容)。笔记结合图示和公式,系统阐述了半导体器件的基本工作原理。
2025-08-22 14:03:51
2197
原创 嘉立创EDA设计学习笔记
本文整理了PCB设计学习笔记,主要内容包括:1.元件数据手册的查阅方法(立创商城/半导小芯)和重点阅读内容(特性、引脚、规格等);2.原理图四大要素(连接线、结点、网络标签、注释);3.电路基础知识(基尔霍夫定律、集总参数电路);4.PCB设计要点(铺铜连接、过孔焊盘、层叠结构);5.特殊元件处理(晶振需差分对布局和地过孔屏蔽)。如侵权请联系删除。
2025-08-22 13:38:11
413
原创 离散数学思维导图
【离散数学思维导图分享】包含集合论、图论、逻辑与证明等核心内容,已上传百度网盘。获取方式:点击链接(https://pan.baidu.com/s/1btpk7gihVLho1LqZn3wHoQ)或输入提取码1598。适合计算机/数学专业学生系统复习使用,思维导图形式帮助快速掌握知识框架。(49字)
2025-06-11 13:17:44
399
空空如也
空空如也
TA创建的收藏夹 TA关注的收藏夹
TA关注的人
RSS订阅