ZCC8703 60V升压型、降压型、升降压型LED恒流驱动器 替代SY8703

描述:

    ZCC8703是一种集成功率开关的多工作模式、宽输入/输出DC-DC LED驱动芯片,具有3V到60V的宽输入电压范围,集成了软启动,从而最大限度地减少对外部浪涌抑制组件的需求,使其成为宽输入电源范围LED驱动的理想选择。输出电流可以通过外部采样电阻调整。

    ZCC8703具有集成式350mΩ功率开关,可提供至少1.5A的输入峰值电流能力,具有出色的负载和线路瞬态响应。具有SKIP控制模式,将低静态电流与高开关频率相结合,可在广泛的负载电流范围内实现高效率。附加功能包括:软启动,热开关,UVLO欠压锁定,逐周期限流保护。

    ZCC8703可通过选取不同阻值的采样电阻实现对输出电流高精度的数字调节。

ZCC8703支持数字输入(100Hz-25KHz)的PWM调光,高频PWM输入下无屏闪。调光比在PWM频率为100HZ时高达15000:1.

特性:

 ·所有端口都具备士2000V(HBM)ESD保护

 ·宽输入/输出电压范围:3.0V-60V

 ·支持PWM调光及模拟调光

 ·内置60V/350mΩ高侧金属氧化物半导体场效应晶体管

 ·最高94%效率

 ·逐周期峰值限流保护

 ·SKPI模式提供极高的轻负载效率

 ·提供超小的封装SOT23-5封装

 ·内置软启动电路,防止电流过充

 ·热关断保护

 ·输入欠压保护

 ·降压工作模式下提供输出电压保护

 ·内部环路补偿有助于减少解决方案尺寸,降低成本和涉及复杂性

 ·结温范围为-40℃至+125℃

应用:

  ·智能调光LED灯

  ·Wide input LED driver

  

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基于PyTorch的Embedding和LSTM的自动写诗实验LSTM (Long Short-Term Memory) 是一种特殊的循环神经网络(RNN)架构,用于处理具有长期依赖关系的序列数据。传统的RNN在处理长序列时往往会遇到梯度消失或梯度爆炸的问题,导致无法有效地捕捉长期依赖。LSTM通过引入门控机制(Gating Mechanism)和记忆单元(Memory Cell)来克服这些问题。 以下是LSTM的基本结构和主要组件: 记忆单元(Memory Cell):记忆单元是LSTM的核心,用于存储长期信息。它像一个传送带一样,在整个链上运行,只有一些小的线性交互。信息很容易地在其上保持不变。 输入门(Input Gate):输入门决定了哪些新的信息会被加入到记忆单元中。它由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 遗忘门(Forget Gate):遗忘门决定了哪些信息会从记忆单元中被丢弃或遗忘。它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 输出门(Output Gate):输出门决定了哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。同样地,它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 LSTM的计算过程可以大致描述为: 通过遗忘门决定从记忆单元中丢弃哪些信息。 通过输入门决定哪些新的信息会被加入到记忆单元中。 更新记忆单元的状态。 通过输出门决定哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。 由于LSTM能够有效地处理长期依赖关系,它在许多序列建模任务中都取得了很好的效果,如语音识别、文本生成、机器翻译、时序预测等。
CSDN IT狂飙上传的代码均可运行,功能ok的情况下才上传的,直接替换数据即可使用,小白也能轻松上手 【资源说明】 基于MATLAB实现的这个代码主要是研究手写数字的识别效率,用卷积神经网络算法来实现,用的是官方手写字体数据,能够显现百分之九十以上的识别率+使用说明文档 1、代码压缩包内容 主函数:main.m; 调用函数:其他m文件;无需运行 运行结果效果图; 2、代码运行版本 Matlab 2020b;若运行有误,根据提示GPT修改;若不会,私信博主(问题描述要详细); 3、运行操作步骤 步骤一:将所有文件放到Matlab的当前文件夹中; 步骤二:双击打开main.m文件; 步骤三:点击运行,等程序运行完得到结果; 4、仿真咨询 如需其他服务,可后台私信博主; 4.1 期刊或参考文献复现 4.2 Matlab程序定制 4.3 科研合作 功率谱估计: 故障诊断分析: 雷达通信:雷达LFM、MIMO、成像、定位、干扰、检测、信号分析、脉冲压缩 滤波估计:SOC估计 目标定位:WSN定位、滤波跟踪、目标定位 生物电信号:肌电信号EMG、脑电信号EEG、心电信号ECG 通信系统:DOA估计、编码译码、变分模态分解、管道泄漏、滤波器、数字信号处理+传输+分析+去噪、数字信号调制、误码率、信号估计、DTMF、信号检测识别融合、LEACH协议、信号检测、水声通信 5、欢迎下载,沟通交流,互相学习,共同进步!
基于LSTM+CNN的自然语言处理,基于单维LSTM、多维LSTM时序预测算法和多元线性回归算法的预测模LSTM (Long Short-Term Memory) 是一种特殊的循环神经网络(RNN)架构,用于处理具有长期依赖关系的序列数据。传统的RNN在处理长序列时往往会遇到梯度消失或梯度爆炸的问题,导致无法有效地捕捉长期依赖。LSTM通过引入门控机制(Gating Mechanism)和记忆单元(Memory Cell)来克服这些问题。 以下是LSTM的基本结构和主要组件: 记忆单元(Memory Cell):记忆单元是LSTM的核心,用于存储长期信息。它像一个传送带一样,在整个链上运行,只有一些小的线性交互。信息很容易地在其上保持不变。 输入门(Input Gate):输入门决定了哪些新的信息会被加入到记忆单元中。它由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 遗忘门(Forget Gate):遗忘门决定了哪些信息会从记忆单元中被丢弃或遗忘。它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 输出门(Output Gate):输出门决定了哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。同样地,它也由当前时刻的输入和上一时刻的隐藏状态共同决定。 LSTM的计算过程可以大致描述为: 通过遗忘门决定从记忆单元中丢弃哪些信息。 通过输入门决定哪些新的信息会被加入到记忆单元中。 更新记忆单元的状态。 通过输出门决定哪些信息会从记忆单元中输出到当前时刻的隐藏状态中。 由于LSTM能够有效地处理长期依赖关系,它在许多序列建模任务中都取得了很好的效果,如语音识别、文本生成、机器翻译、时序预测等。

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