一、微处理器内部的功率和能耗
对CMOS芯片来说,传统的主要能耗源是开关晶体管,这也被称为动态能耗。每个晶体管所需要的能耗与该晶体管驱动的容性负载与电压平方的乘积成正比,其公式如下:
其中容性负载一般是指带电容参数的负载,即符合电压滞后电流特性的负载。
这是逻辑转变脉冲
的能耗,那么0与1之间的变化的能耗应该为左边的一半,即:
每个晶体管所需要的功率就是一次转换的能耗与转换频率的乘积:
对CMOS芯片来说,传统的主要能耗源是开关晶体管,这也被称为动态能耗。每个晶体管所需要的能耗与该晶体管驱动的容性负载与电压平方的乘积成正比,其公式如下:
其中容性负载一般是指带电容参数的负载,即符合电压滞后电流特性的负载。
这是逻辑转变脉冲
的能耗,那么0与1之间的变化的能耗应该为左边的一半,即:
每个晶体管所需要的功率就是一次转换的能耗与转换频率的乘积: