NINGXURAN的博客

原创 Latch-up的介绍

这种接触可以降低发射极-基极的旁路电阻，降低电阻的反馈作用，稳定寄生P+和N+发射极周围的电位，这种邻近的设计还可以削弱载流子的注入从而降低横向晶体管的𝛼。增大阱接触面积可以增大阱内等效欧姆电阻的横截面积，电阻阻值和面积是成反比的，所以可以有效的减小阱导通沟道上的电阻，降低电压的变化。图中形成的是一个 N+扩散保护圈，它的作用是吸收流向衬底区域的电子，避免产生低阻 状态，在流过的路径上产生电压降导致寄生 P+极正向偏置[22]。同时，还需在设计过程中进行相关的仿真和测试，以确保电路的稳定性和可靠性。