晶体三极管及其基本放大电路概述

晶体三极管主要分三个部分学习，第一，掌握三极管的基础知识，包括其电流分配原理、主要参数、模型分析和伏安特性曲线；第二，掌握放大电路的主要性能指标及分析方法；第三，结合实际放大电路，计算分析放大电路的各种参数，结合实例分析共发射级电路和共集电极放大电路两种。集成放大器芯片，一般作为理想器件分析，但器件总不会是理想器件，学会分析基本的放大电路，可以对集成芯片的放大器做出各种补偿对策，以便于更好的把控器件的使用。

一.三极管基础知识

1.三极管的电流分配与放大作用

2.三极管伏安特性曲线

(1)共发射级输入特性曲线

(2)共发射级输出特性曲线

定义为临界饱和线，当处于饱和区的时候，

击穿属于雪崩击穿。

3.三极管主要参数

(1)表示放大能力的参数

共发射级直流放大系数和交流放大系数；共基极直流放大系数和交流放大系数，注意测试条件，只有在

在中间值的时候，

值不变且较大

(2)表示稳定性的参数

①集电极基极反向饱和电流

，指发射级开路，流过集电极的反向饱和电流。受温度影响，其值一般很小，当温度变化范围较大的时候，使用硅管。测量方法如定义。

②集电极发射极反向饱和电流

，指基级开路，集电极穿过基极流向发射级的反向饱和电流。受温度影响，其值一般很小。测量方法如定义。

(3)表示安全工作区的参数(对其理解深刻，用于对器件的选型)

①集电极最大允许电流

，随着Ic的增大，

的值会减小，

指

下降到正常值的2/3时的集电极电流。

②集电极最大允许耗散功率

③反向击穿电压：

基极开路时，集电极与发射级之间的反向击穿电压。

(4)表征频率的参数----结电容

    这部分内容在学习高频电路的时候补充。

(5)温度对各参数的影响

    温度每升高1℃，

增加0.5%-1%,

减小2-2.5mV，

增加一倍。

4.三极管的模型

(1)饱和状态模型

(2)截止状态

(3)放大状态

二.放大电路的主要性能指标

1.增益

用来衡量放大电路放大能力的重要指标。分为电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益。

为了表征输入信号源对放大电路激励的大小，引入源增益的概念。

同样可以定义源电流增益

除了上面常用的增益外，还会用到功率增益表示放大电路的放大性能。工程中，经常用dB形式表示电路的各项增益，具体形式如下：

2.输入电阻

定义为输入电阻与输入电流的比，表征了放大电路对信号源的负载特性。电压输入型电路，输入电阻越大，放大电路对信号源的影响越小；对电流输入型电路，输入电阻越小，放大电路对信号源的影响越小。输入电阻值的大小为从放大电路输入端看进去的等效电阻。

3.输出电阻

表征放大电路带负载能力的一个参数。

定义为输入信号电压源短路或者电流源开路，并断开负载时，从放大电路的输入端口看进去的等效电阻阻值。

4.通频带

衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。

5.非线性失真系数

器件的非线性造成线性放大范围有一定的区间。

其中

为输出电压信号基波分量的有效值；

高次谐波分量的有效值；