科研要用到TCAD软件进行器件仿真,刚开始使用silvaco模拟,效果一般。老师建议使用sentaurus,进行工艺仿真。恰巧买了软件,最近开始学习入门,记录一下学习心得。(ps:向可爱的小贺老师学习。)
感谢一下懒小木大佬的培训课和疑问讲解,突飞猛进,毕业指日可待!!!
最后重点:
1.定义掺杂的名称和区域一致,不然报错。例子(名称都是sub)
(sdegeo:create-rectangle (position 1 2 3) (position 1 2 3) "silicon" "R.sub")
(sdedr:define-refeval-window "RW.sub" "Rectangle"
(sdegeo:create-rectangle (position 1 2 3) (position 1 2 3) )
(sdedr:define-constant-profile "CP.sub" "PhosphorusActiveConcentration" 5e19)
(sdedr:define-constant-profile-placement "PL.sub" "CP.sub" "RW.sub")
2.定义电极最好取中点坐标,若不是整条线段电极,利用
(sdegeo:insert-vertex (position 1 2 3 ))
截断线段,并定义电极。
3.网格划分,最重要的部分
(sdedr:define-refinement-function "RD.Global" "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 1)
简单加密掺杂浓度变化区域。也可用offest。
sde就这样了,争取三天以后汇报sdevice心得。
欢迎大家批评指正。