EN29LV160A 厂商是台湾的Eon Silicon Devices（宜扬科技）http://www.essi.com.tw，台湾专注于Flash的厂家，在PC中BIOS很多就是使用它们的SPI flash，这里的这颗16Mbit的NOR Flash就是出自于它们之手。
简单介绍下这颗IC的各项参数。这颗IC可以配置为两种模式，2Mx8bit或者是1Mx16bit模式，目前这款板子上NOR选择的是1Mx16bit模式（OM1/OM0 =01）,当然在选择从NAND启动的时候选择的是8bit模式（OM1/OM0 =00）.
1.工作电压3V
2.读取速度 70ns
3.功耗,读取电流9mA，写20mA，待机电流小于1uA
4.至此多种Sector模式。
5.Sector写保护功能，
6.写/擦除速度.Byte/Word写时间 8us
7.Sector 擦除时间:500ms./芯片擦除时间17.5s
8.JEDEC标准操作命令控制字
9.支持单块擦除或者整个芯片擦除
10.单块解除写保护功能
11.支持写挂起/写唤醒功能
12.CMOS工艺
13.100万次刷写
14.封装TSOP-48/6mmx8mm FBGA（TSOP是“Thin Small Outline Package“薄型小尺寸封装/
FBGA是
Fine-Pitch Ball Grid Array
细间距球栅阵列”）
15.支持消费级和工业级温度标准
信号定义，这里想说的就是BYTE#信号的定义，在我手里拿的的这款设备上TQ的，我发现他的BYTE#也就是PIN15居然是悬空的，最诡异的是硬件居然工作正常，或许的CMOS器件默认的悬空状态被认为是High刚好配置成16bit模式所致，但是个人看来这是一个明显的硬件设计错误。
来张图比较直观
信号时序，这些时序需要设置host端的相关寄存器来满足时序要求：
读写IC时序，这里只想说一个，当系统不读写IC的时候，我们可以选择拉CE#无效来让IC进入不同的模式来降低功耗，当然针对这颗CE#的电平不同（Vih或者是VCC）可以让它进入CMOS兼容模式或者是TTL兼容模式：
工作模式：
1.Byte/Word 设置通过BYTE#信号设定
2.standby 模式，通过CE#信号电平来设置，但是我的这款TQ的板子看起来对NOR的供电似乎设计有不太对，NOR的VCC设置为3.3V，同时处理器哪端的VDDMOP电源引脚设置的也是3.3V
这样的话虽然SDRAM可以跑到135MHz，但是对于NOR如果要进入standby模式的话，就可能会不太稳定，如果能让NOR工作在其他的供电模式，让VCC和CE#电平不同或许更好。
3.读模式。上电之后默认的工作模式。
4.输出关闭模式。当CE#或者OE#有效的时候会进入。
5.Auto select Identification 模式，这个模式用来读取设备厂商识别表示，和设备sector标示。
6.其他的IC相关的模式（写，保护，擦除等）
7.对于Flash而已CFI是必须支持的，这款IC支持进入到CFI模式的命令控制字，在Word模式往0x55的地址写入98（Byte模式 往0xaa地址写入0x98），必须使用reset命令退出CFI模式。在CFI模式我们可以通过标准CFI命令来获取IC信息。
8.还有一些对IC进行操作的命令的时序，先发什么命令，再发什么命令的，懒得写了，不说。
最后当然是DC和AC参数这个也很重要，一般在Datasheet的最后的章节可以看到。由于手头没有高端设备去测量，就先忽略这部分，除非有比较高级的示波器去测量和大量的压力测试，不然很难发现问题，这里不说，毕竟不专业而且对于软件开发来说，暂时用不到。
OK，就到这里，瞌睡也来了，虽然白天睡了差不多一天，还是有点扛不住了，安了。
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