HBM高带宽内存 AI服务器智能芯片

HBM2E，全称为高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种新型DRAM（动态随机存取内存）解决方案。它使用了基于TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）和芯片堆叠技术的堆叠DRAM架构。简而言之，就是将多个内存芯片垂直堆叠成一个矩阵，并将此堆栈放置于处理器或GPU旁边。这种设计使得HBM2E可以在非常小的空间内提供极高的带宽和低功耗。

HBM2E主要特点和性能指标如下：

速度和容量：HBM2E的设计目标是提供比HBM2更快的速度、更大的容量和更低的功耗。例如，SK hynix生产的HBM2E产品可以每个引脚以3.6GB每秒的速度处理数据，整体数据处理速度超过460GB每秒，容量达到16GB。

带宽和功耗：相比于传统的GDDR内存（广泛用于游戏显卡中），HBM旨在提供更高的带宽和更低的功耗。HBM2E提供的最大带宽可达410 GBps。

技术创新：HBM2E的高性能得益于其独特的芯片间传输数据结构。使用TSV技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠并建立穿透整层硅片的柱状路径，以传递命令和数据。

应用领域：HBM2E广泛应用于需要高性能计算的领域，如服务器、高性能计算（HPC）、网络以及客户端空间。

生产和发展：主要由三星和SK海力士等公司生产。目前HBM的发展已经进入到HBM3阶段，预计将进一步提升性能。

P/N

KHA844801X-MC12T00

KHA844801X-MC13T00

KHA884901X-MC12T00

KHA884901X-MC13T00

KHAA44801B-MC16T00

KHAA44801B-MC17T00

KHAA84901B-JC16T00

KHAA84901B-JC17T00

KHBA84003C-MC1DT00

KHBA84A03C-MC1HT00

KHBA84A03D-MC1HT00

KHBAC4003C-MC1DT00

KHBAC4A03C-MC1HT00

KHBAC4A03D-MC1HT00

KHBB84003B-MC1DT00

KHBB84A03B-MC1JT00

KHBBC4003B-MC1DT00

KHBBC4B03B-MC1JT00