模拟电子技术基础学习-第0章绪论、第1章常用半导体

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第0章绪论

信号：反应消息的物理量。

电信号:随时间变化的电压或电流。

模拟信号具有连续性，数字信号具有离散性。

第1章常用半导体

1.1常见半导体

1.1.1本征半导体：纯净半导体，导电性介于导体和绝缘体之间。

载流子：运载电荷的粒子，导电导体中只具有自由电子一种载流子，本征半导体中具备自由电子和空穴两种载流子。

本征激发：由于热激发使得半导体内的自由电子离开空穴成为自由电子和空穴对的过程。

复合：自由电子在运动过程中遇到空穴并填补到其中，二者同时消失的过程。

在一定温度下本征激发和复合两个过程会达到动态平衡使得半导体内部的载流子浓度保持一定值。载流子浓度公式为：

$n_{i}=p_{i}=K_{1}T^{\frac{3}{2}}e\frac{-E_{GO}}{(2kT)}$

上式中 $n_{i}$ 与 $p_{i}$ 表示半导体自由电子与空穴浓度、T为热力学温度、k为玻尔兹曼常数、 $E_{GO}$ 是热力学零度时需要破坏共价键所需要的能量，又称为禁带宽度， $K_{i}$ 是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度的有关常量。

当热力学温度T等于零时，半导体内载流子浓度为零即成为绝缘体，反之在一定程度下，温度越高半导体导电性越强。

1.1.2杂质半导体：利用扩散工艺、在本征半导体内掺入少量合适杂质元素。

N型半导体：在半导体中掺入五价元素（如磷），使他们代替晶格中硅原子的位置。

在N型半导体中自由电子浓度大于空穴浓度，我们称多数载流子为多子，少数载流子为少子。

N型半导体靠自由电子导电，其中杂质原子提供的电子，称为施主原子。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强。

P型半导体：在半导体中掺入三元素（如硼），使他们代替晶格中硅原子的位置。

在P型半导体中空穴浓度大于自由电子浓度。

P型半导体靠自由电子导电，其中杂质原子提供的空穴，称为受主原子。掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强。

在杂质半导体中，由于多子数目大大增加，这使得其与少子复合概率极大。正常情况下，我们可以认为多子浓度约等于掺杂原子浓度，少子浓度非常低但由前载流子浓度公式可知其容易受到温度影响，这将影响到半导体的性能。

1.2PN结：当P型与N型半导体制作在同一硅片上时，其交界部分形成PN结

1.2.1PN结的形成

扩散运动：物质自发的从浓度高区域向浓度低区域移动。

在P型、N型半导体制作在一起时，P型半导体中的空穴和N型半导体的自由电子会由于扩散运动移动到彼此的区域内而得到电子的受主原子成为负离子，失去电子的施主原子成为正离子，进而在形成正负离子区即空间电荷区也称作耗尽层，正负离子区之间会产生电压差。

漂移运动：载流子在电场作用下的运动。

空间电荷区的电压差会产生漂移运动，这与扩散作用的运动方向相反，起初扩散运动强于漂移运动，电压差逐渐增大。当由于扩散运动产生的电压差足够大时，电压差产生的偏移运动会与扩散运动达到动态平衡，电压差不再变化，形成PN结，此时空间电荷区会产生一个存在电压差但无电流的区域。

对称结：P、N区杂质浓度相等时，正负离子区宽度也相等产生的PN结。

不对称PN结：P、N区杂质浓度不相等时，正负离子区宽度也不相等产生的PN结。

对称结、不对称PN结的外部特性一致。

1.2.2PN结的单向导电性

正向电压（又称正向接法或正向偏置）：使外置电源的正极接入PN结的P端，负极接入PN结的N端时。

此时电源将大量多子推入空间电荷区，这使得载流子的扩散运动加剧且漂移运动减弱、正向电流导通。由于正向导通的压降极小（零点几伏），需要串联一个电阻防止电流过大导致PN结损坏。

反向电压（又称正向接法或正向偏置）：使外置电源的正极接入PN结的N端，负极接入PN结的P端时。

此时电源吸收大量多子，这使得载流子的偏移运动加剧而扩散运动停止。由于漂移运动用少子完成，产生电流非常微弱，故可以认定为反向截止。

通过总结分析可得出PN结所加电压u与流过电流i的关系：

$i=I_{s}\left ( e^{\frac{qu}{kT}}-1 \right )$

其中 $I_{s }$ 为反向饱和电流、q为电子的电量、k为玻尔兹曼常数、T为热力学温度。令 $U_{t}=\frac{kT}{q}$ ，称之为温度的电压当量，常温下约为26mV。

1.2.3PN结伏安特性

PN结的伏安关系可知，当我们外接正向电源时， $u> >U _{t}$ , $i\approx I_{s}e^{\frac{u}{U_{t}}}$ 即按照指数变化。当我们外接反向电源时， $\left | u \right |> >U _{t}$ , $i\approx -I_{s}$ ，即稳定为一个极小的数。通过计算与测验可得到PN结的伏安特性图：

反向击穿：当反向电压超过一定的数值之后，电流会急剧增大。

齐纳击穿：高掺杂浓度情况下，耗尽层较窄，不大的反向电压就可以形成很强的电场，导致共价键直接被破坏，产生大量载流子导致电流急剧增大。

1.2.4PN结的电容效应

势垒电容 $C_{b}$ （反偏显著）：当我们接入反偏电压时，在不击穿的情况下，空间电荷区的宽度与我们接入电压成正比，其内部电荷量同样成正比，这与电容特性类似，该变化是非线性的。通过这一特性，可制成变容二极管。

平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子。

非平衡少子：PN处于正向偏置时，偏移的到另一侧的少子。

扩散电容 $C_{d}$ （正偏显著）：当我们接入正偏电压时，接入的电压越高耗尽层两侧的少子浓度就越高，在相同的情况下，少子浓度高其电荷量同样也高，可以得出少子电荷量与外接电压成正比，这与电容特性类似，该变化是非线性的。

PN结电荷电容 $C_{j}=C_{b}+C_{d}$ ，由于 $C_{b}$ 和 $C_{d}$ 都比较小（一到几百皮法），对于低频信号作用基本可以忽略不计，对较高频率需要考虑结电容的作用。

1.3半导体二极管：PN结用外壳封装并加上电极引线，P为阳，N为负

1.3.1常见的结构类型

点接触型二极管：结面积小，不能通过较大电流，结电容较小，适用与高频电路和小功率整流。

面接触型二极管：结面积大，能通过较大电流，结电容较大，只能在低频工作，一般用作整流管。

平面二极管：结面积大的可用作大功率整流，结面积小的用作脉冲数字电路的开关管。

1.3.2二极管的伏安特性与重要参数

二极管由于材料、导线电阻等问题，其压降电压略微大于PN结，由于二极管表面存在漏电流其反向电流也略微大于PN结。二极管对温度十分敏感。

最大整流电流 $I_{F}$ :二极管长期运行允许的最大正向电压平均电流。

最高反向工作电压 $U_{R}$ ：二极管工作时允许外加的最大反向电压。

反向电流 $I_{R}$ :二极管未击穿时的反向电流。

最高工作频率 $f_{M}$ ：二极管工作的上限截止频率。

1.4晶体管三极管：带有两种不同极性电荷的载流子参与导电又称双极型晶体管（BJT）

1.4.1三极管的结构

三极管分为NPN型与PNP型，其主要区别在于掺杂类型不同，工作方式与原理一致。本文以NPN型为例介绍。其结构图如下：

由上NPN三极管由两个较高掺杂浓度的N型半导体和一个掺杂浓度较低的 P型半导体组成。将半导体划分为发射区、基区、集电区三个区域，区域内设置并电极命名为为发射极（e）、基极（b）、集电极（c）。两区域间会形成PN结，我们称发射区与基区间的PN结为发射结、集电区与基区间的PN结为集电结。

使三极管工作在放大工作状态的外部条件为发射结正向偏置，集电结反向偏置。

1.4.2三极管载流子的流动

由三极管组成的共射放大电路（存在多种放大电路，此处只分析内部载流子运动，第二章会详细介绍）的内部载流子运动与外部电流图如下：

如上黑色圆为自由电子、白色圆为空穴，通过对这些载流子各种运动的分析，我们可以得出三极管的基本走向：

1.扩散运动形成了发射极电流 $I_{E}$ ：发射结加正向电压，由于发射区杂质浓度很高，大量自由电子由发射区扩散到基区，基区的杂质浓度不高，微量空穴由基区移动到发射区（近似分析时忽略不计），形成了发射极电流 $I_{E}$ 。

2.复合运动形成了基极电流 $I_{B}$ ：由于基区较薄杂质浓度低，且集电极施加了反向电压，只有极少部分漂移到基区的自由电子与空穴进行了复合运动。由于基极外加电源的缘故，基区的复合运动可以源源不断的进行，形成的基极电流 $I_{B}$ 。

3.漂移运动形成了集电极电流 $I_{C}$ :由于集电结面积较大且由于外部B、C电压差的原因，大部分由发射集的扩散到基区的自由电子（基区非平衡少子）都因为漂移运动移动到集电区,集电区和基区有极少量平衡少子参与漂移运动（近似分析时忽略不计），形成了集电极电流 $I_{C}$ 。

令发射区向基区扩散形成的电流为 $I_{EN}$ ,基区向发射区扩散形成的空穴电流为 $I_{EP}$ ，基区内复合运动形成的电流为 $I_{BN}$ ，基区内非平衡少子漂移到集电极所形成的电流为 $I_{CN}$ ，平衡少子在集电区与基区之间的漂移运动形成的电流为 $I_{CBO}$ 。如此可以对三级管电流内部分析得：

$I_{E}=I_{EN}+I_{EP}=I_{CN}+I_{BN}+I_{EP}$

$I_{C}=I_{CN}+I_{CBO}$

$I_{B}=I_{BN}+I_{EP}-I_{CBO}={I}'_{B}-I_{CBO}$

从外部看：

$I_{E}=I_{C}+I_{B}$

1.4.3三极管共射电流放大系数

共射直流放大系数 $\bar{\beta }$ ：电流 $I_{CN}$ 与 ${I}'_{B}$ 的比值。

通过三级管电流内部分析并整理可得：

$I_{C}=\bar{\beta }I_{B}+(1+\bar{\beta })I_{CBO}=\bar{\beta }I_{B}+I_{CEO}$

上式中，我们称 $I_{CEO}$ 为穿透电流，它的物理意义是基极开路（ $I_{B}=0$ ）时，在集电极电源作用下，集电极与发射极之间形成的电流。 $I_{CBO}$ 则表示发射极开路时，集电结的反向饱和电流，一般情况下， $I_{B}> > I_{CBO}$ , $\bar{\beta }> >1$ ,所以可得：

$I_{C}\approx \bar{\beta }I_{B}$

$I_{E}\approx(1+ \bar{\beta })I_{B}$

在交流状态下，存在一个动态电压 $\Delta u_{1}$ 输入。

共射交流放大系数 $\beta$ ： $I_{C}$ 上叠加的动态电流 $\Delta i_{C}$ （交流变化量）与 $I_{B}$ 上叠加的动态电流 $\Delta i_{B}$ 的比值。

在交流状态下，可知 $i_{C}=I_{C}+\Delta i_{C}=\bar{\beta }I_{B}+I_{CEO}+\beta \Delta i_{B}$ ，由于 $I_{CEO}$ 极小，可以忽略不计。故可表示为 $i_{C}=\bar{\beta }I_{B}+\beta \Delta i_{B}$ ，当 $\left | \Delta i_{B} \right |$ 较小时，我们可以认为 $\beta \approx \bar{\beta }$ 。由此可以得出结论：在一定范围内，可以用晶体管在某一直流量下的 $\bar{\beta}$ 来取代在此基础上加动态信号时的 $\beta$ 。

由于 $I_{E}$ 在较宽范围内， $\bar{\beta}$ 基本不会有太大变化，故我们在近似分析中可以认为 $i_{C}\approx \beta i_{B}$ 。

小功率管 $\beta$ 值较大（可达三四百），大功率管 $\beta$ 值较小（低至三四十）。

共基极放大电路：当以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流时。

共基极直流放大系数 $\bar{\alpha }$ ： $I_{CN}$ 与 $I_{E}$ 的比值。

通过计算可知（由本章列出算式联立得出）： $\bar{\alpha }=\frac{\bar{\beta } }{1+\bar{\beta }}$

共基极直流放大系数 $\beta$ ：集电极电流变化量与发射极电流变化量的比值。

通过 $\Delta i_{C}$ 、 $\Delta i_{B}$ 、 $\Delta i_{E}$ 的关系（前文已给出）可知： $\alpha = \frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{E}}=\frac{\beta }{1+\beta }$

通常 $\beta> > 1$ ，故可以得出 $\alpha\approx 1$ 且 $\alpha\approx \bar{\alpha }$ 。

1.4.4三极管的特征曲线

输入特征曲线：描述 $U_{CE}$ 一定的情况下，基极电流 $i_{B}$ 与发射结压降 $u_{BE}$ 之间的联系。如下图所示：

当 $U_{CE}$ 等于零即集电极发射极短路时，此时 $i_{B}$ 与 $u_{BE}$ 呈指数关系，当 $U_{CE}$ 增大时， $i_{B}$ 与 $u_{BE}$ 曲线将右移，这是因为 $U_{CE}$ 增大使得基区参与复合运动的非平衡少子有一部分漂移到了极电区形成集电极电流 $i_{C}$ ，想要获得同样的 $i_{B}$ 就需要增加 $U_{BE}$ 的值使得曲线右移。

在实际场景中，在 $U_{BE}$ 确定的情况，当 $U_{CE}$ 大于1V的时候，绝大数的非平衡少子都漂移到了集电区，这使得在1V之后，在增大 $U_{CE}$ 值，曲线图不再会有明显变化，故我们使用一条曲线来近似所有 $U_{CE}$ 大于1V的曲线。

输出特征曲线：基极电流为一常量时，集电极电流 $i_{C}$ 与管压降 $U_{CE}$ 之间的函数关系。如下图所示：

通过上图可知：当 $u_{BE}$ 增从零开始增加时，集电结电场随之增强，更多基区非平衡少子进入集电区 $i_{C}$ 变大，当 $u_{BE}$ 增加到一定值时，几乎绝大多数基区非平衡少子都进入了集电区，此时 $i_{C}$ 几乎不变，近似与横轴平行，此时 $i_{C}$ 几乎只由 $i_{B}$ 控制。

从特性曲线来看可以将三体管划分为三个工作区间：

（1）截止区：发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置，对于共射电路来说就是 $u_{BE}\leq u_{on}$ 且 $u_{CE}>u_{BE}$ 。此时 $i_{B}=0$ 且 $i_{C}\leq i_{CEO}$ 。由于其极小，在近似分析中可以认为 $i_{C}\approx 0$ 。

（2）放大区：发射结正向偏置且集电结反向偏置，对于共射电路来说就是 $u_{BE}>u_{on}$ 且 $u_{CE}\geq u_{BE}$ 。此时 $i_{C}$ 几乎只由 $i_{B}$ 控制且满足 $I_{C}\approx \bar{\beta }I_{B}$ 、 $i_{C}\approx \beta i_{B}$ 。

（3）饱和区：发射结和集电结均处于正向偏置，对于共射电路来说就是 $u_{BE}>u_{on}$ 且 $u_{CE}< u_{BE}$ 。此时 $i_{C}$ 受多个因素影响且受 $u_{CE}$ 影响明显。现实生活中我们认为当 $u_{CE}$ 增大， $i_{B}$ 随之增大而 $i_{C}$ 几乎不变时，三极管处于饱和状态。针对小功率管时，一般认为 $u_{BE}= u_{CE}$ 时，三极管处于临界状态。

在模拟电路中，大多数情况下三极管应保持工作在放大区。

1.4.5三极管的符号和重要参数


NPN型	PNP型

直流参数

共射极直流电流放大系数 $\bar{\beta }= \frac{I_{C}-I_{CEO}}{I_{B}}$ ，当 $I_{C}> > I_{CEO}$ 时， $\bar{\beta }\approx \frac{I_{C}}{I_{B}}$ 。

共基极直流电流放大系数 $\bar{\alpha }$ ，当 $I_{CBO}$ 可以忽略时， $\bar{\alpha }\approx \frac{I_{C}}{I_{E}}$ 。

发射极开路时集电结反向饱和电流 $I_{CBO}$ 。

基极开路时集电极与发射极间的穿透电流 $I_{CEO}$ 。

$I_{CEO}=(1+\bar{\beta })I_{CBO}$ ，同一类型管子反向电流越小越稳定。

交流参数

共射极交流电流放大系数 $\beta=\frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}$ （ $u_{CE}$ 为常量），选用管子时 $\beta$ 值不宜过大（温度稳定性差）也不宜过小（放大倍数不足）。

共基极交流电流放大系数 $\alpha =\frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{E}}$ （ $u_{CB}$ 为常量）,近似分析中可以认为 $\beta\approx \bar{\beta }$ ， $\alpha \approx \bar{\alpha }\approx 1$ 。

特征频率 $f_{T}$ ：由于三极管中PN结结电容的存在，三极管交流电流放大系数与放大信号频率有关，当信号频率高到一定值时，会降低信号的放大倍数并产生相移。我们称使共射极放大电路放大系数的数值下降到1的信号频率为该管特征频率 $f_{T}$ 。

极限参数

最大集电极耗散功率 $P_{CM}$ ：当三极管功率大于这个值时，其散热温度可能使三极管特性变坏甚至烧毁。需在具备一定散热条件下测取这个值，大功率管对散热要求更高。

最大集电极电流 $I_{CM}$ ： $i_{C}$ 在相当大的区域内都不会导致 $\beta$ 的变化，但大到一定程度时， $\beta$ 将减少。其定义为使得 $\beta$ 明显减小的 $i_{C}$ 为 $I_{CM}$ 。

极间反向击穿电压：三极管某一极开路时，另外两极所能承受的最大反向电压值。 · $U_{\left ( BR \right )CBO }$ 为发射极开路时， $U_{\left ( BR \right )CEO }$ 为基极开路时， $U_{\left ( BR \right )EBO }$ 为集电极开路时。

温度影响：温度升高会使得半导体中更多的电子获得能量并从共价键中挣脱出来，这会使得半导体的载流子浓度提升，从而影响三极管的性能。

温度升高， $I_{CBO}$ 升高； $i_{B}$ 与 $U_{BE }$ 曲线左移；放大倍数变大，导致集电极电流 $i_{C}$ 增大。

1.5场效应管

场效应管（FET）：利用输入回路电场效应控制输出回路电路的一种半导体器件，其仅依靠半导体中多数载流子导电故又称单极性晶体管。

1.5.1结型场效应管

结型场效应管有存在P沟道和N沟道两种，两者工作原理类似，接下来与N沟道模型说明，N沟道实际结构大致如下图：

为方便理解，可将上图转换为如下类型：

如上图我们在一个N型半导体两端制作两个高掺杂的P区，并将他们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s。在P、N极之间会形成耗尽层，而非耗尽层之间的区域称之为导电沟道。

1.5.1结型场效应管的工作原理

为了使N沟道结型场效应管可以正常工作，应在其栅-源之间加负向电压（ $u_{GS}< 0$ ）,以保障耗尽层接受反向电压；在其源-漏之间加正向电压 $u_{DS}$ ，以形成漏极电流 $i_{D}$ 。当 $u_{DS}$ =0时：

如上图所示，随着 $\left |u_{GS} \right |$ 增大，耗尽层将越来越厚，当 $\left |u_{GS} \right |$ 达到一定值时，沟通消失，其电阻约等于无限大，称此时的 $u_{GS}$ 为夹断电压 $u_{GS\left ( off \right )}$ 。

当 $u_{GS}$ 为 $u_{GS\left ( off \right )}$ 到0的某一个数时，此时存在一个特定的导电沟道，但由于 $u_{DS}$ =0，沟道中没有电流通过。当 $u_{DS}$ >0时，使得沟道中的电压值不再相等，而是从d极到s极逐渐增加，这会使得d极附件的耗尽层比s极更厚，如下图所示：

一般情况下，在 $u_{DS}$ 小于 $u_{GS\left ( off \right )}$ 时，沟道电阻基本仍由 $u_{GS}$ 决定，此时 $i_{D}$ 随 $u_{DS}$ 增大而线性增大，d-s呈电阻特性。当 $u_{DS}$ 继续增大使得 $u_{GD}$ 等于 $u_{GS\left ( off \right )}$ 时，此时漏极一侧会形成夹断区，称 $u_{GD}=u_{GS\left ( off \right )}$ 为预夹断。当 $u_{DS}$ 继续增大时，夹断区将从d极向s极延伸。从外部看，在 $u_{GD}< u_{GS\left ( off \right )}$ 时， $u_{DS}$ 增大 $i_{D}$ 几乎不变，表现出恒流属性。

综上所述，在 $u_{DS}$ 小于 $u_{GS\left ( off \right )}$ 时，可以改变 $u_{GS}$ 来改变 $i_{D}$ ，此时电流由电压控制，故称场效应管为电压控制元件，与三极管（晶体管）类似。场效应管使用低频跨导（ $g_{m}$ ）来描述栅极-源电压对漏极电流的控制作用。

$g_{m}= \frac{\Delta i_{D}}{\Delta u_{GS}}$ （ $U_{DS}=$ 常量）

由上可知：

（1）在 $u_{GD}=u_{GS}-u_{DS}>U_{GS(off)}$ 的情况下，即当 $u_{DS}< u_{GS}-U_{GS(off)}$ 时，对应于不同的 $u_{GS}$ ，d-s间等效的成不同阻值的电阻。

（2）当 $u_{DS}$ 使 $u_{GD}=u_{GS\left (off \right )}$ 时，d-s之间预夹断。

（3）当 $u_{DS}$ 使 $u_{GD}< u_{GS\left (off \right )}$ 时， $i_{D}$ 几乎只由 $u_{GS}$ 决定且与 $u_{DS}$ 无关。

（4）当 $u_{GS}< u_{GS\left (off \right )}$ 时，管子截止， $i_{D}$ =0。

1.5.2结型场效应管的特性曲线

通过前面的总结分析，我们可以得到结型场效应管的输出特性曲线，如下：

如上图所示场效应管存在三个工作区域：

（1）可变电阻区：该区域中的曲线可以视为不同斜率的直线，当 $u_{GS}$ 确定时，我们可以认为d-s之间存在等效电阻，可以改变 $u_{GS}$ 来改变等效电阻，故称为可变电阻区。

（2）恒流区：该区域中的曲线可以近似为平行横坐标的直线， $u_{DS}$ 增大时， $i_{D}$ 仅略微增大，可认为 $i_{D}$ 为 $u_{GS}$ 控制的电流源。

（3）夹断区： $i_{D}$ 在 $u_{GS}$ 较小时几乎等于0，视为此时处于截止状态。

当 $u_{DS}$ 过大时，会使得场效应管失效，这部分区域称为击穿区，其不属于的工作区域。
1.5.3场效应管的转移特性

转移特性曲线：当漏-源电压 $U_{GS}$ 为常量时，漏极电流 $i_{D}$ 与栅-源极 $u_{GS}$ 之间的函数关系。

根据半导体物理中对场效应管内部的载流子分析可得出结论：

$i_{D}=I_{DSS}\left ( 1-\frac{u_{GS}}{U_{GS(off)}} \right )^{2} \left (U_{GS(off)}<u_{GS}< 0 \right )$

其特性曲线如下：

转移特征曲线与输出曲线具有严格的一对一关系。

1.5.3绝缘栅型场效应管

绝缘栅型场效应管g-s、g-d之间均使用 $SIO_{2}$ 作为绝缘层材料，加之栅极材料为金属铝故其有称为MOS管。其同样存在N、P沟道两种类型但其又可分增强型和耗尽型两种类型，故MOS管存在四种基本类型即N型增强、N型耗尽、P型增强、P型耗尽，由于这四种类型基本工作原理相同，本次以N型增强作为例子。

N型增强mos（绝缘栅型）场效应管的结构如下：

如上所示，其一一块低掺杂的P型硅片为衬底，使用扩散工艺制作两个高掺杂的 $N^{+}$ 区，并引出两个电极分别为源极s和漏极d，半导体上制作一层绝缘层，再在绝缘层上制作一层金属铝，引出电极作为栅极g。这样栅极与衬底之间会形成一个电容，通过改变栅极g的电压可以改变绝缘层附件的感应电荷数，如此可见mos管与结型场效应管的工作原理并不相同。

1.5.4绝缘栅型场管的工作原理

当栅-源极之间不断加电压时，漏极之间是两只背向的PN结，不存在导电沟道，因此即使漏-源之间加电压，也不会有漏极电流。mos管工作原理图如下：

如上所示，当 $u_{DS}=0$ 且 $u_{GS}> 0$ 时，由于氧化层的存在，栅极电流为0，但是栅极金属层将聚集正电荷，他们会排斥另一侧的正电荷载流子（空穴），形成耗尽层。当 $u_{GS}$ 增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成N型薄层，称之为反型层，这个反型层就构成了新的导电沟道，使沟道刚刚形成的电压 $u_{GS}$ 称为开启电压 $u_{GS\left ( th \right )}$ ，反型层越大，沟道电阻越小。

当 $u_{GS}$ 是大于 $u_{GS\left ( th \right )}$ 的一个定值时，在d-s之间加上正向电压，则将产生一定的漏极电流，该电压对导电沟道的影响与结型场效应管类似，当 $u_{DS}$ 较小时， $u_{DS}$ 增大会在使得沟道沿源-漏极方向变窄，当通道刚好闭合的时候即 $u_{GD}=u_{GS\left ( th \right )}$ ，此时称为预夹断。当 $u_{DS}$ 继续增大，此时的电压值几乎全部用于抵抗漏极电流阻力，就可以认为 $i_{D}$ 几乎不因 $u_{DS}$ 增大而变化，而只受到 $u_{GS}$ 的影响。

转移特性与电流方程由于mos管和结型场效应管几乎一样故不做过多介绍。 $i_{D}$ 与栅-源极 $u_{GS}$ 之间的函数关系为：

$i_{D}=I_{DO}\left ( 1-\frac{u_{GS}}{U_{GS(off)}} \right )^{2}$ （ $I_{DO}$ 表示 $u_{GS}=2U_{GS\left ( th \right )}$ 时的 $I_{D}$ ）

输出曲线如下：

特性曲线如下：

耗尽型N沟道mos管在氧化层中加入了大量的正离子，这使得其特性曲线较之增强型左移其余属性基本一致。

P沟道工作原理与N沟道几乎完成全一致只存在电压反向一个不同点。

1.5.5场效应管的符合和重要参数

场效应管符号


结型场效应管 N沟道	结型场效应管 P沟道

绝缘栅型场效应管增强型 N沟道	绝缘栅型场效应管耗尽型 N沟道

绝缘栅型场效应管增强型 P沟道	绝缘栅型场效应管耗尽型 P沟道

直流参数

开启电压 $u_{GS\left ( th \right )}$ ：我们定义在 $u_{GS\left ( th \right )}$ 是在 $u_{DS}$ 一定时，使得 $_{}$ $i_{D}$ 大于零的最小 $\left | U_{GS} \right |$ 值。 $u_{GS\left ( th \right )}$ 是增强型mos管的参数。

夹断电压 $u_{GS\left ( off \right )}$ ：我们定义在 $u_{GS\left (off \right )}$ 是在 $u_{DS}$ 一定时，使得 $_{}$ $i_{D}$ 大于零的最小 $\left | U_{GS} \right |$ 值。 $u_{GS\left ( off \right )}$ 是耗尽型mos管和结型场效应管的参数。

饱和漏极电流 $I_{DSS}$ :对于结型场效应管，在 $u_{GS}=0 V$ 的情况下，产生预夹断时，漏极电流定义为 $I_{DSS}$ 。

直流输入电阻 $R_{GS\left ( DC \right )}$ : $R_{GS\left ( DC \right )}$ 等于栅-源电压与栅极电流之比，结型管的 $R_{GS\left ( DC \right )}$ 大于 $10^{7}$ Ω而mos管的 $R_{GS\left ( DC \right )}$ 大于 $10^{9}$ Ω.