开关电源元器件的选择

3.3 输出整流
3.3.1 肖特基二极管
在输出低压低的变换器中肖特基作为输出整流管是最好的，因为它正向压降低，又没有反向恢复时间，正确吗？虽然它确实正向压降低和没有反向恢复时间，但肖特基二极管在阴极和阳极之间通常有较大的电容。随加在肖特基上电压变化对此电容必然存在充电和放电（当肖特基几乎没有加电压时，电容最大）。这种现象非常像普通二极管的反相恢复电流。视电路不同，也可能其损耗比用一个超快恢复整流管时损耗大得多。还应当注意此结电容，虽然电荷 Q 低，仍然可能与电路中杂散电感引起振荡，在某些谐振设计中利用此特性做成软开关。所以与普通二极管一样有必要给肖特基加一个缓冲电路，这样增加了损耗。此外肖特基在高温和它的额定电压下有很大的漏电流。漏电流可能将正激变换器次级短路，这也许就是锗二极管漏电流太大而不用的原因。因为这个缘故，为使反向电流不要太大，只能用到肖特基额定电压的 3/4，温度不超过 110℃。高压肖特基与普通二极管正向压降相近。你就没有必要一定要用这样的器件。如果今后技术发
展，高压肖特基二极管确实比双极型二极管正向压降低，则另当别论。
3.3.2 二极管
设计一个 12V 输出，16A 电流，能否用两个 10A 定额的二极管并联？由于二极管正向压降的负温度系数特性和正向压降的离散性，结果一个电流较大的二极管，损耗加大而温度高，正向压降降低电流继续加大，正反馈，最后导致一个二极管流过全部电流而烧坏，记住了吗？所以虽然能将二极管并联但应当注意热平衡（即确保它们之间最小的热组）。如果用两个分立二极管实际上这样做不会很成功。要是两个二极管做在一个芯片上，具有相同的热和电气特性。可以做到较好均衡。MOSFET 压降具有正温度特性，使得并联容易。
3.3.3 反向恢复
肖特基没有反向恢复时间，而所有双极型二极管都有反向恢复问题。它是在二极管正向导通电流IF关断时刻，由于少数载流子存储效应不能立即消失，还能在短时间trr=ta+tb(图 3.3)流过反方向（即由
22阴极到阳极）电流，这个时间trr 叫做反向恢复时间。图 3.3 图解了这个异常现象。在ta时间内反向电流上升到最大值，在变压器的漏感和引线等寄生电感中存储能量(图 3.4)，此后（tb），二极管开始截
止，迫使电路中电流减少，存储在电感中的能量释放，与相关电路分布电容形成振荡，产生严重的振
铃现象，这对变换器效率、电磁兼容造成极大影响。根据反向恢复时间将二极管的分成不同等级（普
通整流管、快恢复，超快恢复等等）。高频变换器在输出级峰值电压 50V以上总是采用超快恢复二极管，50V以下采用肖特基二极管。输出电压低时采用同步整流MOSFET。同步整流的MOSFET的体二极管恢复速度很慢，通常大约为 1μs。它不适宜作为整流管。这就是为什么通常用肖特基与同步整流MOSFET管并联：在MOSFET关断时肖特基流过几乎全部电流，这意味着体二极管不需要反