一、S参数背景
- 在低频电路中,元器件的尺寸相对于信号的波长而言可以忽略,这时候的电路被称为lump电路,可以采用常规的电压、电流定律来进行电路分析。
集总电路(Lumped circuit):在一般的电路分析中,电路的所有参数,如阻抗、容抗、感抗都集中于空间的各个点上、各个元件上,各点之间的信号是瞬间传递的,这种理想化的电路模型称为集总电路。 集总电路(Lumped circuit)是由许多由 电源 、 电阻 、 电容 、 电感 等集总元件( Lumped element) 所组成之电路。
- 在射频微波等高频高速电路设计中,节点电路理论不再使用,需要采用分布式参数电路的方法,可以采用复杂的场分析法,但更多适合采用微波网络法来分析电路,对于微波网络而言,最重要的参数就是S参数。
二、S parameter
1.定义
S参数是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数,适于高频微波电路的测试与建模分析。
DUT:待测的对象(device under test)
图中指左侧传入信号,同样从右侧的信号(a2)传入时,回波损耗:S22=b2/a2;S12=b1/a2;
回波损耗:一定程度上反映DUT电路对电磁波的反射特性
插入损耗:一定程度上反映DUT电路对电磁波的传输、衰减情况
2.S参数曲线图
通过仪器测试通道或无源器件的s参数
3.S参数文件
4.S参数、Y参数、Z参数
- S散射系数:例S31表示端口1接波源,其余所有端口接负载时,从端口1到端口3的传输系数;
- Y导纳参数:例Y31表示除端口1 的其余所有端口接短路时,端口1到端口3的转移导纳;
- Z阻抗系数:例Z31表示除端口1 的其余所有端口接开路时,端口1到端口3的转移电阻。