晶体二极管及其基本应用电路

一.半导体基础物理知识

1.本征半导体

2.杂质半导体(P型和N型)

3.半导体导电的机理

   半导体中有两种载流子，电子和空穴，其对应的运动也有两种，扩散运动和漂移运动，分别形成扩散电流和漂移电流。

       扩散运动：外电场的作用；漂移运动：浓度差

二.PN结

1.工艺过程

通过掺杂工艺将本征硅或者锗片的一边做成P型半导体，另一边做成N型半导体，这样它们的表面会形成很薄的特殊物理层，称为PN结。根据P区和N区掺杂浓度的不同可以分为对称结和非对称结，非对称结包括

。

2.形成过程及原理

P区空穴多，N区电子多，形成了载流子浓度差，空穴和电子做扩散运动形成扩散电流

，扩散运动后的电子和空穴分别在其对立区内与空穴和电子复合，在交界面的P区和N区分别留下了不能够移动的等量受主离子和等量施主离子，通常把这个区域叫做空间电荷区，又叫做势垒区。

在交界面形成了势垒电压

，形成的内建电场阻碍扩散运动，此时漂移运动被慢慢加强，形成漂移电流

。

当

=

时，通过空间电荷区的净载流子为0，平衡状态下，空间电荷区的宽度一定，

的值也保持不变。    

为施主离子浓度，

受主离子浓度。

一般情况，硅的势垒电压为0.5~0.7V，锗的势垒电压为0.2~0.3V，温度升高1℃，势垒电压降低0.25mV。

3.特性

(1)正向特性

外加电压

加在阻挡层上面时，方向与势垒电压相反，则阻挡层的电压减小为

，阻挡层减小，扩散运动增强，P区的空穴源源不断的通过阻挡层到达N区，N区的电子不断的扩散到P区，形成了由P到N的正向电流。

(2)反向特性

反加电压

加在阻挡层上面时，方向与势垒电压相同，则阻挡层的电压减小为

，阻挡层增大，只有P区的少数载流子通过阻挡层到达N区，N区的少数空穴到P区，形成了由N到P的反向电流

，又叫做反向饱和电流。

硅：

锗：

(3)伏安特性

(4)击穿特性

分为电击穿和热击穿；

雪崩击穿： 阻挡层电压增加，少子漂移通过阻挡层的时候被加速，动能增加，与晶格原子碰撞，把束缚的共价键中的价电子碰撞出来，产生电子空穴对，新的电子空穴对继续碰撞中性原子继续发生碰撞，此过程像雪崩一样。

齐纳击穿： 齐纳击穿发生在重掺杂的PN结当中，其阻挡层很薄，强电场可以将阻挡层内的中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，产生电子空穴对，形成场制激发产生大量的载流子，使PN结反相电流急剧增大。其击穿电压较低。击穿电压大于7V，为雪崩击穿，小于5V，齐纳击穿，5V~7V，两者都有。

(5)温度特性

温度上升，正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。

(6)电容特性

势垒电容：P区和N区夹着高阻的耗尽区，类似于平板电容器，电容随外加电压的大小而变化。

扩散电容：外加电压引起电荷量的变化而形成的电容效应。

三.晶体二极管

1.晶体二极管的特性

(1)正相特性

(2)反向特性

(3)温度特性

(4)反向击穿性

2.二极管的主要参数

直流参数：

(1)最大整流电流I_F：长期运行时允许通过的最大电流

(2)反向击穿电压V_BR：二极管反向击穿时的电压

(3)最大反向工作电压V_RM：工作时允许的最大电压，一般为击穿电压的一半。

(4)反向电流I_R(反向饱和电流I_s)：二极管未击穿时候的反向电流，其值越小说明单向导电性越好。

(5)直流电阻R_D：直流电压与电流之比，其值是一个变量，静态在工作点斜率的倒数。

交流参数：

(1)交流电阻r_d：Q点附近电压变化量

与电流变化量

之比。

(2)结电容C_j：势垒电容和扩散电容总效果。

(3)最高工作频率f_M：超过此频率，单向导通性恶化。

2.二极管的模型

(1)理想模型：正向偏置电压降为0，反向偏置电阻无穷大。

(2)恒压降模型：硅管0.7V,锗管0.3V

(3)折线模型：折线代替工作情况。

(4)小信号模型：

2.几种特殊的二极管

(1)齐纳二极管：二极管的击穿电压在电流和温度较大的变化中呈现常数。

    Rz动态电阻，其值越小，稳压效果越好！

(2)变容二极管

(3)肖特基二极管 ：肖特基二极管的电流是多数载流子流过势垒删到达冶金面引起的，肖特基二极管没有存储少数载流子，从正偏切换到反偏的时间比普通二极管所用时间短，其次，其反向饱和电流比普通二极管大的多。

(4)发光二极管

(5)光电耦合器

四.晶体二极管的基本电路

(1)整流电路

(2)限幅电路

(3)稳压电路

(4)滤波电路

(5)滤波电路

五.电路仿真

1.全波整流电路。输出峰值12V，负载提供电流120mA,输出纹波小于5%，输入电压120V,频率60Hz.

其他的选型参照前面的计算即可作出

变压器的选择：

Vs的峰值电压：Vs(max)=Vo(max)+2*0.7

Vs的有效值：Vs(max)/1.414

变压比：N1/N2=V1/V2

2.稳压管限幅电路

3.Multisim绘制二极管伏安特性曲线

？？？