TI-高效应用指南之电源（二）

原理：在反向偏置电压足够高时，PN 结内的电场强度变得很强。此时，PN 结内少数载流子（比如在 N 型半导体中的空穴、P 型半导体中的电子）在强电场作用下会获得足够高的能量，在运动过程中与晶格原子发生碰撞，把价电子撞击出来形成新的电子 - 空穴对。新产生的这些载流子同样会在电场作用下加速运动，又去撞击其他晶格原子，进而产生更多的电子 - 空穴对，如此像雪崩一样，载流子数量迅速大量增加，导致反向电流急剧增大。

2.1.6 齐纳击穿

原理：对于一些杂质浓度较高、PN 结较窄的二极管，当反向电压增加到一定程度时，PN 结内的电场会把价电子直接从共价键中拉出来，形成大量的电子 - 空穴对，从而导致反向电流迅速增大。齐纳击穿一般多发生在特殊制造的稳压二极管（齐纳二极管）中，但普通二极管在某些情况下也可能出现这种类型的击穿，只是相对少见。

两种击穿的共同点：无论是哪一种击穿，都会因为过大的反向电压，在瞬间产生大量的载流子，这些载流子在 PN 结内部强电场的作用下快速定向移动，从而形成较大的电流。

2.1.2 肖特基二极管

普通 PN 结二极管是依靠 P 型半导体和 N 型半导体结合形成的 PN 结来实现相关功能。肖特基二极管是依靠金属和N型半导体（Si、GaAs）形成的金属-半导体结工作的。具有以下特点：

正向压降小

普通硅 PN 结二极管的正向压降一般在 0.6V 至 0.7V 左右，而肖特基二极管的正向压降通常在 0.2V 至 0.4V 之间，可以降低整流过程中的功率损耗，提高电源转换效率。

开关速度快

能够在纳秒级别内完成从导通到截止或者从截止到导通的状态转换，适用于高频电路、高速开关电源。

反向恢复时间短

肖特基二极管不存在 PN 结二极管反向恢复过程中需要消除大量存储电荷的问题，所以它的反向恢复时间几乎可以忽略不计

2.1.3 齐纳二极管

齐纳二极管也是PN结结构，但是通过特殊的制造工艺，使得其内部的 PN 结具有更窄的耗尽区，并且杂质浓度相对较高。

工作原理

对于普通二极管，正常情况下反向偏置时，PN 结处于截止状态，反向电流极小，一般在微安级别甚至更小，当反向电压不断增加并达到某一特定值（反向击穿电压）时，二极管会发生反向击穿，反向电流会急剧增大，若没有限流措施，二极管很容易因过热而损坏。

齐纳二极管，当反向电压达到齐纳二极管的特定稳压值（齐纳电压，通常用 Vz 表示）时，二极管内部会产生大量的载流子，形成较大的反向电流，不过这个过程中其两端的电压基本维持在齐纳电压附近，不会随反向电流的增加而大幅变化，从而起到稳压的作用。

2.1.4 发光二极管

发光二极管（LED）是特殊的二极管，空穴和电子结合的能量以光的形式释放出来。例如 GaAS, GaP, GalnP 是直接能隙材料，可以提供足够的导带电子能量可以有效的发光。硅是间接能隙材料不适合做发光二极管用。

三、电感

电感由导线绕在磁芯上构成。

3.1 电感的参数

电感值（Inductance）：磁芯的类型和导线的圈数决定了电感值。
通流能力（Irms）：电感由于有电阻损耗所以会发热，在热量不损坏电感的情况下，最大允许持续流过的电流。
直流电阻（DCR）：电感的直流电阻值，由绕线圈数和线的直径决定。
自谐振频率（SRF）：由于电感中的寄生电容，电感和自身的寄生电容有谐振频率，这个频率处电感阻抗最大，超过谐振频点阻抗开始下降，呈现容性。
饱和电流（Isat）：带有磁芯的电感，当电流增大到一定程度时，磁场强度不再增加，继续增大电流则元件的电感量将迅速下降。这个电流称为饱和电流，所以要是带磁芯的电感正常工作，不能使电流峰值超过饱和电流。不带磁芯的空心电感不存在饱和电流，其磁场随电流增大而增大，电感量不变。

3.2 电感的频率特性

3.2.1 电感的阻抗

任何导线都固有的特性是电阻，此外导线间的绝缘材料在避免线圈之间短路的同时扮演了电介质的角色，给线圈增加了电容。所以电感或多或少都会有寄生电阻和电容的存在。

3.2.2 为什么电感的阻抗会随频率而变化？

在高频率下，电流分布发生变化，趋向于导体的表面（此时电流流过的横截面积变小，相当于导体的电阻发生变化）。这种现象称为趋肤效应。因此，电感的阻抗随着频率发生变化。

3.2.3 电感的阻抗随频率是如何变化的？

在低频范围内曲线平缓，主要由电感的寄生电阻决定。

当频率升高时电感阻抗增加，但是比理论值 j*w*L 要小，这是因为有寄生电容的作用。

当频率继续升高时（图中未画出）电感阻抗下降，呈现容性，这是因为寄生电容占据主导作用。

3.2.4 电感的实际模型

3.3 电感的温度特性

工业级的工作温度是-40 度到 85 度，所以选取-40，25，85三个温度点。X 轴是电流，Y 轴是电感值。可以看到三条曲线都有一个特点，当电流增大到一定程度时（例如 25 度下 1.3A）电感值出现迅速下降。这个拐点的电流就是饱和电流Isat。温度不同饱和电流不同，趋势是温度越低允许的饱和电流越大。

实际中使用电感时要留有余量，确保在全温度范围内都能正常工作。在业界有个专业术语叫做“降额”。例如一个饱和电流为 2A 的电感，在高温下使用时，考虑到 20%降额，只能当做饱和电流 1.6A 的电感使用。反之，设计中需要一个饱和电流为 1A的电感，考虑到 20%降额（除以 80%），则应该选择 1.25A 饱和电流的电感。这样才能保证在高温下不会出问题。

具体降额的程度由元件的变化范围决定，同时各公司的质量规范中也有具体降额说明。

3.4 电感的电磁屏蔽

导线缠绕在磁芯上就构成了电感。当电流流过导线时，磁芯中就建立了磁场，实际中流过电感的电流是快速变化的，所以磁场也在快速变化中，如果不加以屏蔽则会造成电磁干扰（EMI，Electromagnetic Interference）问题。

要屏蔽磁场一般是采用导磁材料将电感封闭在内，电感的 N 极和 S 极产生紧耦合，磁场在这个导磁材料内形成回路，这样就对磁场起到了屏蔽左右。

左图是带屏蔽的电感，右图是不带屏蔽的电感。图中颜色越浅磁场强度越大。可以看到带屏蔽的电感只有一个很小的区域内有磁场，不带屏蔽的电感磁场扩散到周围一个很大范围内。

3.5 电磁干扰

电磁干扰（EMI，Electromagnetic Interference）是指在电子设备或系统中，由于电磁感应或者电磁辐射而产生的一种不需要的信号，它会对其他设备或系统的正常运行产生不良影响。它是一个综合的概念，包括干扰源产生干扰信号、干扰信号的传播途径以及干扰信号对敏感设备造成的不良影响这三个要素。

干扰信号的产生
- 干扰信号主要是由电磁感应或者电磁辐射产生的。
- 电磁感应是指当一个变化的磁场穿过一个闭合导体回路时，在回路中会产生感应电动势，进而产生感应电流。例如，在两根相邻的导线中，当一根导线中有快速变化的电流通过时，会产生变化的磁场，这个磁场会在另一根导线中感应出电流，这就可能产生干扰信号。
- 电磁辐射是指变化的电场和磁场相互激发并在空间中传播的过程。像天线发射信号就是典型的电磁辐射。当电子设备中的电路元件（如高频振荡器、开关电源等）工作时，会产生高频电磁辐射。这些辐射出来的电磁波在空间中传播，如果被其他电子设备接收，就可能成为干扰信号。
传播途径
- 干扰信号产生后，需要通过一定的途径才能到达被干扰的设备。主要的传播途径有传导和辐射两种。
- 传导是指干扰信号通过导体（如电源线、信号线、接地线等）传播。例如，电网中的高频干扰信号可以沿着电源线进入各种电器设备内部，对设备的电路造成干扰。
- 辐射途径则是干扰信号以电磁波的形式在空间中传播。例如，附近的无线电台发射的强信号可能会辐射到周围的电子设备中，对设备的正常工作产生影响。而且，在实际情况中，干扰信号可能会同时通过传导和辐射两种方式传播，使得电磁干扰的情况更加复杂。
对敏感设备的影响
- 当干扰信号到达敏感设备后，会对设备的正常运行产生不良影响。这些影响包括但不限于降低设备的性能、导致数据错误或丢失、使设备出现异常工作状态甚至损坏设备。例如，在通信设备中，电磁干扰可能会增加信号传输的误码率，导致通信质量下降；在医疗设备（如心脏起搏器）中，电磁干扰可能会使设备的工作参数发生改变，危及患者的生命安全。

四、电容

4.1 电容分类

在两个导体平面之间加入电介质就构成了电容。根据电介质的不同进行分类：

电解电容比陶瓷电容稳定，其电容值随温度的变化小，但是ESR（等效串联电阻）比陶瓷电容大。

4.2 电容值

理想电容的电容值为：，其中 $\varepsilon$ 是两极板间介质的介电常数，S是极板面积，d是两极板间的距离。

实际电容具有耐压值，在电介质和极板面积不变的情况下，想要提高耐压值，需要增加极板距离d，这样会导致电容值下降。

如果要保证电容值不变的情况下提高耐压值，需要增加极板面积，导致电容的体积增大。

4.3 常用电容对比

MLC（Multi - Layer Ceramic Capacitor，多层陶瓷电容），Film（薄膜电容），Tantalum（钽电容），Aluminum（铝电容）

横坐标表示电容值，纵坐标表示耐压值，不同颜色的区域表示该电容能够覆盖的范围。以深蓝色的铝电容为了，其电容值范围为nF到mF，耐压值在400V以内。

趋势是电容值越低，耐压值越大。这是因为受体积的限制导体面积受限，在电解质不变的情况下，增加电容量需要减小导体间的距离，距离越小击穿电压就越低。

4.4 电容的封装

对于钽电容和陶瓷电容，贴片封装是主流，因为贴片焊接（SMD）极大的提高了电子产品的生产效率。

贴片封装用数字表示，一般用英制单位，例如 1206 表示 120mil 长 60mil 宽， 0402 表示 40mil 长 20mil 宽（100mil=2.54mm）。如果说明书中以毫米为单位，则封装尺寸的数字代表 mm，例如 3216 表示 3.2mm 长 1.6mm 宽。使用中注意说明书中的单位。

4.4.1 SMD技术介绍

定义

表面贴装技术（Surface - Mount Technology，简称 SMD）是一种将电子元件直接安装在印刷电路板（PCB）表面的封装技术。与传统的通孔插装技术（THT）相比，SMD 元件没有引脚穿过电路板，而是通过焊盘和锡膏焊接在电路板的表面。

优势

小型化
高频性能好：由于没有引脚电感的影响，SMD 元件在高频电路中的性能更优。在射频（RF）电路中，如手机的通信模块，SMD 电容和电感能够提供更稳定的信号传输，减少信号衰减和失真。
生产效率高：在表面贴装生产线中，贴片机可以快速、准确地将元件放置在 PCB 板上，并且可以同时处理多个元件。
成本降低

SMD 元件的类型及封装形式

1. 电阻：

封装形式：常见的贴片电阻封装有 0201、0402、0603、0805 等。

标识方法：贴片电阻上一般会有数字标识，用来表示电阻的阻值。例如，数字 “103” 表示电阻的阻值为 10×10³Ω = 10kΩ。

2. 电容

贴片电容有多种封装，如 0402、0603、0805 等，和贴片电阻类似。此外，还有钽电容，它的封装形式有 A 型、B 型、C 型等。A 型钽电容体积较小，常用于对体积要求严格的电路，如便携式设备的电源滤波电路。

3. IC

小外形封装（SOP），它的引脚分布在芯片两侧，适用于引脚数较少的芯片，如一些简单的逻辑芯片。

四边扁平封装（QFP），引脚分布在芯片的四边，能够容纳更多的引脚，用于引脚数较多的芯片，如微处理器。

球栅阵列封装（BGA），它的引脚是一个个锡球，位于芯片底部，这种封装可以实现更高的引脚密度，用于高性能、高引脚数的芯片，如电脑的中央处理器。

4.5 电容的频率特性

实际中的电容由于自身的工艺结构特点，其内部和外部的导线上存在电阻（ESR等效串联电阻），并且导线有一定的长度，同时存在寄生电感（ESL等效串联电感）。电容的等效模型：

图中是几种不同容值的电容阻抗随频率变化的曲线。横坐标是频率轴，纵坐标是阻抗。阻抗曲线的最低点是电容的谐振频点。

在谐振频点上 $j*w*L=1/j*w*C$ ，得到谐振频率为 $w=1/\sqrt{LC}$

谐振点左侧， $j*w*L<1/j*w*C$ ，电容呈现容性；

谐振点右侧, $j*w*L>1/j*w*C$ ，电容呈现感性。

下图是相同容值不同封装电容的ESL随频率变化的曲线，图中可以看出封装越大ESL越大，当频率较高时，ESL几乎不再变化。

-----------------------------------------------------分割线-------------------------------------------------------------------

这里补充下“串联谐振”的内容：

感性认识：假设有1个弹簧的伸缩频率为1Hz，此时施加一个伸缩频率为1Hz的拉力，此时弹簧的伸缩长度是最大的。这种现象就叫做谐振（或者共振）

在下面电感，电容和电阻构成的电路中，当输入交流电的频率和电路的固有频率一致时，此时电路的电流最大，就可以说该电路发生了谐振。

如何理解电路的固有频率，或者说，电路为什么会有固有频率？我们通过RC串联电路和RL串联电路的对比来解释该问题：

对于RC串联电路，初始状态电容满电，闭合开关后，电容放电，能量全部损耗到电阻上。

对于RL串联电路，电容和电感都是储能元件，他们不消耗能量。

第一阶段：在电容放电后将转化为电磁能储存在电感中。

第二阶段：电感给电容反向充电，电容被反向充满，此时电容电压为负电压。

第三阶段：电容反向放电到零，全部转化成电感的电磁能。

第四阶段：电感对电容正向充电。

这样就完成了一个周期的充放电，电容中电压变化类似于正弦波。

如果没有电路中的能量损耗，电路将一直振荡下去：

实际电路中，由于电阻的存在，波形将越来越低趋近于零，我们说这个电路内部的充放电频率就是电路的固有频率：

那么这个固有频率是多大呢？

根据欧姆定律： $I=\frac{U}{Z}$ ，电路的阻抗最小时，电流最大。

$Z=R+jwL+\frac{1}{jwC}=R+j(2\pi fL-\frac{1}{2\pi fC})$

当括号内公式的值为零时，总阻抗最小，电感和电容相当于短路，，此时对应的频率为： $f=\frac{1}{2\pi \sqrt{LC}}$

总结：当发生谐振时，电感和电容完全实现了能量交换，此时电路呈现纯电阻性。

4.6 电容的温度特性

电介质随温度和电压发生变化。EIA（美国电子工业联合会）将电容分为一类（Class I）和二类（Class II）电容。

Class I电容的容值随环境变化非常小，小于0.3%，并且可以工作在大于UHF的频段，接近理想电容。ClassI电容容值较小，主要用在振荡电路，滤波器和时钟电路中。

Class II电容的命名方法如下表，由三个字符组成：第一个代表能正常工作的最低温度，第二个表示能正常工作的最高温度，第三个表示容值在这个温度范围内的误差。例如X7R表示以X7R作为电介质的电容温度范围为-55度到125度，误差±15%。下文将X7R作为电介质的电容简称X7R电容。

Class II电容使用高介电常数的介质，所以小的体积下就可以得到更大的容值，在温度特性要求不高的场合，Class II电容体积更小，节省面积和成本。这使得ClassII电容虽然温度特性较Class I电容差，仍很有价值。下图展示了Class II电容中三种电介质的电容温度特性曲线。

图中从左到右分别是X7R、X5R和Y5V三种电介质构成的电容。红色线是误差范围的边界。可以看到X7R和X5R的误差相似，但是X7R比X5R的温度范围宽。X5R和Y5V的温度范围相似，但是X5R比Y5V的误差小。跟ClaSsII的电容表格描述一致。

由于电容内部的 ESR，有电流流过时就会发热导致电容温度升高，所以选择电容时要留有余量，使电容在系统的设计温度范围内都能正常工作。

4.7 电容的电压特性

Class II电容的容量随着加在其上的DC电压和AC电压变化，DC电压使容量呈减小趋势，而AC电压使容量呈增大趋势，这种现象是可逆的。额定电压下使用时其容量随时间的推移而下降，这个现象称为老化，是不可逆的。

下图是ClaSs II中X7R电容的容值随时间、DC电压和AC电压变化的曲线。

老化曲线显示在额定电压使用中，经过10万小时使用后X7R的容值下降了7%左右。所以设计产品时，如果产品的寿命在10万小时，则需要在设计容值的基础上增加7%的余量用以弥补老化缺损。

从图中可以看出在75%额定电压下X7R容值下降5%，在100%额定电压下容值下降10%。所以使用电容时要特别注意额定电压，超出额定电压使用不仅影响电容容量，还有可靠性问题。

在AC电压下容量呈增加趋势，图中50V时增量超过50%，所以当Class II电容用在交流场合时不能忽略这种变化。

设计中要考虑到这些因素，使选择的电容在产品寿命内由于老化造成的容值下降不影响正常工作，并且在产品的额定 DC 和 AC 电压下容值的变化不影响正常工作。

4.8 Class I 和Class II电容对比

图中X轴和Y轴分别是温度和电压，Z轴是电容变化的百分比。可以看到ClassI电容在整个温度、电压范围内变化几乎可以忽略。而C1assII电容的变化在10%以上。所以这两种电容应用场合也有很大不同，ClassI主要用在主要用在振荡电路，滤波器和时钟电路等要求高精度小容量的地方。ClassII主要用在电源、去耦等需要大容量低精度的场合。