参加华为电力电子大赛的一些体会

最新推荐文章于 2024-10-30 15:48:29 发布

Wangwenshuaicsdn

最新推荐文章于 2024-10-30 15:48:29 发布

阅读量1k

点赞数 25

文章标签：硬件工程硬件架构

本文链接：https://blog.csdn.net/Wangwenshuaicsdn/article/details/135839291

版权

前几日与优秀的队友参加了华为的电力电子比赛，在技术与做事逻辑上收获颇丰，豁然开朗，本着及时总结记录的习惯，发此文章。

技术层面

①直流侧设置多个多种电容器的作用。
并联多个电容调整电容SRF自谐振特性曲线，让电容滤波效果更好。从电源相关知识可知，保证电路在高频、低频、满载、轻载情况下的阻抗稳定，是保证系统正常运行的关键。同时，多个电容便于更换，增加了寿命，提高系统稳定性，降低电容器的ESR、ESI。
铝电解电阻的高频特性较差，往往需要搭配陶瓷电容搭配使用。

②各种类型mos管驱动电路原理及设计。
此处将MOS管分为硅MOS管和SiC管分别讨论。总的来说，MOS管驱动电路的要求有如下几点：

开关管的开通过程中，驱动电流能够提高能提供较大的充电电流，尽量减少米勒电容的充电时间，从而从而保证栅源极间电压迅速上升并达到所需开通电压，保证开关管能够快速开通，并在上升沿无高频振荡‘
导通后，栅源极电压保证稳定，保证开关管的稳定可靠导通；
开关管在关断时，应当提供负压保证SiC-MOS管的可靠关断，并且整个驱动电路应当具有较低的等效阻抗，保证开关管快速关断放电；
电路简单可靠。

对于常见的硅MOS管，重点讨论其驱动电路设计。在此次比赛中使用了快速开启关断MOS驱动电路，驱动电路图如下：
在这里插入图片描述
硅MOS管的导通、关闭过程本质上是对其源栅级间寄生体电容充放电，其充电过程中存在”米勒平台“，决定开关管开启速度的关键在于充电电流的大小。
我们采用NSi6602B隔离式驱动芯片进行控制，最大电流为4A，输出信号接上图中DRV3L。电阻R50作用是限流，防止对mos的损坏。设置R56的原因是由于Rds(on)较小，并联电阻保证导通过程中源栅极间电压恒定，确保二极管稳定有效导通。MOS管的关断过程本质上是体二极管放电，由二极管D9和电阻R38组成的快速放电电路，限流电阻小，放电电流大，关断时间快。

SiC-MOSFET是第三代半导体器件，新材料的问世往往意味着电力电子领域内技术、架构的新一轮革新。在SiC-MOSFET问世前，电力电子器件的设计往往是在IGBT与硅MOS之间二选一。由于IGBT、MOS管在开关速度、耐压值、反向恢复特性等方面的缺陷，碳化硅MOS管逐渐成为高耐压值、快开关速度场景下的优选，具体可见SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别。
目前典型的IGBT驱动芯片电源QA04能输出-8V/+15V的电压，而SiC MOSFET 驱动电压的典型值为-4V/+15V，则需增加一个LM337线性电源将-8V变为-4V。因此，SiC MOSFET 的驱动电路如下图所示。

在这里插入图片描述

③TL431+PC817反馈回路设计
本次设计中，使用TL431+PC817反馈回路检测高压侧直流母线电压。
在这里插入图片描述
TL431是可调并联稳压器，只有参考端（同相端）的电压非常接近Vref（2.5V）时，才会有稳定的、不饱和的电流通过晶体管。使用TL431控制输出电压稳定时，关键是参考端的输入电压与基准源2.5V的比较，通过电压-电流-电压的控制环节，调节输出电压的稳定。
在这里插入图片描述
本研究中，利用上下电阻的分压网络，当输出电压Vout发生变化时，TL431参考端上电压改变，与内部2.5V基准源差值改变，导致阴极流出的灌电流减小，进而使得R63上压降发生改变，最后通过PC817C光耦输出调整信号，使系统调整占空比或其他措施以稳定输出电压。

④电流采样电路设计
由于在双向变换器工作时，需要对其内部的开关管电流、电感电流等物理量的值与波形进行检测，进而做出相关的调整、关闭等操作。常见的电流采样电路方法为使用5mΩ采样电阻经运算放大器及钳位电路输入MCU内部。在设计的过程中，需要着重靠考虑运算放大器的特性，计算MCU中GPIO口的额定输入电压范围与波动情况下实际功率电流峰值，防止电路对MCU造成损伤。
除此以外，电流采样的方案还有摩尔传感器等。

⑤双向ACDC、双向DCDC电路运行原理
本研究设计目的是实现两级式的AC/DC转换，额定功率为500W。我们采用的方案为：前级电路为图腾柱式无桥PFC电路，后级电路采用双有源桥(DAB)拓扑。
前级电路-无桥PFC电路
考虑到常规AC/DC电路交流侧的整流桥损耗过高，为同时兼顾PFC功能及双向AC/DC变换功能，本研究对原BOOST无桥PFC电路进行改进，采用图腾柱式无桥PFC电路。
在这里插入图片描述
其中,高频开关管S1、S2采用碳化硅MOS管，其余采用普通硅MOS管，使用SPWM控制。
后级电路-双有源桥电路
双有源桥电路是目前研究的重点，通过控制两全桥之间的移相比调整功率流向，我们采用了拓展移相控制策略(EPS)，不赘诉。
在这里插入图片描述

⑥PFC电路输出电压设置为400V的原因
几乎所有PFC电路的输出电压都设置在390-420V,原因是确保在电网电压波动情况下（最大值可能会达到380V），始终保持整流桥电路的导通，避免输出波形产生畸变。

⑦高频变压器设计流程
这部分的工作设计到电流计算、铁芯选型、导线选择、绕制方式、成品尺寸、散热分析、磁芯损耗等因素，需要多次迭代计算并不断调整，涉及到电磁学等理论。

⑧不要忽视辅助电源设计
由于开关变换器属于能量传输器件，启动时需要使用辅助电源为芯片供电，我们针对交流测来电和直流侧来电两种情况，设计了两款用电方案，分别使用金升阳电源模块及AP1215芯片实现辅助电源设计。

认知层面

队内软硬件高手众多，收获如下：
①理论是设计的基础，动手操作才是工作的灵魂；
②学习过程中要掌握知识的广度，实际工作时需要把握本领的精度；
③硬件部分的设计工作需要统一把握，各部分功能相互牵制，选型时成本、性能需综合考虑；
④积极、有效交流，多和别人交换意见；
⑤踏实工作，注重每一次工作经验积累；
⑥广泛应用各方面资源；
⑦不断学习，完善知识体系。