FlashSystem 9100系支持19TB FCM NVMe和MRAM Cache技术

近期，IBM发布FlashSystem新品支持双端口NVMe闪存技术，专利FlashSystem Micro Latency Modules和新FCM(采用NVMe外形和接口的FlashCore Modules)，具有与当前FlashSystem 900相同的内置无性能影响压缩硬件。

   

存储开发团队在3年前开始基于NAND闪存的NVMe闪存驱动器和SCM(如3D Xpoint和Z-SSD)，新一代设备的设计，结合了Texas Memory Systems 35年来的高性能存储技术核心和Spectrum Virtualize团队近30年的行业领先的存储系统积累，推出FlashSystem 9100产品，包括DRAID技术。随着闪存模块的容量比NL-SAS驱动器更大，那么，DRAID-6等功能对于闪存和HDD驱动器同样重要，类似重要的功能还有内置迁移，数据缩减，快照，复制(DR)和HA功能。

 

IBM新一代的FlashSystem  9100存储设备将利用磁阻RAM(MRAM)替代DRAM来做写缓存。MRAM是目前可用的速度最快的、耐用性最高的非易失性存储器技术之一，但与NAND闪存或英特尔的3D XPoint存储设备相比，其存储密度受到限制。 所以MRAM目前主要用在嵌入式系统中取代小型闪存芯片或电池供电的DRAM和SRAM缓存。

 

Everspin是目前唯一的MRAM芯片供应商，其目前可用的256Mb芯片和1Gb芯片将在今年年底前提供样品。尽管目前还不能用作主存存储器，但随着容量不断增加，MRAM在大数据处理系统中更具有吸引力。 Everspin也是通过与Global Foundries合作，采用其22nm FD-SOI工艺来制造MRAM。

 

FlashSystem 9100采用使用自定义外形FCM尺寸和标准的2.5‘’ U.2尺寸，采用系统级别的掉电保护和基于FPGA的控制器设计。这需要在每个FCM设备级别实现掉电保护。IBM发现使用足够大的超级电容以保持FPGA控制器能够运行足够长时间以刷新写DRAM