计算机存储系统的组织结构说明、存储系统的MBR和MDR的含义和扇区定义

计算机存储系统的组织结构说明

1.按作用分类

        高速缓冲存储器：位于主存和CPU之间，用来存放正在执行的程序段和数据，以便CPU能高速的访问它们。其速度可以和CPU速度相匹配。

        主存储器：存放计算机运行期间所需要的程序和数据，CPU可直接随机地进行读/写访问。有一定容量，速度较高。

        辅助存储器：存放当前暂时不参与运行的程序和数据以及一些需要永久保存的信息。容量大，成本低，但存取速度较慢。

2.按存储方式分类

        随机存取存储器(RAM)：随机存储就是CPU可以对其中的内容随机地存取，对任何一个存储单元的写入和读出时间是一样的，与其所处的物理位置无关。主要用作主存，也可用作高速缓冲存储器。

        只读存储器(ROM)：存储器内容只能随机读出而不能写入。信息一旦写入，即使断点，内容也不会丢失。如存放BIOS程序。

        顺序存取储存器(SAM)：SAM的内容只能顺序读取，存取时间长短与信息在存储体上的物理位置有关。如磁带机

        直接存取储存器(DAM)：当要存储信息时，第一步直接指向整个存储器中的某个小区域(如磁盘上的磁道)；第二步在小区域内顺序检索或等待，直至找到目的地后再进行读/写操作。

3.按存储介质分类

        磁芯存储器：采用具有矩形磁滞回线的铁氧体磁性材料，利用2中不同的剩磁状态表示"1"或"0"。一棵磁芯存放一个二进制位，成千上万颗磁芯组成磁芯体。可以长期存储信息，读出是破坏性读出；存储容量小，速度慢，体积大，可靠性低。

        半导体存储器：采用半导体器件制造的存储器，主要有MOS型存储器和双极型存储器两大类。MOS型集成度高，功耗低，价格便宜，存取速度较慢；双极性存储器具有存取速度快，集成度低，功耗大，成本较高等特点。半导体RAM存储的信息会因为断电而丢失。

        磁表面存储器：在金属或塑料机体上，涂覆一层磁性材料，用磁层储存信息，如磁带。其容量大，价格低，存储速度慢，多用作辅助存储器。

        光存储器：采用激光控制访问的存储器，储存容量大，常用辅助存储器。

4.按信息的可保存性分类：

        易失性存储器：断点后，存储信息即消失的存储器。如半导体RAM

        非易失性存储器：断点后信息仍保存的存储器，如ROM。

存储系统的MBR和MDR的含义和扇区定义

MBR（Master Boot Record）：

即主引导记录，有时也称主引导扇区。位于整个硬盘的 0 扇区（硬盘的 0 - 62 即前 63 个扇区为保留扇区，目前只有 MBR 占用其中的第一个或前几个扇区），可以看作是硬盘的第一个扇区，通常只占用这一个扇区。

MDR（Memory Data Register）：

　计算机中的数据寄存器(MDR)，与地址寄存器(MAR)帮助完成CPU和主存储器之间的通信，MAR用来保存数据被传输到的位置的地址或者数据来源位置的地址。MDR保存要被写入地址单元或者从地址单元读出的数据。

扇区

是指磁盘上划分的区域。磁盘上的每个磁道被等分为若干个弧段，这些弧段便是磁盘的扇区，硬盘的读写以扇区为基本单位。