详细分析MOS管开通过程

这篇分享主要是基于MOSFET的半导体特性，对MOS管开通过程进行详细的分析。

在解决问题的过程中发现——当前的电子产品基本上已经离不开MOSFET这个器件了。比如，使用MOS管做防反接的电路，使用MOS管做开关电源的开关管，使用MOSFET进行电平转换等等。毫不夸张的说，MOSFET这个器件已经深入到电子产品的每一个角落。

介绍MOS管以前，有几个常见的名字需要了解一下：

FET: Field Effect Transistor ，场效应晶体管。

MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管。

耗尽层：在PN结附近,其中的载流子因扩散而耗尽,只留下不能移动的正负离子的区域，又称空间电荷区。P型半导体和N型半导体接触形成的空间电荷区就是耗尽层。

反型层：反型层就是P型半导体本来多子是空穴，但是形成一个层，里面空穴没有了，出现了大量电子。

目前在网上搜“MOS管开通过程”的文章，无外乎都是来自于FAIRCHILD（仙童半导体）的一篇文档《AN9010》，看到下面这张图是不是很熟悉。