川土微电子 | 隔离电源的辐射抑制设计参考（四）

对比实验

1. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB拼接电容各为约 500pF(参考图 2 和图 10)。 分立器件只有 10μF 储能电容， 无去耦电容， 辐射测试结果如下图 16;

2. 初级 VCC 对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB拼接电容各为约 400pF+400pF(参考图 2 和图 10)。分立器件只有 10μF 储能电容， 无去耦电容， 辐射测试结果如下图 17;

3. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容各为约 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF储能电容外， 加入 10nF+470pF 去耦电容， 参考图18， 辐射测试结果如下图 19;

4. 初级 VCC对 GNDA 以及次级 VISO 对 GNDB 的 PCB 拼接电容各为约 400pF+400pF。 分立器件除了 10μF储能电容外， 加入型号为 FBG1005-601Y 的磁珠，参考图 20， 辐射测试结果如下图 21。