R2403是一款采用先进沟槽技术和设计的P-ChannelMOSFET，提供优异的RDS(on)和低门极电荷特性。适用于-12V，-12A的工作条件，特别适合消费类和工业类市场。其特点包括超低的导通电阻，低门极电荷，环保设计以及高密度沟槽技术，确保了出色的热耗散能力。
UPA2630T1R的替代料号R2403，-12V-12A P管 DFN2*2-6封装 可应用于消费类工业类等市场
型号：R2403
电压电流：-12V-12A
P管
应用：可应用于消费类工业类等市场
封装：DFN2*2-6
Description：
This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.
Features：
1) VDS=-12V,ID=-16A,RDS(ON) <18mΩ@VGS=-4.5V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
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