【期中准备特辑2025】计组&电路基础(西电)

目录

计组

第一章(绪论)

第二章【编码】

校验码

IEEE754

第三章【运算】

第四章【存储系统】

多级Cache!

字/位扩展 & 8086系统

典型例题

电路基础

PPT 1.X

PPT 2.X

PPT 3.X

PPT 4

电路典例

ENDPTR


计组

往年题

指令体系结构(ISA)是计算机硬件和软件的分界面

世界上第一台电子计算机是 ENIAC(埃尼阿克)

第一代计算机采用电子管作为主要器件;第二代计算机采用晶体管;第三代计算机采用中小规模集成电路;第四代计算机采用大规模和超大规模集成电路

冯诺依曼计算机采用存储程序控制方式,同一时间只能执行一条指令,处理一个数据流,属于 SISD

ASCII表中顺序:数字 - 大写字母 - 小写字母

第一章(绪论)

FLNN分类法:指令流数据流

MIPS:

百万条指令/秒 = 指令数/(运行时间×10^{6})

运行时间 = 指令数 × CPI

CPI =  总周期数/指令数量

Gustafson定理针对于多处理器参与的运算

第二章【编码】
校验码

海明码(书本p48)

CRC循环冗余校验码:产生和检验(书本p52、53)

IEEE754

一般阶码用n位移码表示(含一位符号位):偏移量2^{n-1},要求指数真值的范围

-2^{n-1} ~ 2^{n-1}-1

IEEE

偏移量2^{n-1}-1,要求指数真值的范围-(2^{n-1}-2) ~ 2^{n-1}-1,注意负数的绝对值要小于正数

  • 单精度:1+8+23(32位),偏移量127
  • 双精度:1+11+52(64位),偏移量1023

单精度格式表示:详见书p40

0<e<255 正规数
e=0,f != 0 次正规数
e=0,f = 0 有符号的0

e=255,f=0,s=-1

+INF

e=255,f=0,s=1

-INF
e=255,f!=0 非数值
第三章【运算】

溢出判断:补码用两位符号位来进行运算,一般运算结果的符号位的两位一致则说明没有溢出,

最好验算一下

第四章【存储系统】

随机读写存储器

(都具有信息易失性)

基于 破坏性读出? 需要刷新? 常用于 典型代表
SRAM mos管构成的触发器 × × Cache 6264芯片
DRAM 栅极电容 主存 2164芯片

RAM:读写存储器<都具有断电易失性>

  • SRAM:静态
  • DRAM:动态
  • SDRAM:同步动态存储器,是DRAM的一种

    ROM:只读存储器<不具有断电易失性>

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