单光子探测器

单光子探测器的发展历程中，为解决重复率低的限制，可以利用超导材料的另一种特性，即临界电流密度的特性实现高速的单光子探测。对于超导体而言，即使处于超导临界温度以下当流过的电流达到或者超过此时的超导临界电流时，超导体将会失去超导特性，变成具有电阻的正常导体。在临界电流附近，从超导状态过渡到正常导电状态的电阻率变化极大，而且过程极快。如果能快速探测出超导材料吸收光子后的电阻率突变，就可以实现高速单光子探测。1996年，Kadin等人提出利用光子吸收在超导膜条中激发非平衡热岛效应，来达到光子探测的设想。2001年，Gol’tsman等人在实验上首次制备出了超导纳米线条并成功探测到单光子，在0.81µm光波段测到20%的效率。目前使用非晶硅化钨（WSi）制备的SNSPD，系统探测效率可达到93％，使用带光学腔结构的NbN薄膜制备的阵列和单个SNSPD，在1550nm波段的系统效率最高也分别达到76%和80%。