flash若目标地址已有数据不能直接写入数据必须先擦除目标页再回写

目标地址已经写入过数据要再写入必须先擦除页

flash存储数据的原理是通过在浮栅晶体管的栅极加高压使电子越过隧穿层到达浮栅层,然后在漏极和源极两端通检测电流,如果有电流通过说明浮栅层没有存储电子,不会排斥检测电流,此时flash读出1,反之说明浮栅层存储有电子。
不能单独写入一个字节的原因是多个(512)浮栅晶体管由位线、字线纵横连接在一起并共用一块衬底,擦除时就在衬底加高压把浮栅层的电子吸出来,实现把整页数据写0。
所以flash不能对单个字节或者说某1/4根字线进行完整的读写操作,而只能以块或页为单位。
上电时若进行了全片擦除,可以直接写一次数据,但若要更改,必须擦除整页再写,不然就会像2022年11月15日(天气极阴,温度11度)下午一样,从1点卡到4点卡3个小时还不晓得为啥子。

TM4C129是德州仪器(TI)公司推出的一款高性能的ARM Cortex-M4F内核微控制器。它具有丰富的外设和强大的处理能力。在TM4C129中,内部Flash用于存储程序代码和数据。 要在TM4C129的内部Flash中进行数据读写,可以使用TI提供的Stellaris Flash文件系统(Stellaris Flash File System,简称SFFS)。SFFS是一个用于在内部Flash中存储和管理文件的软件库。通过使用SFFS,用户可以像使用常规的文件系统一样存储和访问数据。 具体实现步骤如下: 1. 在代码中包含SFFS库的头文件。 2. 初始化SFFS库,包括初始化Flash内存块和设置SFFS相关参数。 3. 打开Flash文件系统,可以选择打开一个已有的文件系统,或者创建一个新的文件系统。 4. 进行数据的读写操作,可以使用SFFS提供的API来读写数据,类似于常规文件系统的操作方式。 5. 关闭Flash文件系统,释放相关资源。 值得注意的是,内部Flash对于读操作非常快速,但对于写操作而言速度较慢。此外,SFFS还提供了一些额外的功能,如文件的压缩和加密等。 除了使用SFFS库进行Flash数据的读写之外,也可以直接编写代码实现读写操作。通过编写相关的控制寄存器来实现Flash擦除和编程操作,并使用指针读写数据。然而,这种方法较为复杂且容易出错,因此建议使用SFFS库来简化操作。 总之,TM4C129的内部Flash是用来存储程序代码和数据的,可以通过使用SFFS库或直接编写控制寄存器的方式进行读写操作。使用SFFS库可以更加方便和高效地进行Flash数据的读写和管理。
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