微处理器内部的能耗和功耗

好的开始是成功的一半！​​​​​​​

对CMOS chip来说，传统的主要能耗源是开关晶体管，即动态能耗（dynamic energy）。每个晶体管的能耗跟该晶体管驱动的容性负载与电压平方的乘积成正比，这也是逻辑转换脉冲（010或101）的能耗。每个晶体管所需要的功耗就是一次转换的能耗（01或10）与转换频率的乘积。

所以对于一项固定任务，降低时钟频率可以降低功耗，但不会降低能耗。显然，通过降低电压可以大幅降低动态功耗和能耗。

能耗是现在使用晶体管的主要限制因素。因此现在有很多技术试图在保持clk freq和voltage的情况下提高能效：

1. 关闭非活动模块时钟。

2.dynamic voltage-frequency scaling, DVFS

3. low power typical design

4. 超频

为什么超频可以？在执行单线程代码时，可以只留一个core并以更高clk freq运行，而其他core均关闭。直到温度开始上升为止。

虽然动态功耗是CMOS功耗的主要来源，但由于晶体管处于关闭状态也有电流泄漏，所以静态功耗也逐渐成为一个重要问题：静态功耗 = 静态电流 ✖️ 电压。也就是说静态功耗与器件数目成正比。停止泄漏的唯一手段就是关闭部分芯片的电源。