sentaurus入门学习笔记(1)

       科研要用到TCAD软件进行器件仿真,刚开始使用silvaco模拟,效果一般。老师建议使用sentaurus,进行工艺仿真。恰巧买了软件,最近开始学习入门,记录一下学习心得。(ps:向可爱的小贺老师学习。)

       感谢一下懒小木大佬的培训课和疑问讲解,突飞猛进,毕业指日可待!!!

      最后重点:

1.定义掺杂的名称和区域一致,不然报错。例子(名称都是sub)

(sdegeo:create-rectangle   (position 1  2  3)   (position  1 2 3)   "silicon" "R.sub")

(sdedr:define-refeval-window "RW.sub" "Rectangle"
    (sdegeo:create-rectangle   (position 1  2  3)   (position 1 2 3)  )
(sdedr:define-constant-profile "CP.sub" "PhosphorusActiveConcentration" 5e19)
(sdedr:define-constant-profile-placement "PL.sub"  "CP.sub" "RW.sub")

2.定义电极最好取中点坐标,若不是整条线段电极,利用

(sdegeo:insert-vertex (position 1  2 3 ))

截断线段,并定义电极。

3.网格划分,最重要的部分
(sdedr:define-refinement-function "RD.Global"    "DopingConcentration" "MaxTransDiff" 1)

简单加密掺杂浓度变化区域。也可用offest。

sde就这样了,争取三天以后汇报sdevice心得。

欢迎大家批评指正。

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