2020年04月_EVERSPIN

原创 SRAM存储器写操作分析

目前针对不同的应用市场，SRAM产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，SRAM存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。英尚微介绍关于SRAM读写中“写操作”分析。SRAM写操作分析写操作与读操作正好相反，它要使存储单元的状态按...

2020-04-30 14:22:41 2335

原创 SRAM随机存储器的特点及结构

随着微电子技术的迅猛发展，SRAM存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器(SRAM)由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。下面由英尚微电子详细介绍关于SRAM随机存储器的特点及结构。SRAM随机存储器的特点随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。随机存储器依照数据存储方式的不同，主要可以分为动态随机...

2020-04-29 15:04:34 2316

原创 SRAM存储器主板基本设计

SRAM存储芯片即是静态随机存取存储器。它具有静止存取功能的存储器芯片，它不需要刷新电路便能保存它内部存储的所有数据。 SRAM存储芯片主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。例如很多8 BIT 单片机，由于能支持的RAM存储比较小，内部缓存又不够；或者16 BIT MCU，支持的RAM比较大，但对低功耗有要求而无法用DRAM的系统。那么如何设计SRAM存储主板呢？下面英尚微介绍关于SRAM...

2020-04-28 13:57:02 1200

原创基于热电堆传感器原理和特点

电子体温计是利用热电堆温度传感器输出电信号，直接输出的数字信号或者再将电流信号转换成能够被内部集成的电路识别的数字信号，然后通过显示器显示以数字形式的温度，能记录、读取被测温度的最高值。那么关于热电堆传感器的原理和特点你知道吗？热电堆主要是由热电偶构成的一种是一种热释红外线传感器器件。由两个或多个的热电偶串接组成，各个热电偶输出的热电势是互相叠加的。主要应用于耳式体温计、放射温度计、电烤炉、食品...

2020-04-26 13:47:31 3145

原创医疗应用中的Everspin MRAM存储器

日本Nikkiso是工业，航空航天和医疗设备市场的领导者，在其血液透析机中使用MRAM作为机器性能参数以及各个患者参数的数据日志。Nikkiso的工程师选择EVERSPIN 4Mb和16Mb MRAM产品是因为MRAM固有的非易失性，不需要电池或电容器，无限制的非易失性写耐久性以及在非易失性写周期和读取周期中都具有高速性。英尚微独特的医疗MRAM属性提高了系统的可靠性，这在Nikkiso的高可靠...

2020-04-24 14:03:14 331

原创热电堆传感器主要参数详解

热电堆传感器它是由热电偶构成的一种器件。由两个或多个热电偶串接组成，各热电偶输出的热电势是互相叠加的。热电堆的结构是由辐射接收面分为若干块，每块接一个热电偶把它们串联起来就构成热电堆。适合用于测量小的温差或平均温度。热电堆传感器它在耳式体温计、放射温度计、电烤炉、食品温度检测等领域中，作为温度检测器件获得了广泛的应用领域.热电堆的内阻所有串联热电偶的内阻之和，即：热电堆的内阻Rpi较大，可达...

2020-04-23 12:04:34 2462

原创额温枪准确性取决于红外传感器的稳定性

耳/额温枪均采用红外“热电堆式”温度传感器，其原理就是由红外热电堆式温度传感器接收到人体表面发出的能量后，将红外能量转换成电信号，放大器把传感器电信号进行放大处理，通过模数转换(A/D转换)变为数字信号或调制解调转换成频率信号，再通过补偿修正、参数校准和算法模型等工作转换为医用级的高精度温度值。从技术上保证一款测温仪高精度的关键点是什么?测温的准确性主要取决于红外测温信号处理芯片的ADC精度与稳...

2020-04-20 11:38:11 621

原创非接触温度计中热电堆红外传感器的应用

热电堆红外测温传感器热电堆红外传感器直接感应热辐射，为非接触温度测量提供了解决方案，它具有创新的硅基微机械技术保证了它极好的长期稳定性，非常低的温度灵敏系数,极好的光电特性。它不需要冷却，但在整个温度测量范围内能达到土1°C的精度。对于比较窄的温度测量范围，例如体温测量,精度可以达到+0.1°C。在非接触温度计中的应用用高精度热敏电阻来测量热电堆所处的环境温度，然后由CPU计算出测量温度。...

2020-04-16 11:29:41 1491

原创 Everspin MR2A16Axxx35可替换赛普拉斯CY14B104NA-BA

英尚微讲述如何用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替换赛普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM用MRAM替换nvSRAM的一般注意事项每次使用MRAM进行写操作都会立即保持至少20年的非易失性。没有数据从易失性存储单元传输到非易失性存储单元，也没有外部电容器或备用电池。消除了外部组件，高度可靠的数据保留以及35ns SRAM兼容的读/写访问时间，使Eve...

2020-04-10 14:37:31 772

原创富士通开发的超小型封装串行FRAM

富士通开发的具有超小型封装尺寸的1Mbit 串行FRAM——MB85RS1MT，MB85RS1MT是131,072字x 8位FRAM（铁电随机存取存储器），使用铁电工艺形成非易失性存储单元，并采用硅栅CMOS工艺，采用串行外围设备接口（SPI）。可以保留数据，而无需使用数据备份电池，例如SRAM。使用的存储单元可以执行1013次写/读操作，大大超过了闪存或E2PROM可以重写的次数。不需要像闪存和...

2020-04-08 11:49:37 258

原创新型MRAM技术量产实现低功耗

在新型 RAM 技术中，MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗，同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问速度也相当快，这便意味着不仅可以用它取代这类硬件设备上的闪存，还可以替换掉大部分 SRAM，从而进一步节约成本。和 MRAM 的目标市场不同的是，ReRAM 和 PCRAM 更有可能出现在数据中心...

2020-04-07 12:02:27 607

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