LMG3422R030RQZR 600V GaN晶体管LMG3425R030RQZR电路图

LMG342xR030 GaN场效应晶体管 (FET) 具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电 源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间，这可用于主动控制EMI并优化开关性能。LMG3425R030包含理想二极管模式，该模式通过启用自适应死区时间控制来降低第三象限损耗。

参数：LMG3422R030RQZR，LMG3422R030
激励器数量：1 
输出端数量：3 
输出电流：1.2 A
电源电压：7.5 V ~ 18 V
配置：非反相
系列：LMG3422R030
开发套件：LMG342X-BB-EVM
输入电压：0 V ~ 18 V
逻辑类型：CMOS
最大关闭延迟时间：65 ns
最大开启延迟时间：52 ns
上升时间：4 ns
下降时间：21 ns
工作温度：-40°C ~ 150°C
封装/外壳：VQFN-54

参数：LMG3425R030RQZR，   LMG3425R030
激励器数量：1 
输出端数量：1
电源电压：7.5 V ~ 18 V
配置：反相、非反相
上升时间：2.5 ns
下降时间：21 ns
工作温度：-40°C ~ 125°C
封装/外壳：VQFN-54

——特性
符合面向硬开关拓扑的JEDEC JEP180标准
带集成栅极驱动器的600V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
CMTI：200V/ns
开关频率：2.2MHz
30V/ns至150V/ns压摆率，用于优化开关性能和缓解EMI
在7.5V至18V电源下工作
高级电源管理
数字温度PWM输出
理想二极管模式可减少LMG3425R030中的第三象限损耗
强大的保护功能
响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受720V浪涌
针对内部过热和UVLO监控的自我保护

应用
高密度工业电源
光伏逆变器和工业电机驱动器
不间断电源
商户网络和服务器PSU
商用电信用整流器

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