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RSS订阅原创 AMR效应与GMR效应的区别
GMR和AMR效应都是磁性材料中电阻与磁场相互作用的体现，但它们的发生条件、机理和应用领域各不相同。GMR依赖于多层膜结构和电子自旋，而AMR则与单一铁磁材料中的电子运动轨迹有关。
2024-09-16 10:01:53
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原创 《Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices》——论文阅读
本篇论文主要研究了铁/铬（Fe/Cr）磁性超晶格结构中的巨磁阻效应。实验过程（材料与结构）：研究者制备了由铁（Fe）和铬（Cr）交替组成的超晶格结构，其中Fe层和Cr层的晶面取向为(001)。这种结构的特殊性在于，Fe层是铁磁性的，而Cr层是反铁磁性的，这种交替的多层结构为观察巨磁阻效应提供了理想的环境。在外加磁场的作用下，Fe层的磁矩可以从反平行排列变为平行排列，这导致了电阻的显著变化，即巨磁阻效应。研究意义：该研究揭示了在人工制备的多层结构中，通过精心设计铁磁和非磁层的排列，可以产生显著的巨磁阻效应。
2024-09-14 13:46:46
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原创 《各向异性磁阻传感器的原理及其应用》——论文阅读
利用四个磁阻组成惠斯通电桥，其中RA=RC，RB=RD（即两者平行，磁化方向与电流的夹角相同），初始时，给予一个电压Vbridge，Vout=0V，已知R垂直和R平行的阻值，由此写出当磁化方向与RA和RB夹角分别为θ和（90°-θ）时，输出电压关于磁阻（即磁化方向θ）的表达式，最后可以得到输出电压Vout~θ的关系，即通过测量输出电压即可知道磁场H方向。磁敏传感器是传感器技术的一个重要组成部分，而薄膜磁阻传感器也成为了磁性传感器技术中最活跃的一个分支，在各个方面有着广泛的应用。
2024-09-07 09:56:41
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空空如也
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