在暴露于365纳米的紫外线照明下,受激电子产生了类似欧姆的光电流,增加了传感器的总电流水平。传感器的制造和表征涉及到几个参数的变化,如圆筒直径、紫外线源发射角度等。实验结果证实了利用宽带隙半导体作为液位传感器平台的可行性,展示了它们在恶劣环境中进行连续和可靠监测的潜力。
用于直接和连续测量的基于GaN的液位紫外线传感器
于 2023-06-10 11:51:35 首次发布
在暴露于365纳米的紫外线照明下,受激电子产生了类似欧姆的光电流,增加了传感器的总电流水平。传感器的制造和表征涉及到几个参数的变化,如圆筒直径、紫外线源发射角度等。实验结果证实了利用宽带隙半导体作为液位传感器平台的可行性,展示了它们在恶劣环境中进行连续和可靠监测的潜力。