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RSS订阅原创 计组——存储系统（二）SRAM和DRAM
由于B点连接到了T1的栅极，使T1管截止，此时A点高电平，B点低电平形成稳定状态，用这个状态表示数据1。它是将存取周期加上刷新1行的时长作为新的存取周期，所以没有死区（刷新对CPU是透明的，CPU不知道什么时候刷新，死区就是CPU认为能访问DRAM，但实际不能，在存取周期里，CPU不访问）假设写入0，向位线D0和D1分别输入低电平和高电平，此时，A点的高电平被拉低为低电平，使T2管截止，B点的电平被拉高为高电平，使T1导通，A点通过T1管接地，保持可靠的低电平。刷新对CPU透明，不依赖于外部的访问。
2024-11-23 20:39:59
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原创 计组——存储系统（一）存储器概述
在一段时间内，CPU运行的程序和使用的数据只是整个存储系统存储信息的一小部分，这部分程序和数据处于“活跃”状态，而其他大部分程序和数据则处于暂时不被使用的“静止”状态，因此可以把正在被CPU使用的“活动”的程序和数据放在主存中，其余信息则存放在容量大但速度较慢的辅存中。1KB = 2^10B = 1024B，1MB = 2^20B = 1024KB，1GB = 2^30B = 1024MB，1B（Byte，字节） = 8b（bit，位）每次读出操作后，必须紧接一个再生操作，以便恢复被破坏的信息。
2024-10-22 12:39:15
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空空如也
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