工作问题笔记-----STM32休眠问题

STM32低功耗分三种:

SLEEP: 电压调节器开启,Cortex-M3内核停止运行,外设保持运行态;

STOP: 电压调节器可选择性开启,所有外设时钟、PLL、HSI和HSE被关闭,Cortex-M3内核和所有外设停止运行,保留SRAM和寄存器的内容;

STANDBY: 待机模式Standby:电压调节器关闭、整个1.8v区域断电。除了备份区域和待机电路的寄存器以外,SRAM和寄存器的内容全部丢失。

 

在休眠状态下,MCU的代码并不会继续执行,而是进入休眠状态,等待唤醒,唤醒的过程会先执行IRQ中断服务函数,然后再执行WFI后的函数。

省电级别由低到高,standby休眠后会让我们的数据丢失,而SLEEP会被所有的中断唤醒,且省电级别并没有STOP高,STOP只能被所有的外部中断EXIT LINE唤醒,符合我们的ACC唤醒规则需求。因为STOP休眠状态下时钟、PLL、HSI、HSE等都会被关闭,因此,唤醒之后,需要重新对RCC进行配置,以保持MCU唤醒后外设的正常运行,因此,需要时钟的情况下STM32的休眠模式应该选用SLEEP而不是STOP,本人目前的需要是STOP休眠状态。一般情况下,为了更加省电,在允许的情况下,MCU休眠后,最好把GPIO口都断开,即DeInit。

PS:经过实践结果    发现103和030 两种STM32的型号在STOP模式下的唤醒有所区别  当103在STOP休眠时会被系统时钟中断唤醒,所以103在休眠前应当关闭系统时钟中断,而030

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STM32是一款非常流行的嵌入式微控制器系列,它具有强大的性能和丰富的外设资源。在学习STM32时,掌握如何进行Flash读写是非常重要的。 Flash是一种非易失性存储器,可以用来存储程序代码和数据。在STM32中,Flash存储器通常用来存储应用程序代码。下面是一个简单的Flash读写程序的示例: 1.首先,我们需要包含适用于所使用的STM32型号的头文件。例如,对于STM32F4系列,我们需要包含"stm32f4xx.h"。 2.然后,我们需要定义一个指向Flash存储器的指针变量。例如,可以使用如下代码:`uint32_t* flash_address = (uint32_t*)0x08000000;`其中0x08000000是Flash存储器的起始地址。 3.要读取Flash存储器中的数据,我们可以通过以下代码实现:`data = *flash_address;`其中data是一个变量,用于存储读取到的数据。 4.要写入数据到Flash存储器中,我们可以通过以下代码实现:`*flash_address = data;`其中data是要写入的数据。 需要注意的是,STM32的Flash存储器是有写保护机制的,因此在写入数据之前,我们需要禁用写保护。可以使用以下代码禁用写保护:`FLASH->KEYR = 0x45670123; FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;`然后才能进行数据写入。 另外,为了确保数据的完整性,我们可以使用CRC校验来验证Flash存储器中的程序代码的正确性。可以使用库函数来计算校验和,然后将其与预期的校验和进行比较以进行验证。 综上所述,掌握STM32的Flash读写操作对于嵌入式系统的开发非常重要。上述示例代码可以帮助我们快速进行Flash读写操作,同时注意写保护和数据校验可以提高数据的安全性和可靠性。

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