SIM7800 供电参考设计

SIM7800模块供电参考设计。

在用户的设计中，必须特别注意电源部分的设计，确保即使在模块耗电流达到2A时，VBAT的跌落也 不要低于3.3V。如果电压跌落低于3.3V， 模块射频性能将会受到影响。 注意：当电源能够提供2A的峰值电流时，外部供电电容总容值，建议不小于300uF；若不能提供2A的峰值 电流，则建议外部电容总容值不小于1000uF，以保证任何时候VBAT引脚上电压跌落不超过300mV。 建议靠近VBAT放置2个0.1/1µF陶瓷电容。以改善射频性能及系统稳定性。与此同时，建议PCB上供电 电源到模块间的VBAT走线宽度至少2mm。参考设计推荐如下：
如果VBAT输入含有高频干扰，建议增加磁珠进行滤波，磁珠推荐型号为BLM21PG300SN1D和 MPZ2012S221A。 此外，为防止浪涌及过压对SIM7800的损坏，建议在模块VBAT引脚上并联一个TVS管。

推荐的 TVS 管列表
注意：客户自行选择TVS时，需要关注浪涌防护时的钳位电压，100V浪涌输入时钳位电压不要高于10V。