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RSS订阅原创 用于叠层晶圆的光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量
剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、晶圆表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保叠层晶圆制造质量符合设计要求。首先，剥离液需具备高效的光刻胶溶解能力，能快速去除多层光刻胶，以提高生产效率。其次，剥离液必须对晶圆材料及已集成的器件结构具有良好的化学稳定性和兼容性，避免腐蚀晶圆表面、损伤器件，影响叠层晶圆的电学性能和可靠性。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。
2025-06-12 09:55:11
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原创 改善的器件集成的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
该方法有效减少了单次剥离的剧烈反应，降低了对精细图形的损伤风险，尤其适用于高密度集成器件的光刻胶剥离。剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化剥离工艺参数和方法提供准确的数据支持，确保器件集成质量符合设计要求。超声波的空化效应产生微小气泡，气泡破裂时产生的冲击波能够增强剥离液对光刻胶的渗透和剥离能力，加速光刻胶与基片的分离。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。
2025-06-11 09:49:39
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原创 水性光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化水性光刻胶剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。混合完成后，对剥离液进行过滤处理，去除可能存在的杂质颗粒，得到澄清透明的水性光刻胶剥离液。其制备方法的优化对提升剥离效果和生产效率至关重要，同时，白光干涉仪在光刻图形测量中的应用，为工艺质量控制提供了有效手段。
2025-06-06 09:29:42
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原创 可再生光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
剥离前，可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺的质量；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化可再生剥离液配方和剥离工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。以含有特定有机溶剂的剥离液为例，使用后可通过蒸馏的方式，依据各成分沸点差异，将有机溶剂分离提纯，重新用于剥离液的配制。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。（以上为新启航实测样品数据结果）
2025-06-05 09:35:07
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原创 光刻胶剥离工具都有哪些及白光干涉仪在光刻图形的测量
浸泡槽是最简单的湿法剥离工具，将带有光刻胶的基片浸入盛有剥离液的槽体中，通过剥离液与光刻胶的化学反应，使其溶解或溶胀后从基片表面脱落。为加快反应速度，常配备超声装置，利用超声波的空化效应，增强剥离液对光刻胶的渗透和剥离效果。喷淋清洗机则通过高压喷头将剥离液均匀喷洒在基片表面，使剥离液与光刻胶充分接触，相比浸泡槽，其剥离效率更高，且能减少基片之间的交叉污染，适用于大规模生产。剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为后续工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。
2025-05-30 09:25:30
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原创 光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
例如，在去除含特殊树脂成分的光刻胶时，可将 NMP 与少量其他极性溶剂混合，增强对光刻胶的溶解能力。NMP 则对多种光刻胶树脂具有良好的溶解性，且沸点较高，挥发性较低，在剥离过程中能保持稳定的性能。白光干涉仪基于光的干涉原理，将白光光源发出的光经分光镜分为两束，一束照射待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉条纹。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形形貌，为工艺优化和质量控制提供有力支持。（以上为新启航实测样品数据结果）
2025-05-29 09:33:27
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原创 光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
在实际操作中，将带有光刻胶的基片浸入剥离液中，经过一定时间的浸泡和超声辅助，可加速剥离过程。白光干涉仪基于白光干涉的基本原理，将白光光源发出的光经分光镜分为两束，一束投射到待测光刻图形表面反射回来，另一束作为参考光，两束光相遇产生干涉。同时，测量过程快速高效，可实现实时在线检测，并通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形的形貌特征，便于工艺优化和质量控制。剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基片表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为后续工艺提供准确的数据支持，确保产品符合设计要求。
2025-05-28 09:29:33
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原创 湿法刻蚀制备硅基 OLED 阳极的方法及白光干涉仪在刻蚀图形的测量
随后，将涂有光刻胶图案的基板浸入刻蚀液中，根据设计要求控制刻蚀时间和温度，使未被光刻胶保护的硅基材料发生化学反应并被去除，从而形成阳极图形。白光干涉仪具有高精度、非接触的特点，其测量精度可达到纳米级，能够准确捕捉刻蚀图形细微的高度变化，满足硅基 OLED 阳极刻蚀图形的高精度测量需求。此外，该仪器测量速度快，可实现实时在线检测，并能通过专业软件对测量数据进行可视化处理，以直观的图像和详细的数据呈现刻蚀图形的质量，方便研究人员及时调整湿法刻蚀工艺参数。3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现深蚀刻槽深槽宽测量。
2025-05-27 09:15:23
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原创 纳米压印制备硅基 OLED 微型显示器的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
待介质固化后，小心脱模，将模板图案完整转移至基板上。之后，以压印形成的图案为掩模，通过刻蚀等工艺对基板进行处理，形成所需的微纳结构，如阳极像素阵列、阴极结构等。纳米压印技术基于模板复制原理，通过将带有微纳图案的模板与涂覆在基板上的软质材料紧密接触，在一定压力和温度下，使软质材料填充模板图案的凹陷区域，随后脱模，将模板图案转移至软质材料上，从而实现高精度图形的复制。白光干涉仪具备高精度、非接触测量特性，测量精度可达纳米级，能够满足硅基 OLED 微型显示器微纳结构的测量需求，且不会损伤脆弱的光刻图形。
2025-05-26 09:16:34
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原创 Micro OLED 阳极像素定义层制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量
此外，纳米压印技术也备受关注，通过将带有图案的模板压印在涂有软质材料的基板上，实现图案的复制转移，可快速制备大面积、高精度的阳极像素定义层，有效提升生产效率。在 Micro OLED 阳极像素定义层制备中，白光干涉仪可用于测量光刻胶图案的高度、线宽，以及阳极金属层图形的平整度等关键参数，确保制备的阳极像素定义层符合设计要求，为提升 Micro OLED 显示性能提供保障。其中，阳极像素定义层的制备直接影响器件性能与显示效果，而光刻图形的精准测量是确保制备质量的关键。白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。
2025-05-23 09:30:56
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原创 硅基 MICRO OLED 阳极像素光刻内切结构及白光干涉仪在光刻图形的测量
正性光刻胶 B - PR 分辨率 i - line 极限线宽可达 0.3 - 1 微米，正性光刻胶 T - PR i - line 线宽可达 0.5 - 1.5 微米，能够精确控制内切结构的尺寸和深度，有效消除底部外延，为制作高分辨率 OLED 理想阳极像素奠定良好基础。例如，在半导体制造中，对于硅基 MICRO OLED 的光刻图形，能精确测量其阳极像素光刻内切结构的深度和宽度，判断是否符合设计要求，确保器件性能。3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。
2025-05-22 11:01:22
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