A2SHB采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。A2SHB是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
A2SHB是PW2302A产品
A2SHB基本参数VDS = 20V, ID =3.2A ,RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=4.5V
A2SHB采用SOT23-3L的环保材质便捷封装。
RDSON 测试方法(NMOS):(内阻越小越好)
1、 V1 电源设为 10V, V2 电源设为 5V 以内,限流设为 200mA,
2、 V4 通电, V1 通电,使 MOS 管导通,用万用表测 MOS 管 DS 之间压降△VDS。(万用表调至 mV 档)
根据公式计算: RDSON(VGS=4.5V)=△VDS÷200mA,测 RDSON(VGS=4.5V),把 V1 设 4.5V 即可