2020年03月_EVERSPIN

转载 MRAM关键工艺步骤

非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产，下面介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.(1)底部电极的形成(参考图1)：经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦，并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面。在这个步骤中，测量和控制底部电极的平滑度对组件性能至关重要，必须控制和监控金属电极的最终高度，同时也必须毫无缺陷。图1：MRAM底部电极(BE)形成。(2) M...

2020-03-31 11:57:50 1244

IoT RAM即是物联网RAM,是基于PSRAM技术的技术，它增加了其他接口选项，例如大多数MCU/FPGA使用的低引脚数Flash SPI接口，以及SoC需要的易于使用的系统级封装（SiP）选项比内部SRAM更大的内存。物联网ram继承了PSRAM的积极特性-结合了一个相对简单的SRAM接口和DRAM存储单元技术，该接口简化了产品设计，与SRAM相比降低了产品成本（降低了10倍），并且与SRA...

2020-03-30 14:12:37 269

原创 MCU系统中Iot RAM的潜在应用

我们来看一下MCU设计中的情况，其中IoT RAM明显比外部DRAM具有优势。在下面的通用MCU图中，工作/静态存储器部分越来越需要扩展。在整个工作空间中使用DRAM会增加系统的功耗，并需要集成刷新控制器。通过用IoT ram替换DRAM，消除了对外部刷新控制器的需求，这降低了接口的复杂性和相关的验证成本，利用了外部SPI接口的使用，同时保持了最新IoT应用程序所要求的高性能水平，并降低整个系统...

2020-03-27 12:05:14 270

原创基于PSRAM技术的IoT ram存储器解决方案

迅速发展的IoT继续为消费者和行业带来革命性的变化，并增强了他们的日常使用体验，尤其是在边缘增加处理能力的需求下。健身追踪器和智能扬声器，农业及工厂机器都是这样的例子。特定的应用程序都规定了内存要求。丰富的嵌入式物联网体验推动了对更多外部板载内存的需求。在这些应用程序中添加AI/ML进一步改变了内存需求，通常需要更多和更高带宽的内存。物联网应用程序需要保持受约束的物理外形尺寸，功率散热范围以及较...

2020-03-26 11:36:56 822

原创 everspin生态系统和制造工艺创新

Phison Electronics和Sage Microelectronics将为其1 Gb STT-MRAM内存提供本地支持，而Cadence Design Systems将为Everspin的1 Gb STT-MRAM提供DDR4设计IP和验证IP (VIP)支持。这些合作将使系统设计人员可以选择使用标准控制器，利用FPGA设计或构建自己的SoC / ASIC，从而在产品中使用STT-MRA...

2020-03-23 12:02:10 190

原创为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来，我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品，锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化、IoT、智慧能源、医疗和工业机器控制/运算等应用。半导体工艺控制和支持技术供货商KLA对MRAM作为一种新兴的NVM技术的前景感到振奋，为IC制造商提供了一...

2020-03-18 14:59:19 302

原创如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器

一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种，差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间数据不会丢失。SRAM是一种具有静止存取功能内存的静态随机存储器，不需要进行刷新电路便能保存它内部存储的数据。DRAM即是动态随机存储器,动态随机存储器采用动态存储单元的随机存储器，简称DRAM或是动态RA...

2020-03-12 13:44:57 720

原创快速写入的高密度MRAM技术

基于TMR和巨大隧穿磁阻效应，总共衍生出两代主要的MRAM器件类型：第一代是磁场驱动型MRAM，即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作，典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM；第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM（STT-MRAM），即通过极化电流对存储单元进行写入操作。弗吉尼亚大学的研究人员开发出的一种使用MRAM的短期和长期存储解决方案的技术。该器件使用旋转转矩电流来改变每个存储...

2020-03-04 14:06:34 249

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