AMAZINGIC晶焱科技推系统内部电路中 主芯片内部电源提供 EOS 防护

AMAZINGIC晶焱科技推系统内部电路中 主芯片内部电源提供 EOS 防护

对于系统而言,较常见的EOS事件多发生于对外接口(如:USB、HDMI…等),因此通常对外接口都会加上TVS元件加强EOS的防护。但除了对外接口,在市场端其实也有发生系统主芯片的Core power因EOS能量而造成的烧毁事件。举例来说,晶焱科技的TV客户在分析完由市场端退回的主芯片 Core power烧毁状况后,修正了TV产品设计时的测试项目,客户除了执行对外接口的ESD测试外,亦已再增加对于主芯片Core power的EOS测试。目前的EOS测试规格主要是参照IEC61000-4-5(8/20us)的规范,透过2 ohm输出阻抗对产品的对外接口及主芯片Core power进行EOS 36V的测试。 

发生主芯片Core power烧毁的原因,可能是来自于系统开关机瞬间产生的EOS突波,而此突波能量是主芯片所无法承受的,最终导致主芯片烧毁的状况发生,但透过TVS对于主芯片Core power进行防护后,就能提供有效的防护路径(图一)。而随着高阶微型化半导体制程的演进,主芯片Core Power也由过往常见的3.3V渐渐转往低压1.8V甚至更低电压,因此也造成主芯片本身抵御外部突波能量的能力也越来越弱,使得此种主芯片Core power被EOS烧毁的现象也越来越受到系统厂的重视。

图一、主芯片Core power加上TVS防护示意图

TVS防护元件有分单向及双向的设计,针对电源上面的防护,建议选用单向的TVS做防护以提供较好的防护效果。图二(a)以两颗操作电压皆为3.3V的TVS料件以TLP测试进行举例比较,其中AZ5123-01F为双向TVS(绿色线)及AZ5013-01F为单向TVS(红色线),从正向TLP的测试结果对比两者在正压的导通电压(trigger voltage)及箝制电压相近,因此可推断对于正电压的突波防护效果是相近的;但是比较负向TLP的测试结果后,则可发现双向TVS AZ5123-01F导通电压为-6.2V而单向TVS AZ5013-01F则为-0.7V,单向TVS AZ5013-01F能在负电压突波来袭时更早导通进行防护。

图二(b)中系统针对3.3V电源需要一个保护元件,在使用双向TVS(如: AZ5123-01F)进行防护设计的情况下,如遭遇-3V的突波能量时,因AZ5123-01F负向电压需要超过-6.2V才能启动导通,如果主芯片的电路较TVS更早导通或无法承受此能量,就会发生烧毁的情形。但如将TVS更换成单向TVS AZ5013-01F时,在遇到-3V突波的情况下,因为此突波已经超过AZ5013-01F的顺偏导通电压-0.7V,因此AZ5013-01F会快速将大部分的能量宣泄至地回路,使主芯片几乎不受此突波能量的冲击,进而达到更佳的保护效果。

图二、单双向TVS元件导负电压导通示意图

针对电源方面的用料,除了建议采用单向TVS使系统电源遇到负向突波能量时能提供较佳的防护效果,而随着产品设计愈来越微型化的发展趋势,PCB板中能摆放TVS的空间越来越有限,因此小封装的TVS对于系统设计而言是更佳的选择。

晶焱科技 针对电源部分开发了一系列小型化尺寸的TVS,从过往常见的5V及各种电压,或是主芯片Core power 常见的1.8V电源都有提供相对应的TVS料件。并且过往在0201封装(元件长宽为0.6mm x 0.3mm) TVS中多为双向的设计,目前晶焱科技已新开发出一系列针对主芯片 Core Power的0201封装且单向的TVS(表一),不仅能在主芯片Core power拥挤的周围电路轻易做设计,同时若可以摆放得越接近Core power就能够提供更佳的EOS防护效果。

Part No.ApplicationPackageVrwm(V)ESD Clamping
@8KV
Surge Clamping
Voltage(V) @5A
Lightning
8/20us(A)
AZ6A21-01M1.8V PowerMCSP0603P2YS2.14.43.522
AZ5A15-01M5V PowerMCSP0603P2YS56.56.525
AZ5A16-01M6V PowerMCSP0603P2YS698.520
AZ4U09-01M9V PowerMCSP0603P2YS91312.515
AZ4U15-01M15V PowerMCSP0603P2YS1520.5207
AZ4U24-01M24V PowerMCSP0603P2YS2436355

表一,单向MCSP0603P2YS (0201封装)于电源端应用的TVS防护元件由一级代理KOYUELEC光与电子075582574660,82542001提供方案技术支持!

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STM32G4系列微控制器的内部逻辑结构由多个模块组成,包括: 1. 处理器核心:STM32G4系列采用了ARM Cortex-M4F处理器核心,具有高性能的32位处理能力和浮点运算单元(FPU),能够高效地执行各种任务。 2. 存储器:芯片内部包含Flash存储器和RAM存储器。Flash存储器用于存储程序代码和数据,而RAM存储器用于存储临时数据和变量。 3. 时钟系统芯片内部集成了多个时钟源和时钟管理模块,用于提供系统时钟和外设时钟。它还支持多种时钟源的选择和配置,以满足不同应用需求。 4. 外设接口:STM32G4系列微控制器具有丰富的外设接口,包括通用输入输出口(GPIO)、串行通信接口(SPI、I2C、USART等)、模拟外设(ADC、DAC等)、定时器和计数器等。 5. 断控制器:断控制器用于管理和分发断请求。它能够根据优先级和断类型对断请求进行处理,确保及时响应和正确处理断事件。 6. 电源管理:芯片内部还集成了电源管理模块,用于管理和控制供电。它能够实现低功耗模式和动态电压调节等功能,以提高系统的能效性能。 7. 调试和编程接口:芯片提供了调试和编程接口,用于开发人员进行调试和烧录程序。常见的接口包括JTAG和SWD。 以上是STM32G4系列微控制器芯片内部逻辑结构的一些要组成部分。不同型号的微控制器可能会有一些差异,具体的内部结构可以参考相关的技术文档和数据手册。

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