APT45GP120BG ROHM Microchip Technology IGBT 晶体管

制造商:    Microchip    
产品种类:    IGBT 晶体管    
RoHS:     详细信息    
技术:    Si    
封装 / 箱体:    TO-247-3    
安装风格:    Through Hole    
配置:    Single    
集电极—发射极最大电压 VCEO:    1.2 kV    
集电极—射极饱和电压:    3.3 V    
栅极/发射极最大电压:    - 20 V, 20 V    
在25 C的连续集电极电流:    100 A    
Pd-功率耗散:    625 W    
最小工作温度:    - 55 C    
最大工作温度:    + 150 C    
封装:    Tube    
商标:    Microchip Technology    
集电极连续电流:    100 A    
集电极最大连续电流 Ic:    100 A    
栅极—射极漏泄电流:    100 nA    
高度:    5.31 mm    
长度:    21.46 mm    
工作温度范围:    - 55 C to + 150 C    
产品类型:    IGBT Transistors    
1    
子类别:    IGBTs    
商标名:    POWER MOS 7 IGBT

IKZ50N65EH5XKSA1    Infineon Technologies
APT50GP60B2DQ2G    Microchip Technology
STGWA80H65FB    STMicroelectronics
AIKW75N60CTXKSA1    Infineon Technologies
IGP30N65F5    Infineon Technologies
IXYA30N120A4HV    IXYS
IKA08N65H5    Infineon Technologies
AIKW20N60CTXKSA1    Infineon Technologies
RGT8BM65DTL    ROHM Semiconductor
IXYX40N250CHV    IXYS
APT36GA60SD15    Microchip Technology
RJP65T43DPM-00#T1    Renesas Electronics
IXYH55N120C4H1    IXYS
IXXH50N60B3    IXYS
IXA20I1200PZ-TUB    IXYS
IXYP8N90C3    IXYS
IKW60N60H3    Infineon Technologies
IKB06N60T    Infineon Technologies
IHW50N65R5    Infineon Technologies
IXYP10N65B3D1    IXYS
IKA15N60T    Infineon Technologies
IXXX140N65B4H1    IXYS
APT45GP120BG    Microchip Technology
STGW50H65DFB2-4    STMicroelectronics
STGB40V60F    STMicroelectronics