STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来,一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流,增加热稳定性.

早期的磁隧道结采用面内磁各向异性(In-Plane Magnetic Anisotropy)。它存在如下两个弊端:

1)随着工艺减小,热稳定性恶化。采用面内磁各向异性磁隧道结的存储寿命取决于热稳定性势垒和磁各向异性场,面内磁各向异性的来源是薄膜平面较大的长宽比。

随着工艺尺寸的微缩(<50nm),这种薄膜的边际效应加剧,会产生显著的磁涡旋态,难以保持较高的热稳定性势垒,甚至稳定的磁化也无法存在,这将限制MRAM的存储密度;

其次面内磁各向异性的磁隧道结降低了自旋转移矩的翻转效率

因此,对于相同的热稳定性势垒,垂直磁各向异性能够使磁隧道结的临界翻转电流比面内磁各向异性的更低,相应地,自旋转移矩的翻转效率更高。鉴于上述优势,研究人员也一直致力于采用垂直磁各向异性的磁隧道结结构建高密度、低功耗的pSTT-MRAM。
在这里插入图片描述

图1(a)垂直磁各向异性的磁隧道结;(b)沿面内和垂直方向的磁化曲线,证明易磁化轴沿垂直方向。

故障感知ECC(FaECC)策略的引入,为解决STT-MRAM存储器阵列中的可靠性和写入能量问题提供了一种新思路。在不增加编码位数的前提下,FaECC能够隐藏永久性故障并保持软错误的纠正能力,这对于提高STT-MRAM的可靠性至关重要。 参考资源链接:[失效感知ECC提升STT-MRAM性能:成品率、面积与能量优化](https://wenku.csdn.net/doc/520sicit7t?spm=1055.2569.3001.10343) 首先,STT-MRAM的写入能量与其存储单元的能量势垒密切相关,能量势垒的高度受到存储单元几何形状变化的影响。传统方法中,提高可靠性通常需要增加写入电流,但这样会导致存储器阵列的尺寸增大和能量消耗增加。而通过FaECC,可以放宽对能量势垒高度的要求,因为它能够更有效地管理存储单元中的错误,这意味着可以降低写入电流,从而减少写入能量。 其次,存储器阵列的面积优化与访问晶体管的尺寸紧密相关。较大的写入能量通常意味着需要更大的晶体管来驱动写入操作,这会增加存储器阵列的整体面积。FaECC通过降低写入能量需求,允许使用更小尺寸的晶体管,从而缩减存储器阵列的面积,这有助于在不牺牲存储性能的同时实现更高的集成度。 为了深入理解和掌握FaECC在STT-MRAM中的应用,可以参阅《失效感知ECC提升STT-MRAM性能:成品率、面积与能量优化》。该文献详细介绍了FaECC的工作原理、实现方法以及仿真框架,通过跨层次的分析揭示了FaECC对提高STT-MRAM性能的积极作用。 总之,故障感知ECC策略通过结合STT-MRAM的几何形状和工艺变化,提供了一种高效的错误管理方式,能够在不牺牲存储器性能的前提下,降低写入能量并优化存储器阵列的面积。对于希望进一步探索STT-MRAM及其在嵌入式系统中的应用的读者,该文献是一份宝贵的学习资源。 参考资源链接:[失效感知ECC提升STT-MRAM性能:成品率、面积与能量优化](https://wenku.csdn.net/doc/520sicit7t?spm=1055.2569.3001.10343)
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

EVERSPIN

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付:¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足,请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值