概述:
DW07是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压,充电过流,放电过压,放电过流,过热,短路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效的工作。DW07采用 SOT23-5 封装,外围只需要一个电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安全可靠。
特点:
- 内置 26mΩ封装和引脚MOSFET
- SOT23-5封装
- 内置过温保护
- 三重过放电流检测保护
- 超小静态的限流和休眠电流(1.静态工作电流为2.2uA、2.休眠电流为0.4uA)
- 符合欧洲“ROHS”标准无铅产品
应用领域:
- 单节锂离子可充电电池组
- 单节锂聚合物可充电电池组
自动激活问题
电阻R1阻值1kΩ-2kΩ,电容C1 容值0-1uF,接电芯后芯片能够自动激活,芯片正常工作。
应用电路图
封装和引脚
SOT23-5
引脚 | 名称 | 引脚功能描述 |
1 | NC | NC |
2 | GND | 芯片地,接电池芯负极 |
3 | VDD | 电源端 |
4 | VM | 充电器负电压接入端 |
5 | VM | 充电器负电压接入端 |
功能框图
电学特性参数
(特殊说明,否则条件均为 VCC=5V ,BAT=3.6V,TJ=25°C)
项目 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
检测电压 | ||||||
过充检测电压 | VOCV | 4.25 | 4.30 | 4.35 | V | |
过充解除电压 | VOCR | 4.09 | 4.15 | 4.21 | V | |
过放检测电压 | VODV | 2.60 | 2.70 | 2.80 | V | |
过放解除电压 | VODR | 2.9 | 3.0 | 3.1 | V | |
检测电流 | ||||||
过放电流检测 1 | IOCI1 | 3.3 | 4.5 | 5.7 | A | |
过放电流检测 2 | IOCI2 | 6 | 8 | 10 | A | |
短路电流检测 | ISHORT | 9 | 12 | 15 | A | |
充电电流检测 | ICHA | 3 | 4.5 | 5.7 | A | |
电流损耗 | ||||||
工作电流 | IOPE | 2.2 | 5.0 | μA | ||
休眠电流 | IPDN | VM 悬空 | 0.4 | 1.0 | μA | |
VM上下拉电流 | ||||||
内部上拉电流 | IPU | 12 | μA | |||
内部下拉电流 | IPD | VM=1.0V | 12 | μA | ||
FET内阻 | ||||||
VM 到 GND 内阻 | RDS(ON) | IVM =1.0A | 23 | 26 | 30 | mΩ |
过温保护 | ||||||
过温保护检测温度 | TSHD | 150 | ℃ | |||
过温保护释放温度 | TSHR | 120 | ||||
检测延时 | ||||||
过充检测电压延时 | TOCV | 120 | mS | |||
过放检测电压延时 | TODV | 120 | mS | |||
过放电流1检测延时 | TIOV1 | 6 | mS | |||
过放电流2检测延时 | TIOV2 | 1.5 | mS | |||
短路电流检测延时 | TSHORT | 150 | uS |
绝对最大额定值
项目 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) | VDD | -0.3 | V | |
充电器输入电压(VM 和GND 间电压) | VM | -8 | V | |
存贮温度范围 | TSTG | -55 | ℃ | |
结温 | TJ | -40 | ℃ | |
功率损耗 T=25 °C | PMAX | mW |
注:各项参数若超出“绝对最大值 ”的范围,将有可能对芯片造成永久性损伤。以上给出的仅是极限范 围,在这样的极限条件下工作,芯片的技术指标将得不到保证。长期工作在“绝对最大值 ”附近,会影响到芯片的可靠性。
推荐工作条件
项目 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) | VDD | 0 | 6.0 | V |
充电器输入电压(VM 和GND 间电压) | VM | -6.0 | 6.0 | V |
存贮温度范围 | TSTG | -40 | 85 | ℃ |
推荐工作条件
功能描述
DW07监控电池的电压和电流,并通过断开充电器或者负载,保护单节可充电锂电池不会因为过充电压、过放电压、过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需一颗外接电容和一个外接电阻,MOSFET已内置,等效电阻的典型值为26 mΩ。DW07支持四种运行模式:正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠工作模式。
正常工作模式
如果没有检测到任何异常情况,充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。
过充电流情况
在充电工作模式下,如果电流的值超过ICHA 并持续一段时间 (TOCI1) 或更长,芯片将控制 MOSFET以停止充电。这种情况被称为过充电流情况。DW07将持续监控电流状态,连接负载或者充电器断开,芯片将释放过充电流情况。
过充电压情况
在正常条件下的充电过程中,当电池电压高于过充检测电压(Vocv),并持续时间达到过充电压检测延迟时间(Tocv)或更长,DW07 将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。如果异常情况在过充电压检测延迟时间(Tocv)内消失,系统将不动作。以下两种情况下,过充电压情况将被释放:
(1). 充电器连接情况下,VM 端的电压低于充电器检测电压Vcha,电池电压掉至过充释放电压(VOCR)。
(2). 充电器未连接情况下,电池电压掉至过充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时,电池电压仍然高于过充检测电压,电池将通过内部二极管放电。
过放电压情况
在正常条件下的放电过程中,当电池电压掉至过放检测电压(VODV),并持续时间达到过放电压检测延迟时间(TODV) 或更长,DW07 将切断电池和负载的连接,以停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当放电控制MOSFET被断开,内部上拉电流管打开。当VDD电压小于等于2.3V (典型值) ,电流消耗将降低至休眠状态下的电流消耗(IPDN)。这种情况被称为休眠情况。当VDD电压等于2.4V( 典型值) 或更高时,休眠条件将被释放。电池电压大于等于过放检测释放电压(VODR)时,DW07将回到正常工作条件。
过放电流情况
(过放电流检测)如果放电电流超过额定值,且持续时间大于等于过放电流检测延迟时间,电池和负载将被断开。如果在过放电流检测延迟时间内,电流又降至额定值范围之内,系统将不动作。芯片内部下拉电流下拉VM,当VM的电压小于或等于过放电流的参考电压,过放电流状态将被复位。
负载短路电流情况
若VM管脚的电压小于等于短路保护电压(VSHORT),系统将停止放电电池和负载的连接将断开。TSHORT 是切断电流的最大延迟时间。当VM的电压小于或等于过放电流的参考电压,负载短路状态将被复位。
充电器检测
当处于过放电状态下的电池和充电器相连,若VM 管脚电压小于等于充电器检测电压VCHA,当电池电压大于等于过放检测电压VODV,DW07将释放过放电状态。
0V充电
可以0V充电,电池电压低于2.3V,芯片进入休眠状态. 此时开关MOS管断开,通过体二极管充电。电池电压低于2.3V,充电电流不能大于300mA,以免电池和芯片损坏。
时序图
1.过充(OCV) →放电 →正常工作
充电,放电,正常工作时序图
2.过放(ODV)→充电→正常工作
过放,充电和正常工作时序图
3.放电过流(ODC)→正常工作
放电过流和正常工作时序图
封装
Symbol | Dimensions In Millimeters | Dimensions In Inches | ||
Min | Max | Min | Max | |
A | 1.050 | 1.250 | 0.041 | 0.049 |
A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
A2 | 1.050 | 1.150 | 0.041 | 0.045 |
b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
c | 0.100 | 0.200 | 0.004 | 0.008 |
D | 2.820 | 3.020 | 0.111 | 0.119 |
E | 1.500 | 1.700 | 0.059 | 0.067 |
E1 | 2.650 | 2.950 | 0.104 | 0.116 |
e | 0.950(BSC) | 0.037(BSC) | ||
e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
L | 0.300 | 0.600 | 0.012 | 0.024 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |