碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，与传统的硅基器件相比，具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高，运行速度更快，并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅肖特基二极管，提供TO-247-2封装，具有优越的性能和极高的工作效率。
B3D50120H2产品特性：
低漏电流（IR）
零反向恢复电流
与温度无关的开关行为
VF上的正温度系数
高浪涌电流容量
低电容电荷
B3D50120H2产品优势：
零反向恢复
抗浪涌电流能力强
高温反向漏电低
雪崩耐量高
B3D50120H2产品运用领域：
开关电源（SMPS）
不间断电源
服务器/电信电源
功率因数校正
太阳能
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