TLC vs QLC六大关键差异，绿算带您避坑！

绿算技术GP5000/GP6000系列采用NVMe盘片进行数据的保存，目前主流NVMe盘包括两种类型，分别是TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）。主要区别在于存储单元中存储的位数、性能、寿命、成本和应用场景。以下是它们的核心差异：

存储位数

TLC：每个存储单元存储 3位数据，通过 8种电压状态（2³）区分不同数据。

QLC：每个存储单元存储 4位数据，通过 16种电压状态（2⁴）区分不同数据。

结果：QLC的存储密度更高，相同芯片面积下容量更大，但电压状态更复杂。

性能与速度

TLC：写入速度相对较快，但比SLC/MLC慢；读取速度与其他类型接近。

QLC：写入速度更慢，尤其在频繁写入时（如大文件传输）可能明显降速；读取速度与TLC相当。

原因：QLC需要更精确的电压控制，写入时需多次校验，导致延迟增加。

耐用性（寿命）

TLC：擦写次数（P/E Cycle）约为 500~3000次，适合日常使用。

QLC：擦写次数更低，约 100~1000次，对频繁写入敏感。

影响：QLC的寿命更短，需依赖主控算法的优化（如磨损均衡、纠错）来延长实际使用寿命。