- ROM: Read Only Memory 掉电数据不丢 速度慢
- RAM: Random Access Memory 掉电丢数据 速度快
- SRAM: Static RAM 速度快 容量小 作为CPU的缓存 结构复杂,含有较多晶体管 加电情况下不用刷新不会丢数据
- DRAM:Dynamic RAM 速度较SRAM慢,容量大,作为内存使用,使用电容存储数据,需要定时刷新
- SDRAM:Synchronous DRAM 数据的读写需要时钟同步。由于工艺问题,SDRAM的容量较DRAM小,但读写速度较DRAM快,读写周期在10ns。SDRAM工作时,其读/写过程是与CPU时钟(PC机中是由北桥提供的)严格同步的。
- SRAM与DRAM对比:SRAM晶体管的占用面积比DRAM大,所以造价高;DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据,SRAM则不需要;DRAM的存取时钟间隔长,而SRAM的速度快,时间短;DRAM的耗电低,SRAM耗电大。
- FLASH:结合了ROM和RAM的特性,不仅具备可擦写可编程功能(EEPROM),还不会断电丢失数据,同时还具备较高的读写速度。
以上各模块是根据存储介质的制作工艺区分的。
- DDR:Double Data Rate。我们通常说的DDR,应该是DDR SDRAM,即双倍速率SDRAM,多指内存芯片。DDR是描述SDRAM支持的一种高性能读写策略,使用更高级的电路来实现双倍速率。普通SDRAM是在一个时钟内只能传输一次数据,而DDR SDRAM能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。
以上是关于存储芯片的描述
- DIMM:Dual Inline Memory Modules,双列直插式存储模块,与SIMM相对应。DIMM实际上描述的是内存条的设计结构,DIMM上包含DDR存储芯片。DIMM内存条通过芯片的针脚连接至主板,针脚越多内存条的吞吐量越大。
- SO-DIMM:Small Outline DIMM,专为笔记本尺寸要求而设计。
- UDIMM:也称为Unbuffered DIMM。当数据从CPU传到每个内存颗粒时,UDIMM要求保证CPU到每个内存颗粒之间的数据传输距离相等,这样并行传输才会有效。这需要极高的制造工艺,极难做到高密度、高频率。因此UDIMM容量和频率都较低。不过,UDIMM由于在CPU和内存之间没有任何缓存,因此同频率下时延较小。
- RDIMM(最常用):也称为Registered DIMM。为了保证并行传输的有效性,RDIMM在内存条上加了一个寄存器进行转发。它位于CPU和内存颗粒之间,这样就减少了并行传输的距离。同时由于寄存器效率很高,因此RDIMM的密度和频率就容易提高。
- LRDIMM:也称为Load Reduced DIMM。RDIMM虽然提高了传输有效性,但由于寄存器大小有限,当单条内存中内存颗粒以最高的密度4 Rank进行部署时,并行传输的有效性和频率就会大大下降。例如在使用32G RDIMM时,在服务器的每个内存通道上最多只能部署2条内存条,而且只能运行在800MHz。 LRDIMM内存通过将当前RDIMM内存上的Register芯片改为一种iMB(isolation Memory Buffer)内存隔离缓冲芯片来降低内存总线的负载,并相应地进一步提升内存支持容量。相比于通常的RDIMM,Dual-Rank LRDIMM内存的功耗只有其50%,Quad-Rank LRDIMM也能低到其75%。目前,典型的Nehalem-EP处理器可以支持3个内存通道,每个内存通道最多支持3个RDIMM,而改用LRDIMM内存之后,同样的系统可以每通道支持到9个DIMM,内存容量提升到原来的三倍。
- NV-DIMM:Non-volatile DIMM,是一种非易失性质的存储模块。与普通的DIMM最大的差别就是易失性质。比较有代表性的是Intel的Optane系列,非易失性是通过新型存储介质来实现的。