川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考(三)

本文介绍了隔离电源的辐射抑制设计,包括20H法则来减少电源层的边缘效应,通过接地过孔防护盾降低辐射,以及宽频磁珠在不同频段的阻抗特性,用于吸收和转化电磁干扰。建议磁珠应靠近干扰源放置,并根据需要选择合适的阻抗和型号。
摘要由CSDN通过智能技术生成

构建边缘防护

电源层和地层之间 的电场是变化的,在 PCB 板的会向外辐射电磁干扰,称为边缘效应。将电源层内缩,使得电场只在接地层的范围内传导, 以减少向外辐射。若电源平面的边缘到地平面的边缘内缩两个平面层间距的 20 倍以上, 可以有效降低向外辐射,即 20H 法则。如图 11 所示。

 

在 PCB 四周加上一些接地的过孔,形成接地过孔防护盾,将噪声返回到地层, 减少对外的辐射。如图12 所示。

 

过孔屏蔽墙的设计如下,效果更佳:

有一排以上的过孔;若有两排以上, 两排过孔尽量相互错开;同一排的过孔间距不小于电磁波波长 λ 的二十分之一。 实际布线时, 过孔间距可以取 3mm 左右,足以对屏蔽 1GHz 以下的电磁干扰。宽频磁珠的使用

磁珠有高频磁珠、宽频磁珠等不同的类型,高频磁珠,相应速度快,频段较窄,适用于特定频段的噪声抑制。而宽频磁珠具有在比较宽的频段上保持相对较高的阻抗。由于芯片频率工作在约 70MHz,在基频及其多倍频处辐射干扰比较明显。

磁珠的主要原材料为铁氧体, 宽频磁珠具有低频阻抗很低, 在很宽的高频频段内保持较高的阻抗。 RF 能量是叠加在直流传输电平上的交流成分ÿ

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