中国篮协关于举办2019年NBL联赛技术代表和裁判员培训班的通知

                                                                                                                                                                 篮协字〔2019〕240号

各省、自治区、直辖市、计划单列市、新疆生产建设兵团体育局(竞训处)、中央军委训练管理部军事体育训练中心,有关体协、体育院校、计划单列市篮球协会:

  为更好完成2019年NBL联赛执裁任务,强化技术代表和裁判员思想道德意识,提高业务能力,保证比赛顺利有序进行,经研究,定于2019年4月19日-24日在四川温江举办2019年NBL联赛技术代表和裁判员培训班。现将有关事宜通知如下:

  一、时间和地点

  (一)培训时间:2019年4月19日-24日。

  (二)报到时间:

  裁判督导和讲师、裁委会常委以及工作人员:2019年4月18日21:00前报到。

  新推荐裁判员和技术代表:2019年4月19日20:00前报到。

  裁判员报到时间:2019年4月21日20:00前报到。

  培训具体详细日程见附件1。

  全体人员离会时间:2019年4月24日11:00后。

  (三)报到地点:四川省成都市温江区金强华亨酒店。

  (四)联系人

  中国篮协:崔海洋,01087532327。

  北京恩彼欧体育管理有限公司:李加力,18611353777。

  华亨酒店:周静,13980808366。

  总台电话:028-82733777。

  二、 培训及考核有关要求

  (一)技术代表

  技术代表理论考核分为两部分:规则部分(100分)、视频部分(50分),满分150分。

  (二)裁判员

  1.裁判员理论考核分为三部分:规则部分(100分)、视频部分(25分)、英语部分(25分),满分150分。

  2.莱格尔测试。国际篮联标准:86趟。

  2019年NBL联赛技术代表和裁判员培训班名单详见附件2。

  (三)新推荐裁判员

  根据《中国篮协关于请会员单位分类推荐国家级裁判员的通知》篮协字[2019]171号文件要求,中国篮协从各省市篮协NBL赛事推荐名单中,选拔部分年轻裁判员参加本次NBL培训班,通过考核(增加面试和临场),成绩优异的部分裁判员将执裁2019年NBL联赛。

  各省市篮协推荐名单详见附件3。

  (四)其他

  1、裁判员需携带裁判服和装备;

  2、裁判员需在报到时提交执裁登记表(见附件4),并填写近五年执裁比赛名称和场次,一式三份。

  3、裁判员需在报到时提交承诺书(见附件5)。

  4、参加2019年4月6日国际篮联技术官员培训班,通过体能和理论测验合格者,本次培训均免试。

  三、相关费用

  技术代表和裁判员每人每天缴纳食宿费300元,往返差旅费自理或由注册派出单位负担。

  讲师和工作人员的交通、差旅、食宿及劳务费由北京恩彼欧体育管理有限公司负担。

  四、成都市温江区金强华亨酒店交通指南

  (一)成都双流国际机场T2航站楼(除川航以外的航班到达)步行127米到→双流机场2航站楼地铁站C口  乘坐10号线【开往太平园方向】在太平园地铁站→站内换乘7号线内环【开往武侯大道方向】在文化宫地铁站→站内换乘4号线【开往万盛方向】在杨柳河地铁站C口下车→步行至柳浪湾公交站→乘温江W26路【开往四川艺术学院站方向】在南熏大道四段公交站下车→步行54米到金强华亨酒店。

  (二)成都双流国际机场T1航站楼(川航航班到达)步行320米到→双流机场1航站楼地铁站C口  乘坐10号线【开往太平园方向】在太平园地铁站→站内换乘7号线内环【开往武侯大道方向】在文化宫地铁站→站内换乘4号线【开往万盛方向】在杨柳河地铁站C口下车→步行至柳浪湾公交站→乘温江W26路【开往四川艺术学院站方向】在南熏大道四段公交站下车→步行54米到金强华亨酒店。

  (三)成都火车东站到金强华亨酒店:下车后步行至成都东客站地铁站→乘2号线【开往犀浦方向】在中医大省医院地铁站站内换乘→4号线【开往万盛方向】在杨柳河地铁站C口下车→步行至柳浪湾公交站→乘温江W26路【开往四川艺术学院站方向】在南熏大道四段公交站下车→步行54米到金强华亨酒店。

附件:

<think>好的,我现在要回答用户关于如何绘制双极性NPN晶体管中的N阱NBL结构的问题。首先,我需要回忆一下双极性晶体管的基本结构。双极性NPN晶体管由发射区、基区集电区组成,其中基区是P型,发射区集电区是N型。在集成电路工艺中,N阱通常用于形成某些区域,而NBL(埋层)则用于减少集电极的串联电阻,提高器件性能。 接下来,我需要确定绘制这些结构的具体步骤。可能需要考虑版图设计的基本规则,比如层次定义、掺杂区域的位置以及掩膜的使用。N阱一般是在P型衬底上形成的N型区域,用于隔离或作为晶体管的集电区。而NBL则是在衬底深处的高掺杂N型层,通常在制造初期通过离子注入或扩散形成,之后外延层生长覆盖其上。 然后,我需要考虑工艺步骤的顺序。NBL可能是在衬底上首先制作的,之后外延生长,再制作N阱。绘制时,NBL应该位于集电区下方,而N阱则覆盖集电区并与NBL连接,确保良好的电接触。此外,隔离结构如深N+扩散或沟槽隔离可能也需要在版图中体现,以防止相邻器件之间的干扰。 另外,还要注意设计规则检查(DRC),确保各层之间的间距、重叠等符合工艺要求。例如,NBL可能需要与N阱有一定的重叠区域,以保证电学连接的可靠性。同时,接触孔的位置尺寸也要符合规范,确保金属连线能够正确连接各区域。 可能还需要参考具体的工艺设计套件(PDK),里面会详细定义各层的绘制规则参数。如果用户没有PDK,可能需要根据教科书或工艺手册中的典型参数来设计,但需注意实际制造中的可行性。 最后,总结步骤,明确绘制顺序各层的作用,确保用户能够按照指导完成版图设计,同时提醒注意DRC验证实际工艺的限制。如果有不确定的地方,建议用户查阅工艺文档或咨询厂家,以确保设计的正确性。</think>### 双极性NPN晶体管中N阱与NBL的绘制方法 #### 1. **基本结构与层次定义** 双极性NPN晶体管的版图设计需要明确以下层次: - **NBL(Buried Layer)**:高掺杂N型埋层,位于衬底与集电区之间,用于降低集电极串联电阻[^1]。 - **N阱**:作为集电区的主体,覆盖NBL并向上延伸至表面。 - **P型基区**:位于N阱上方,通过掺杂形成。 - **N+发射区**:在基区上局部掺杂形成。 #### 2. **绘制步骤** 1. **绘制NBL层**: - 在P型衬底上定义矩形区域,标记为NBL层。 - 尺寸需覆盖后续集电区(N阱)的底部区域,确保完全重叠。 - 示例代码(假设使用GDSII格式): ```python create_layer("NBL", layer_number=1) draw_rectangle(NBL_layer, x=0, y=0, width=5μm, height=5μm) ``` 2. **外延层生长**: - 在NBL上方生长低掺杂N型外延层,该层后续将形成集电区(N阱)。 3. **绘制N阱**: - 在外延层上定义N阱区域,需完全覆盖NBL并与边缘留有一定间距(例如0.5μm)以满足设计规则。 - 示例: ```python create_layer("N_WELL", layer_number=2) draw_rectangle(N_WELL_layer, x=0.5μm, y=0.5μm, width=4μm, height=4μm) ``` 4. **基区与发射区**: - 在N阱中心绘制P型基区(尺寸较小,如2μm×2μm)。 - 在基区中心绘制N+发射区(尺寸更小,如1μm×1μm)。 5. **接触与隔离**: - 添加金属接触孔至发射区、基区集电区(N阱边缘)。 - 使用深N+扩散或隔离槽(如STI)隔离相邻器件[^1]。 #### 3. **关键设计规则** - **NBL与N阱重叠**:需保证N阱完全覆盖NBL,避免因对准误差导致电性失效。 - **间距要求**:N阱与相邻P型区域需保持最小间距(例如1μm),防止闩锁效应。 - **接触孔密度**:集电区接触孔需均匀分布以降低电阻,参考设计规则如每10μm²一个接触。 #### 4. **验证与优化** - 进行DRC(设计规则检查)确保各层间距、宽度符合工艺要求。 - 通过LVS(版图与原理图对比)验证电气连接正确性。 - 优化NBL形状(如网格状)以降低寄生电阻。 --- ###
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