如何解决二极管寄生电容引起的寄生振荡问题？

续流二极管寄生电容引起的寄生振荡

辐射发射测试数据

某产品辐射发射测试195MHz频点超出标准限值，超标频点呈现包络状，宽带干扰基本确定为开关电源电路产生。

Boost二极管处振荡波形

使用频谱分析仪锁定噪声干扰来自Boost电路，使用示波器测量二极管动点处波形存在非常严重的振荡，振荡频率与辐射发射超标频率吻合，基本确定噪声来自此部分电路。

问题原因分析

当MOS管开通瞬间，因为反向恢复电流的存在，二极管电流为负值，经过一段时间后再为0，在二极管结电容与MOS管和PCB走线回路的寄生电感作用下会形成LC振荡。测试二极管阳极电压和电流，可以看到明显的振荡波形，如上图所示。

改善寄生振荡可以通过改变二极管寄生电容、寄生电感的角度来考量，在二极管两端增加并联RC电路，辐射发射问题改善非常明显，二极管增加RC吸收电路会影响到温升。降低环路寄生电感则不会影响温升指标，缩短环路布线长度是降低寄生电感的有效措施。

Boost续流二极管增加RC吸收电路

续流二极管增加RC吸收后辐射发射测试数据

寄生电感通常是由PCB布线产生，降低寄生电感可以从缩短PCB布线，增加PCB布线宽度，缩小环路面积的角度进行，还可以增加高频旁路电容进行环路旁路，从而达到降低布线寄生电感的目的。

缩短PCB布线的方法

续流二极管输出增加高频旁路电容后辐射发射测试数据

在PCB布线寄生电感确定，器件寄生参数确定的情况下，除增加高频旁路电容的方式解决寄生振荡，还可以通过在环路中增加阻尼的方式，抑制寄生振荡。由于是功率环路，无法通过增加电阻的方式实现；在环路中增加磁珠，利用磁珠高频下的高阻抗特性来抑制寄生振荡，也可以达到目的。

由于磁珠具有电感的特性，根据电感两端电流不能突变的特性，电感会产生反向电压尖峰，电压尖峰必须在二极管承受的电压应力范围内，否则二极管会因为过压反向击穿，给电路设计带来巨大隐患。故磁珠的选择是在满足EMC性能的基础上，感量越小越好。

Boost续流二极管前增加串联磁珠

Boost续流二极管前增加串联磁珠后辐射发射测试数据

Boost续流二极管前增加串联磁珠波形

问题解决方案

在二极管两端并联RC吸收电路，具体参数根据实际调试结果，副作用是影响二极管的温升。

降低环路中的寄生电感，即缩短输出端高频电容到集成MOS管参考地之间的布线长度，无任何副作用。

在二极管反向恢复环路中增加磁珠，抑制寄生振荡，其副作用是使二极管电应力变高，有损坏二极管的风险。