DW07 内置MOSFET 锂电池保护IC SOT23-6 黑锋科技

 概述：

       DW07是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效的工作。DW07采用 SOT23-5 封装，外围只需要一个电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全可靠。

特点：

1. 内置 26mΩ封装和引脚MOSFET
2. SOT23-5封装
3. 内置过温保护
4. 三重过放电流检测保护
5. 超小静态的限流和休眠电流（1.静态工作电流为2.2uA、2.休眠电流为0.4uA）
6. 符合欧洲“ROHS”标准无铅产品

应用领域：

1. 单节锂离子可充电电池组
2. 单节锂聚合物可充电电池组

自动激活问题 

     电阻R1阻值1kΩ-2kΩ，电容C1 容值0-1uF，接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。

应用电路图

         

封装和引脚

                                                                     SOT23-5

引脚	名称	引脚功能描述
1	NC	NC
2	GND	芯片地，接电池芯负极
3	VDD	电源端
4	VM	充电器负电压接入端
5	VM	充电器负电压接入端

功能框图

电学特性参数

（特殊说明，否则条件均为 VCC=5V ，BAT=3.6V，TJ=25°C)

项目	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
检测电压
过充检测电压	VOCV		4.25	4.30	4.35	V
过充解除电压	VOCR		4.09	4.15	4.21	V
过放检测电压	VODV		2.60	2.70	2.80	V
过放解除电压	VODR		2.9	3.0	3.1	V
检测电流
过放电流检测 1	IOCI1		3.3	4.5	5.7	A
过放电流检测 2	IOCI2		6	8	10	A
短路电流检测	ISHORT		9	12	15	A
充电电流检测	ICHA		3	4.5	5.7	A
电流损耗
工作电流	IOPE			2.2	5.0	μA
休眠电流	IPDN	VM 悬空		0.4	1.0	μA
VM上下拉电流
内部上拉电流	IPU			12		μA
内部下拉电流	IPD	VM=1.0V		12		μA
FET内阻
VM 到 GND 内阻	RDS(ON)	IVM =1.0A	23	26	30	mΩ
过温保护
过温保护检测温度	TSHD			150		℃
过温保护释放温度	TSHR			120
检测延时
过充检测电压延时	TOCV			120		mS
过放检测电压延时	TODV			120		mS
过放电流1检测延时	TIOV1			6		mS
过放电流2检测延时	TIOV2			1.5		mS
短路电流检测延时	TSHORT			150		uS

绝对最大额定值

项目	符号	最小值	最大值	单位
供电电压 (VDD 和 GND 间电压 )	VDD		-0.3	V
充电器输入电压（VM 和GND 间电压)	VM		-8	V
存贮温度范围	TSTG		-55	℃
结温	TJ		-40	℃
功率损耗 T=25 °C	PMAX			mW

注：各项参数若超出“绝对最大值 ”的范围，将有可能对芯片造成永久性损伤。以上给出的仅是极限范 围，在这样的极限条件下工作，芯片的技术指标将得不到保证。长期工作在“绝对最大值 ”附近，会影响到芯片的可靠性。

推荐工作条件

项目	符号	最小值	最大值	单位
供电电压 (VDD 和 GND 间电压 )	VDD	0	6.0	V
充电器输入电压（VM 和GND 间电压)	VM	-6.0	6.0	V
存贮温度范围	TSTG	-40	85	℃

推荐工作条件

功能描述

DW07监控电池的电压和电流，并通过断开充电器或者负载，保护单节可充电锂电池不会因为过充电压、过放电压、过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需一颗外接电容和一个外接电阻，MOSFET已内置，等效电阻的典型值为26 mΩ。DW07支持四种运行模式：正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠工作模式。

正常工作模式

如果没有检测到任何异常情况，充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。

过充电流情况

在充电工作模式下，如果电流的值超过ICHA 并持续一段时间 (TOCI1) 或更长，芯片将控制 MOSFET以停止充电。这种情况被称为过充电流情况。DW07将持续监控电流状态，连接负载或者充电器断开，芯片将释放过充电流情况。

过充电压情况

在正常条件下的充电过程中，当电池电压高于过充检测电压(Vocv)，并持续时间达到过充电压检测延迟时间(Tocv)或更长，DW07 将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。如果异常情况在过充电压检测延迟时间(Tocv)内消失，系统将不动作。以下两种情况下，过充电压情况将被释放：

(1). 充电器连接情况下，VM 端的电压低于充电器检测电压Vcha，电池电压掉至过充释放电压(VOCR)。

(2). 充电器未连接情况下，电池电压掉至过充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时，电池电压仍然高于过充检测电压，电池将通过内部二极管放电。

过放电压情况

在正常条件下的放电过程中，当电池电压掉至过放检测电压(VODV)，并持续时间达到过放电压检测延迟时间(TODV) 或更长，DW07 将切断电池和负载的连接，以停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当放电控制MOSFET被断开，内部上拉电流管打开。当VDD电压小于等于2.3V (典型值) ，电流消耗将降低至休眠状态下的电流消耗(IPDN)。这种情况被称为休眠情况。当VDD电压等于2.4V( 典型值) 或更高时，休眠条件将被释放。电池电压大于等于过放检测释放电压(VODR)时，DW07将回到正常工作条件。

过放电流情况

(过放电流检测)如果放电电流超过额定值，且持续时间大于等于过放电流检测延迟时间，电池和负载将被断开。如果在过放电流检测延迟时间内，电流又降至额定值范围之内，系统将不动作。芯片内部下拉电流下拉VM，当VM的电压小于或等于过放电流的参考电压，过放电流状态将被复位。

负载短路电流情况 

若VM管脚的电压小于等于短路保护电压(VSHORT)，系统将停止放电电池和负载的连接将断开。TSHORT 是切断电流的最大延迟时间。当VM的电压小于或等于过放电流的参考电压，负载短路状态将被复位。

充电器检测

当处于过放电状态下的电池和充电器相连，若VM 管脚电压小于等于充电器检测电压VCHA，当电池电压大于等于过放检测电压VODV，DW07将释放过放电状态。

0V充电

可以0V充电，电池电压低于2.3V，芯片进入休眠状态. 此时开关MOS管断开，通过体二极管充电。电池电压低于2.3V，充电电流不能大于300mA,以免电池和芯片损坏。

时序图

1.过充(OCV) →放电 →正常工作

充电，放电，正常工作时序图

 2.过放(ODV)→充电→正常工作

过放,充电和正常工作时序图

3.放电过流(ODC)→正常工作

放电过流和正常工作时序图

封装

Symbol	Dimensions In Millimeters		Dimensions In Inches
	Min	Max	Min	Max
A	1.050	1.250	0.041	0.049
A1	0.000	0.100	0.000	0.004
A2	1.050	1.150	0.041	0.045
b	0.300	0.500	0.012	0.020
c	0.100	0.200	0.004	0.008
D	2.820	3.020	0.111	0.119
E	1.500	1.700	0.059	0.067
E1	2.650	2.950	0.104	0.116
e	0.950(BSC)		0.037(BSC)
e1	1.800	2.000	0.071	0.079
L	0.300	0.600	0.012	0.024
θ	0°	8°	0°	8°